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相似文献
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1.
以传统的浸渍法,在不同焙烧温度下制备了用于CO氧化反应的Co3O4/SiO2催化剂.通过激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、程序升温还原(TPR)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)表征了该系列催化剂的结构.在所有的催化剂中,XRD和Raman光谱都只检测到了Co3O4晶相的存在.与Co3O4体相相比,XPS结果表明在200 oC焙烧的(Co3O4(200)/SiO2)催化剂中Co3O4表面上存在着过量的Co2+.与XPS的结果一致,TPR结果表明Co3O4(200)/SiO2催化剂中Co3O4表面上存在氧缺陷, 并且XAFS结果也表明Co3O4(200)/SiO2催化剂中Co3O4具有更多的Co2+.提高焙烧温度使得过量的Co2+进一步氧化为Co3+,同时降低了表面氧缺陷浓度,从而得到计量比的Co3O44/SiO2催化剂.在所有的负载催化剂中Co3O4(200)/SiO2催化剂表现出了最好的CO氧化催化性能,表明过量Co2+和表面氧缺陷的存在能够促进Co3O4催化CO氧化反应的活性.  相似文献   

2.
曾凡浩  章晓中 《物理学报》2007,56(1):522-528
用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数. 利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征. 采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加. 利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8 nm)/Ti90Cr10(14 nm)薄膜的矫顽力为65.25 kA/m,矩形比为0.86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质.  相似文献   

3.
本文制备了用于费托合成反应的钴改性Fe3O4-MnO2双功能催化剂,并探究了钴负载量对Fe-Co协同效应的影响以及Fe1CoxMn1催化剂的费托合成反应性能. 实验发现,在Fe3O4-Mn催化剂中加入Co可促进铁氧化物的还原、增加反应过程中铁位点的活性. 此外,Co的加入可增强Fe-Co金属间的电子转移,加强两者的协同作用,提高催化性能. Co负载较高的Fe1CoxMn1催化剂可进一步促进加氢反应能力,使产品分布向短链烃方向转移. 在280 °C、2.0 MPa和3000 h-1的最佳工况条件下,Fe1Co1Mn1催化剂的液体燃料收率最高.  相似文献   

4.
 采用溶胶-凝胶工艺和高温高压实验技术,制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合材料。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和振动样品磁强计,对样品的结构、微观形貌和磁性进行了研究,并对CoFe2O4中阳离子的占位情况进行了讨论。结果表明,随着处理压力的升高,样品的晶粒尺寸增大,晶格常数减小,比饱和磁化强度增大。通过计算结果可以推断,压力的升高导致CoFe2O4中的部分Fe3+从A位移向了B位,而部分Co2+则从B位移向了A位。  相似文献   

5.
水热法制备的合成海胆状Co3O4前驱物在空气中退火得到三维海胆状Co3O4的微纳结构. 采用FESEM、TEM、HRTEM以及XRD对产物进行形貌和结构的表征. 结果表明,合成的海胆状结构Co3O4由许多粒径约为15 nm的颗粒串接形成. 锂电池测试性能表明,制备的海胆状Co3O4首次放电容量达到1.369 Ah/g,经过20次循环  相似文献   

6.
张小超  赵丽军  樊彩梅  梁镇海  韩培德 《物理学报》2012,61(7):77101-077101
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对未掺杂以及不同浓度过渡金属Fe,Co,Ni,Zn掺杂金红石TiO2的超晶胞体系进行了几何优化,并讨论了其晶格常数,电子能带结构和光学性质.研究结果表明:掺杂前后的晶格参数与实验值偏差在3.6%以下;适量的过渡金属掺杂不但影响体系能带结构,拓宽光吸收范围,而且扮演着俘获电子的重要角色,有利于光生电子-空穴对的有效分离以及增强光吸收能力;Fe,Co,Ni,Zn最佳理论掺杂体系分别为Ti0.75Fe0.25O2,Ti0.75Co0.25O2,Ti0.75Ni0.25O2,Ti0.83Zn0.17O2;Fe,Co,Ni3d态分裂为t2g和eg态,分别贡献于价带高能级和导带低能级部分,促进了电子-空穴对的生成,从而可提高TiO2的光催化性能;Zn3d态电子成对填满轨道,不易被激发,故光催化活性无明显提高.  相似文献   

7.
通过在碱液中共沉淀Mn2+、Ni2+和Fe2+后制备了棒状的前躯体,前躯体于不同温度煅烧后制得了MnxNi0:5-xZn0:5Fe2O4棒状体. 利用X射线衍射仪和透射电镜对棒状体的物相、形貌及粒径进行了表征,并利用振动样品磁强计对磁性能进行研究. 结果表明长径比大于15的棒状,随着x值的增加,MnxNi0:5-xZn0:5Fe2O4样品的直径增加,长度下降,长径比变小,当x=0.5时其直径在50 nm左右而长径比减小到7~8. 随着x值的增加,样品的矫顽力先增加后减少,x值达到0.4时样品的矫顽力再次增加,当煅烧温度为600 oC,x=0.5时样品的矫顽力最大为134.3 Oe. 饱和磁化强度随着x值的增加先增加后减少,当煅烧温度为800 oC和x=0.2时达到最大为68.5 Oe.  相似文献   

8.
减薄CdS窗口层是提高CdS/CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一,减薄窗口层会对器件造成不利的影响,因此在减薄了的窗口层与前电极之间引入过渡层非常必要.利用反应磁控溅射法在前电极SnO2:F薄膜衬底上制备未掺杂的SnO2薄膜形成过渡层,并将其在N2/O2=4 ∶1,550 ℃环境进行了30 min热处理,利用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计对复合薄膜热处理前后的形貌、结构、光学性能进行了表征,同时分析了复  相似文献   

9.
研究了通过有机金属化学气相沉积技术及单源分子前躯体方法制备的Ni/Al2O3纳米复合材料的氢吸附(存储). 在冷壁的有机金属化学气相沉积反应器中,通过降解Ni(acac)2粉末基底上的[H2Al(OtBu)]2制备的Ni/Al2O3纳米复合材料. 通过X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜以及能量色散型X射线荧光光谱等技术表征该复合材料. 采用自制Sievert's设备研究该复合材料的氢吸附(存储),可以储存约2.9%(重量比)的氢.  相似文献   

10.
通过在水热合成后追加退火处理,制备了径向生长的具有分级结构的树枝状三维Co3O4晶体,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结构和形貌进行了表征. 在110 oC对其气体探测性能的研究表明这种Co3O4分级结构对氨气有较高的探测灵敏度和响应速度(10 s),性能稳定并具有可重复性. 同时,还在较低的探测温度下对酒精、丙酮和苯进行了气敏探测.  相似文献   

11.
采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄  相似文献   

12.
黄明亮  陈雷达  周少明  赵宁 《物理学报》2012,61(19):198104-198104
本文研究了150 ℃, 1.0× 104 A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响. 回流后在solder/Ni和solder/Ni-P的界面上均形成(Cu,Ni)6Sn5类型金属间化合物. 时效过程中两端界面化合物都随时间延长而增厚, 且化合物类型都由(Cu,Ni)6Sn5转变为(Ni,Cu)3Sn4. 电迁移过程中电子的流动方向对Ni-P层的消耗起着决定性作用. 当电子从基板端流向芯片端时, 电迁移促进了Ni-P层的消耗, 600 h后阴极端Ni-P层全部转变为Ni2SnP层. 阴极界面处由于Ni2SnP层的存在, 使界面Cu-Sn-Ni三元金属间化合物发生电迁移脱落溶解, 而且由于Ni2SnP层与Cu焊盘的结合力较差, 在Ni2SnP/Cu界面处会形成裂纹. 当电子从芯片端流向基板端时, 阳极端Ni-P层并没有发生明显的消耗. 电流拥挤效应导致了阴极芯片端Ni层和Cu焊盘均发生了局部快速溶解, 溶解到钎料中的Cu和Ni原子沿电子运动的方向往阳极运动并在钎料中形成了大量的化合物颗粒. 电迁移过程中(Au,Pd,Ni)Sn4的聚集具有方向性, 即(Au,Pd,Ni)Sn4因电流作用而在阳极界面处聚集.  相似文献   

13.
研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响. 一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备. 利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应. Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低.  相似文献   

14.
用同步辐射X射线荧光(SRXRF)微区扫描分析技术研究了经鼻吸入三氧化二铁(Fe2O3)细颗粒后, Fe在小鼠嗅球中的分布及其对Ca, Zn, Cu等其他微量元素分布的影响.研究发现经鼻吸入40 mg/kg体重Fe2O3(60—200nm)细颗粒, Fe可以通过鼻粘膜在小鼠嗅球中富集. 小鼠嗅球切片中Fe的浓度比对照组升高了20%.通过SRXRF微区扫描分析发现, Fe在嗅球的嗅神经纤维层(ON)、突触小球层(Gl)和前嗅核外部(AOE)的 浓度比对照组显著升高, 表明Fe2O3颗粒已经由初级嗅神经进入到嗅球小球层, 进而沿次级嗅神经进入前嗅核外部(AOE).同时, 吸入Fe2O3细颗粒还使小鼠嗅球中Ca浓度比对照组分别升高了12%, Zn的浓度则下降了17%, 而Cu的浓度与对照组接近, 但Cu在嗅球各层中的分布发生了明显变化. 升高的Ca主要分布在嗅神经层和小球层.实验组嗅神经层、小球层和外丛层(EPl)中Cu的浓度与对照组相比有显著升高, 而在前嗅核外侧部(AOL)、前嗅核外部(AOE)、副嗅球颗粒细胞层(GrA)和副嗅球(AOB)层中浓度降低了. 说明进入脑嗅球组织中的Fe已经对脑组织中微量元素的含量和分布产生了影响.  相似文献   

15.
李万万  孙康 《物理学报》2007,56(11):6514-6520
将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理. 借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能. 通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.  相似文献   

16.
向军  宋福展  沈湘黔  褚艳秋 《物理学报》2010,59(7):4794-4801
采用溶胶-凝胶法结合静电纺丝技术制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/SiO2复合纳米纤维.利用热重-差热分析、X射线衍射、场发射扫描电镜、高分辨透射电镜和振动样品磁强计研究了前驱体纤维的热分解及相转化过程以及焙烧温度和SiO2含量对目标纳米纤维的相组成、微观结构、形貌及磁性能的影响.结果表明,在450 ℃焙烧时,立方尖晶石结构已基本形成.随着焙烧温度由450 ℃升高到100  相似文献   

17.
利用脉冲激光沉积技术在c-Al2O3单晶基片上制备了Bi2Sr2Co2Oy热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响.在最佳沉积条件下制备的单相、c轴取向的Bi2Sr2Co2Oy薄膜的室温电阻率ρ和塞贝克系数S分别为2.9mΩ/cm和110μupV/K,其功率因子S2/ρ好于在单晶样品上得到的值.此外,该薄膜在低温下表现出较强的负磁阻效应,在2K,9T时达到了40%.  相似文献   

18.
郝延明  周严  赵淼 《物理学报》2005,54(5):2334-2337
通过x射线衍射及磁测量手段研究了Tb2Fe15.5Cr1.5化 合物的热膨胀性质及本征磁致伸缩性质.研究结果表明Tb2Fe15.5Cr 1.5化合物在293—672K的温度范围内具有六角相的Th2Ni17型结构.在432—522K的温度范围内具有负热膨胀 性质,其平均热膨胀系数=-157×10-5/K.对本征磁致伸缩的研究结果表明Tb2Fe15.5Cr1.5化合物中存在着较强的各向异性的本 征磁致伸缩,293K时其本征体磁致伸缩约为84×10-3,晶格畸变主要发生在c 轴方向上.磁测量研究结果表明Tb2Fe15.5Cr1.5化合物的居里温度约为494K,比其母 合金Tb2Fe17高约80K.  相似文献   

19.
利用激光加热金刚石对顶砧技术在高温高压条件下合成了纯beta相和立方相C3N4beta相C3N4所属对称群为P63/M (176).对石墨相与beta相C3N4的X射线衍射结果进行了精确分析, 得到优化晶胞参数.原位高压同步辐射X射线衍射分析表明, 在6GPa时由beta相到立方相C3N4的相转变已经发生, 之后两相共存直到19GPa时相变结束得到纯立方相C3N4.  相似文献   

20.
许秀来  徐征  侯延冰  苏艳梅  徐叙 《物理学报》2000,49(7):1390-1393
研究了Gd3Ga5O12:Ag材料的制备及其发光性质.Gd3Ga5O12:Ag材料通过固相反应法制得,采用X射线衍射法分 析了材料的结晶度及成分.用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件,得到了 较好的蓝紫色发光,发光峰分别位于397和467nm.通过对材料的光致发光和激发光谱的研究 和比较,得出397和467nm分别来自于氧空位和Ag+的发光.  相似文献   

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