准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜

提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成，指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。     

用激光淀积掺染料薄膜

在今年4月举行的美国化学学会会议上报导，快速薄膜淀积法为制作非线性光学材料和目前难于产生的其它光学材料展示了希望。纽约州立大学J．Garvey等用激光辅助分子束淀积（LAMBD）制作了一种在氧化钛或氧化硅玻璃基质中含有有机分子的薄膜。虽然掺染料玻璃可用其它方法（如用溶凝胶法）制作，但可能会出现四坑和其它缺陷，染料分子起团或在高温处理期间分解。激光辅助分子束淀积工艺与分子束外延相似（见图）。由准分子激光器产生的248nm波长光脉冲在正常气压区使钛或硅之类靶烧熔，产生20000K的等离子体。反应性氧和等离子体相结合，高…     

反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究

就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所有制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究，结果表明，当薄膜中存在有未反应的单质铝时，薄膜的化学稳定性较差。比较而言具有高取向性，择优生长的致密ＡＩＮ微晶膜的化学稳定性优于结构相对疏松的非晶膜。     

激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜

本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置，以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。     

氧气放电辅助激光淀积原位制备高T_c超导薄膜

采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度10~5A/cm~2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

溅射和激光淀积的ZnO多晶薄膜的结构和发光性质

我们分别通过直流反应溅射及脉冲激光淀积法制备了ZnO多晶薄膜。X射线衍射结果显示出薄膜的c轴取向。原子力显微镜证实薄膜的多晶结构。两种方法制备的ZnO在光子激发下都发射较强的带边荧光。绿色荧光未被观察到。激光淀积在(001)硅表面的ZnO的发光源自“自由激子”辐射。激光淀积在(0001)氧化铝晶体表面的ZnO的发光机制则在相当宽的激发强度范围内都呈现出电子．空穴等离子体(electron-hole plasma)的复合特性。     

脉冲准分子激光沉积Mg/Ag掺杂薄膜

基于梯度掺杂功能薄膜材料在工业应用中的需要、通过金属掺杂对新材料改性研究的需要 ,用单束激光交替作用于两相异靶材 ,制备了Mg Ag组分比为 0 .9的掺杂薄膜     

PLD制备铁电薄膜工艺参数的研究现状

铁电薄膜在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用(前景)。脉冲激光沉积（PLD）在铁电薄膜制备方面显示出独特的优越性。介绍了PLD的原理、特点；综述了PLD工艺参数，包括衬底温度、氧气压力、靶材结构与成分、能量密度、靶基距离、缓冲膜以及退火工艺等的研究现状；展望了PLD制备铁电薄膜的应用前景。     

脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜

为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明,运用合适的激光参数和辅助放电,在沉积温度300℃时,制备出了Al/Ag组分比近似为5:1的掺杂梯度薄膜。该实验方法说明,利用脉冲激光与金属掺杂靶相互作用沉积梯度金属薄膜是可行的。     

高Tc超导薄膜的实用化问题

本文叙述了高Te超导薄膜的主要进展,并讨论了它的实用化问题     

脉冲激光扫描淀积类金刚石薄膜

采用能量密度为1.178×109W/cm2的XeCl准分子激光直接辐照高纯度的石墨靶,并同时采用辅助放电,在1×10-5Torr的真空环境中,于温度为80℃的Si(100)的基片上淀积出类金刚石薄膜,Raman光谱显示在1330cm-1处出现较强的散射峰值;对薄膜红外光谱进行测试,其光谱在2900cm-1处有吸收峰,表明所淀积的类金刚石薄膜含有C-H键,其H元素与C元素的比为45%.薄膜的电阻率为1.89×106Ω/cm,通过光吸收测得的该薄膜的能隙为1.55eV.     

脉冲激光沉积工艺参数对生物活性薄膜的影响

脉冲激光沉积是近年来出现的一项制备薄膜的新技术,在制备生物活性薄膜方面显示出独特的优越性。介绍了脉冲激光沉积技术的原理及特点,详细综述了反应气氛、衬底温度、激光波长、能量密度、靶材性能、沉积速率及薄膜厚度等工艺参数对羟基磷灰石及生物玻璃薄膜组织及性能的影响,展望了该项技术的应用前景。     

脉冲激光沉积法沉积类金刚石薄膜的实验研究

为了研究脉冲激光沉积法中衬底温度和距离对类金刚石薄膜的影响,首先温度保持在200℃,靶和衬底间的距离分别取25.0mm和30.0mm来沉积类金刚石膜。其次温度保持在400℃,距离分别取25.0mm和30.0mm来沉积类金刚石膜。用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测,用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行检测。实验结果表明：距离增加或者温度升高都会导致类金刚石薄膜的密度和sp3/ sp2的比值减小,薄膜中石墨晶粒的数量增多和体积增大。近距离时温度的变化和低温时距离的变化对薄膜微观结构产生的影响更明显。距离和温度的变化对类金刚石薄膜的表面形貌也产生显著的影响。     

Interfacial properties of YBa2Cu3O7−x thin films on AI2O3 substrates prepared by pulsed laser deposition

The interfaces of YBa₂Cu₃O_7−x (YBCO) superconducting thin films grown on (1 102) r-plane A1₂O₃ by pulsed laser deposition have been investigated by a transmission electron microscopy and an Auger electron spectroscopy depth profile. We used the PrBa₂Cu₃O_7−x (PBCO) buffer layer to prevent the interdiffusion and compared the interfaces of YBCO/A1₂O₃ and YBCO/PBCO/A1₂O₃. The intermediate layer in the YBCO film deposited on bare sapphire is visible between the film and the substrate but no boundary layer in the film grown on PBCO buffered sapphire was observed directly by the cross-section image of TEM. The thickness of the intermediate layer in the film on bare sapphire is about 30 nm. This result of TEM observation is consistent with that of AES depth profile.     

脉冲激光纳米薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积（ＰＬＤ）是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势,结合自行研制的设备,介绍了在ＰＬＤ基础上发展起来的兼具分子束外延（ＭＢＥ）技术特点的激光分子束外延技术（Ｌ－ＭＢＥ）,指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物理相互作用和薄膜成膜机理方面的作用,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。