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作者新近分析了塑压摩擦线之陡线规律,即按最小滑动阻力条件,塑压接触面上之质点滑动方向为摩擦力之陡度方向: τ=fp;其中τ为单位摩擦力,f为摩擦系数,P为单位压力。因而摩擦线族之微分方程为:或 dy/(P/y)=dx/(P/x) dy/(P/y)=dx/(P/y)对于曲面,以弧长代替x,y。按此,摩擦线族为等压线之正交族,可由实验压力曲面作出,例如图1为辊轧摩擦线族之平面投影,有齐别尔实验线族之基本性质。 命曲线坐标系(u,v)为此正交系,摩擦线为:等压线为 v(x,y)= 常数, u(x,y)=常数。陡线规律又谓 P=P(u),在一条摩擦线上 P=P(s)。 物理学报其中s为摩擦线弧长,由不滑动点或线量起。 为方便起见,定义穿过边界内一切等压线之摩擦线为“全摩擦线”。当全摩擦线上之压力分布为已知时,按陡线规律,整个压力分布曲面确定,因为全部等压线之压力值已给出,因此,有可能将表面压力分布的问题,化为u或s之常微分方程,全摩擦线端点上之一点初值确定一特解曲面。 本文限于平面问题,目的有二:第一是由力学关系作出(2)式,并于特殊情况下解之;第二是按上述理论,将整个平面压力分布问题总起来解,求出为未定函数之定型函数在任意平面几何条件下之压力解。 用下列两简化条件: 1)当f≠0时,最大切应力方向仍距滑移线不远,按此,忽略小角度,算作P约为第 相似文献
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实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线(VBL)链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T(1)0 和 T(2)0(前者比后者略低但均高于室温),在从室温到T(2)0的每个温度T下,使VBL逐渐消失的面内磁场Hip都分布于一个与T有关的区间[Hip(1)(T), Hip(2)(T)]内,称为临界面内磁场区间:Hip<Hip(1)(T)时,VBL链保持不变;Hip(1)(T)< Hip < Hip(2)(T)时,随着Hip的增加,越来越多的VBL消失;Hip > Hip(2)(T)时,所有VBL都消失。Hip(1)(T),Hip(2)(T)及Hip(2)(T)-Hip(1)(T)均随T的升高而下降,前二者分别于T(1)0 和 T(2)0降为零。比值Hip(2)(T)/Hip(1)(T)随T的升高而升高,在低温段(包括室温)升高缓慢且约为21/2,在T(1)0附近急剧升高且至T(1)0时趋于∞。对以上结果做了理论分析。
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简单流体和烷烃表面张力的梯度理论模型 总被引:2,自引:2,他引:0
利用比容平移修正后的Peng-Robinson状态方程和密度梯度理论建立了简单流体和烷烃的表面张力的理论模型,并提出了适合于这一类纯物质的作用因子通用关联式。对3种简单流体和21种烷烃的表面张力的计算结果表明, 利用新的作用因子关联式结合梯度理论模型能在广泛温度范围内高精度地再现纯物质的表面张力,总的平均绝对偏差为 0.19 mN·m-1,计算精度可以满足工程应用的需要。 相似文献
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ELASTIC SCATTERING OF HADRONS FROM NUCLEI AT HIGH ENERGY AND THE SHORT RANGE CORRELATION IN NUCLEI 下载免费PDF全文
The effects of short range correlation in nuclei on elastic scattering of hadronsfrom nuclei at high energy are studied by means of Glauber multiple diffraction the-ory, using Jastrow correlated wave functions. To this end, a determinant form ofJastrow correlated wave functions is used. Calculations have been carried out for π--12C elastic scattering at 260 MeV, and they are compared with the experimentdata. The results show that the influence of the short range correlation on the dif-ferent cross section is quite important. 相似文献
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用12kW转靶X射线衍射装置测定了非晶半导体a-As2Se3,a-AsSe以及a-As0.05,Se0.95的k吸收EXAFS,a-As2Se3经T≤Tg(玻璃转变温度)的不同温度处理后,亦进行了测定。由获得的径向结构函数分析表明:尽管a-As2Se3的短程结构与晶态c-As2Se3十分相似,但经过低于Tg的退火处理后,其径向结构函数发生了一定的变化。熔态淬火制备的a-As2Se3块体亦发生结构弛豫。此外,在非晶态As-Se二元系中随As含量的变化,材料的近程结构亦不同。
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在向列型液晶的硬棒理论中引入分子取向短程关联。理论的出发点是Sin-DooLee的自由能表示,这一表示基于Carnahan-Starling状态方程。用包括了分子短程关联的取向熵代替原来平均场形式的取向熵项,得到新的自由能表示。通过自由能对分子取向分布求变分确定平衡态分布。对液晶PAA进行了数值计算。给出了相变点序参数、熵变、相变点致密度和相对密度变化的计算值。考虑短程关联后的理论值较通常硬棒理论有显著改进。因此,在某种程度上克服了硬棒理论的困难。 相似文献
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本文利用镜象法讨论了在接地导体球壳附近有点电荷时,空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。 相似文献