压电陶瓷谐振器

随着我国电子陶瓷技术的不断发展,作为电子陶瓷的一个分支压电陶瓷器件无论是在产品的电性能方面或是在质量和品种上均以较快的速度更新换代。压电陶瓷谐振器是近几年来发展较快,引人瞩目的一种压电器件。 近几年材料通过专业技术人员的研究,出现了很多性能优良的压电陶瓷材料,这些材料分别在介电常数、机电耦合系数、机械品质因数方面均趋于系列化,更重要     

片式高频压电陶瓷谐振器及其应用

简要介绍高频压电陶瓷谐振器的发展和应用，着重介绍2MHz-12MHz片式高频压电陶瓷谐振器制造技术。     

片式高频压电陶瓷谐振器及其应用

简要介绍高频压电陶瓷谐振器的发展和应用,着重介绍2MHz～12MHz片式高频压电陶瓷谐振器制造技术.     

高频压电陶瓷谐振器的研制

介绍了试帛高频压电陶瓷谐振器的方法。通过采用能陷振动模式,优化预烧及烧结湿度和保温时间,并进行改性物质掺杂,制作出机械品质因数高、频率湿度特性良好的高频压电陶瓷谐振器。     

多层压电陶瓷滤波器和片式陶瓷谐振器

本文叙述了多层压电陶瓷滤波器和片式陶瓷谐振器的新型结构,选用的基体及电极材料,主要制作工艺,性能及应用领域。     

厚度切变模式高频谐振器用压电陶瓷

研究了Ｐｂ（ＺｒｘＴｉｙ）Ｏ３＋ＤＭｎＯ２＋ＥＣｅＯ２二元系压电陶瓷材料,以质量分数ｗ为５％～１０％的碱土金属元素Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ氧化物加入配方中,形成二价正离子,取代铅,再以适量的ＭｎＯ２,ＣｅＯ２氧化物作为添加物加入配方中,选择了合适的工艺,获得了性能优良的压电陶瓷材料,该材料已成功地用于制造１．５～６．０ＭＨｚ厚度切变模式高频谐振器。     

高频压电陶瓷谐振器的制备与性能

主要研究PbTiO3基陶瓷谐振器的制备工艺和主要性能。PbTiO3基陶瓷采用传统工艺来制备。这种陶瓷具有高kt和Qm,低er和高频率稳定性,用此种陶瓷制备的高频谐振器具有优良性能,并完全满足使用的需要。     

Zr/Ti比及Sr掺杂对PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷性能的影响

采用固相烧结法制备了五元系PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷,通过X线衍射(XRD)研究了组分不同Zr/Ti比的相结构,并研究不同Zr/Ti比和Sr掺杂量对组分介电、压电性能的影响。研究表明,组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着Zr/Ti比的增加,组分的相结构由三方相向四方相转变,且组分的准同型相界位于r(Zr)/r(Ti)=0.98附近;在r(Zr)/r(Ti)=0.98的组分中掺杂Sr发现,随着Sr含量的逐渐增加,压电陶瓷的介电和压电性能先增加后减小,当x(Sr)=4.0%时,介电和压电性能出现极大值,即介电常数ε~T_(33)/ε_0=3 578,压电常数d_(33)=652pC/N,机电耦合系数k_p=0.81,品质因数Q_m=65,介电损耗tanδ=1.72%,居里温度T_C=191℃,且具有典型的介电弛豫特性。     

Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能

采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_0.85Ca_0.15)(Zr_0.09Ti_0.91-_2xSn_xGe_x)O₃(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x-=0.032时,该体系的居里温度最高(为122 ℃)。     

磁电复合薄膜用高性能压电陶瓷靶材的制备

采用固相法制备了高性能的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅(PZT)粉体为原料,经冷等静压和高温烧结制备出磁控溅射需要的、直径为73.6mm的压电陶瓷靶材。     

体声波谐振器热行为仿真

为了预测体声波谐振器(BAWR)的热行为并评估其功率容量,提出一种BAWR热行为仿真方法。首先提取BAWR电磁模型中的导体表面损耗,并以此作为热仿真的热源,得到谐振器的温度分布。然后就信号馈送边、有源区形状、功率容量这3方面进行了研究。仿真结果表明,为了减弱BAWR的自热效应,信号馈送宜遵循“长边馈入、长边馈出”原则;有源区形状对自热效应影响甚小;所设计的BAWR功率容量可达3 W。