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硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点,在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用.随着系统向小型化、高机动化、高可靠方向发展,要求单只器件的输出功率尽可能大.因此硅微波功率器件也在不断向大功率方向发展. 相似文献
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南京电子器件研究所研制成功工作频率3.1~3.4GHz,脉冲宽度300μs,占空比10%,输出功率大于50W,功率增益大于7dB,效率大于40%的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为100μs时输出功率大于60W。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高,器件的高频功率优值(Po·Ro)下降,微波寄生参量变得非常突出,信号损耗增大,造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制,硅功率器件一般工作于S波段以下。限制器件功率输出的另一重… 相似文献
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南京电子器件研究所近期研制成功1.44~1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44~1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝. 相似文献
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本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f。=1.85~2.15GHz,D=2%,τp=40us条件下,输出功率P。≥100W,功率增益Gp≥ 7dB,集电极效率ηc≥40%,并具有较高的抗激励耐量。在f。=2.15GHz,τp=40us,D=2%,Pi=25W,Vcc=36V时,P。≥120W;当Vcc=40V时P。≥153W。 相似文献
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L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
硅微波脉冲功率晶体管攻关组 《固体电子学研究与进展》2003,23(3):373-373
南京电子器件研究所最近研制成功 L波段2 5 0 W宽带硅微波脉冲功率晶体管。该器件在 1 .2~ 1 .4GHz频带内 ,脉宽 1 5 0 μs,占空比 1 0 %和 40V工作电压下 ,全带内脉冲输出功率在 2 4 0~ 30 0W之间 ,功率增益大于 7.8d B,效率大于 5 0 %。器件设计为梳条状结构 ,单元间距 6μm,发射极和基极金属条条宽 2 .4μm,金属条间距 0 .6μm。每个器件由 6个尺寸为 1 60 0μm× 75 0μm功率芯片组成 ,每个功率芯片含有 2个子胞。整个器件包含 1 2个子胞、2 0个电容和 2 0 0多条连接金丝匹配而成。在微波功率发射等领域 ,硅微波脉冲大功率晶体管具… 相似文献
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研究并制造了2.6~2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。 相似文献
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600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管 总被引:3,自引:2,他引:1
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin... 相似文献
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S波段100W硅脉冲功率晶体管 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4~ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 相似文献
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L波段150W硅脉冲功率晶体管谭卫东,张纪生,王志楠,张树丹,王因生,郑承志,刘六亭,康小虎(南京电子器件研究所,210016)An150WL-BandSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥TanWeidong;Zh... 相似文献
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L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管 总被引:3,自引:2,他引:1
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极,同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻,实现对发射极电流二次镇流,器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配,在L波段脉冲输出大于100W(36V),脉宽150μs,工作比10%,增益大于7.5dB,效率大于45%,器件最大输出达150W(42V)。 相似文献
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3.3—3.4GHz28W硅脉冲大功率晶体管的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本介绍了采用网状发射极结构,浓硼扩散发射极镇流电阻,输入,人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管,该器件在3.1-3.4GHz的雷达频带内,脉冲输出功率28W,增益7.5dB,效率30%。 相似文献
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<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是: 相似文献
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<正>南京电子器件研究所采用φ75mm硅片研制成功脉冲输出功率100W的P波段长脉宽硅脉冲功率晶体管。该器件在电子工程领域有广泛应用。由于这种器件可靠性要求高,工艺难度大,匹配电路要求苛刻,而且工作脉宽长、占空比高,因此,给器件研制带来很多困难,国内长期无法解决。1991年该器件开始研制,同年制出输出50W的样管。1992年进一步改进芯片设计和工艺,优化内匹配电路,研制出脉冲输出100W的功率管。主要技术指标为,测试频率600MHz,脉冲输出功率大于100W,增益大于7dB,集电极效率大于50%。 相似文献