高性能等静压成型陶瓷与其金属化工艺匹配性的探索

通过对金属化层与陶瓷匹配性的探索,分析其对金属化陶瓷性能指标的影响,确定能与陶瓷良好匹配的金属化生产工艺,使金属化陶瓷的生产合格率高,产品性能指标稳定、可靠。     

陶瓷凝胶注模成型技术

介绍一种新的陶瓷成型技术－－凝胶注模成型,它是在陶瓷浆料中加入有机单体浇铸后,在一定的条件下,有机单体发生原位聚合反应,使陶瓷浆料凝固而形成所铸零件。它可用于单相及复合陶瓷的成型,适用于复杂形状的零件成型,是一种净尺寸成型技术。另外,该技术成型的坯体强度高,可用于机加工,最后,讨论了高固相、低粘度陶瓷浆料的制备原则。     

精密陶瓷部件近净成型技术的发展

重点介绍了近十年发展起来的陶瓷部件的近净成型技术 ,主要包括直接凝固注模成型、凝胶注模成型、陶瓷注射成型、陶瓷无模成型和微注入成型。对这些新的成型方法的原理、工艺过程及应用特点进行了较全面的分析与比较。     

大尺寸等静压真空电子陶瓷管的研制与探索

采用等静压成型技术和特殊的研磨、造粒控制技术,研制出直径超过200 mm的薄壁电子真空陶瓷管,产品成品率高,生产成本大大降低.     

陶瓷粉末成型技术的工艺与控制

阐述了陶瓷粉末在压制成型时，实现坯体均质化途径与工艺控制，成型设备的选择和粉料制备是关键。     

微波陶瓷凝胶注模成型工艺研究

研究了微波陶瓷凝胶注模成型工艺，包括浆料制备，成型工艺及用微波介质陶瓷制备成介质柱谐振器，观察了介质陶瓷的微观形貌，用Hakki-colernan开式腔圆柱介质谐振法对其性能参数进行测量，并与用干压成翌壬艺制备的样品进行比较分析，得出用凝胶注模法用于制备微波陶瓷（Ba6-3x（Sm1-y Ndy）8＋2x Ti18 O54），与干压法制备的样品有相当的介电常数，而无载品质因数值略高，且样品致密、缺陷少，组分更为均匀。     

压电陶瓷基片的流延成型工艺探讨

已摸索出一套在引进的流延设备上使用国产原料成型压电陶瓷滤波器基片的流延成型工艺。文中讨论了影响流延质量的主要因素,并给出了具有实用意义的实验结果。     

陶瓷真空管壳生产的几种成型方法比较

简述陶瓷真空管生产工艺中的几种成型方法的特点 ,指出不同成型方法对制品可能产生的影响 ,从而对生产优质的陶瓷真空管壳的成型方法有一个合理的选择。     

等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

选择性激光烧结/冷等静压复合制造高密度Al2O3异形陶瓷件的研究

为了获得高密度复杂形状氧化铝陶瓷件,提出采用覆膜和混合相结合的方式制备出含有机粘接剂w(PVA)=1.5%和w(ER06)=8.0%的Al2O3复合粉体,对复合粉体进行选择性激光烧结(selective laser sintering,SLS)/冷等静压(cold isostatic pressing,CIP)成形、再经脱脂、高温烧结获得最终陶瓷零部件的制造方法。研究了激光烧结的4个工艺参数,得出在激光功率为21 W、扫描速度为1 600 mm/s、扫描间距为100μm、单层层厚为150μm时,获得的SLS陶瓷坯体密度和强度较好,较高强度的SLS坯体有利于后续其它工艺的进行。研究了具有随形包套的SLS陶瓷件的CIP工艺,得出随着压力的增大,陶瓷坯体的孔隙得到更大程度的消除,粉体颗粒重排压实,密度和强度显著提高,而当CIP压力大于200 MPa时,致密化速率减小。基于环氧树脂粘接剂的热重(TG)曲线分析,对SLS/CIP试样进行合理的脱脂、高温烧结处理,所得Al2O3陶瓷件相对密度大于92.26%。为制造高性能复杂形状的陶瓷件提供了一种新的方法,并拓展了SLS技术的应用范围。     

热等静压设备结构特点及应用工艺

简要介绍热等静压设备的工艺路径，包套和典型烧结制度。     

Current Enhancement in Organic Films through Gap Compression by Cold and Hot Isostatic Pressing

The spatial gaps in organic films are compressed using cold and hot isostatic pressing (CIP and HIP, respectively) with the aim of enhancing their electrical characteristics. The microscopic gaps formed in amorphous organic films by inefficient molecular packing are difficult to compress using CIP and HIP; however, the macroscopic gaps formed between grains and other grains or substrates in polycrystalline organic films can be compressed using CIP and HIP. The gap compression by CIP and HIP in polycrystalline films enhances their electrical characteristics. Conversely, the electrical characteristics of amorphous films remain unchanged after CIP and HIP. HIP gives almost the same results as CIP in terms of gap compression and current enhancement, probably because the expected activation of molecular motion at high temperature is suppressed under high applied pressure. CIP markedly improves the performance of organic light‐emitting diodes, organic solar cells, and organic field‐effect transistors containing polycrystalline films. These findings are important for understanding the carrier injection and transport mechanisms of organic films containing gaps as well as enhancing the performance of future organic devices, especially those with polycrystalline films.     

氮化铝陶瓷金属化技术的探讨

本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。     

功能陶瓷在电子技术发展中的新趋势

介绍了功能陶瓷材料近期应用于电子技术的概况以及有待于进一步研究发展的新趋势。文中就材料的多功能化、低维、复合、智能化、原材料高纯化及铁电薄膜存储器作了简要的叙述。     

烧结工艺对纳米SrTiO3陶瓷介电性能的影响

采用sol-gel方法制备SrTiO3陶瓷粉体,利用TG-DTA分析SrTiO3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO3陶瓷预烧和烧结温度,采用SEM研究了SrTiO3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对SrTiO3陶瓷介电性能的影响.研究表明,当采用在空气气氛下以5 ℃/min的升温速率直接升温至1 000℃,保温0.5 h,再降温至750℃保温0.5 h后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于100 nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达3 000左右.     

压电陶瓷在引燃引爆方面的应用

介绍了引燃引爆用压电陶瓷的研究和应用，总结了提高材料性能和改善老化的一些有效措施。     

Al2O3陶瓷生产工艺中的若干问题

介绍了Al2O3陶瓷生产中的若干问题，特别是国内外在Al2O3陶瓷原料制备，配料，成型与烧结等方面的生产情况和研发动向，同时提出了自己的看法。     

PLZT透明光电陶瓷的无压烧结制备工艺研究

采用传统无压常规烧结工艺制备了锆钛酸镧铅(PLZT)光电陶瓷,通过光学显微和扫描电子显微技术研究了其微观结构和组织形貌,分析了PLZT陶瓷中微观孔隙的分布规律及其对样品厚度的依赖关系,当样片厚度小于0.5 mm时就可获得高质量的透明PLZT陶瓷,其可见光波段的光学透射率达70％。