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为了提高热电式微波功率传感器的传热效率,改善传感器的性能,对热电式微波功率传感器的衬底结构进行了优化设计,得到了最优的衬底结构尺寸。首先研究衬底厚度对热电式微波功率传感器的影响,然后根据得到的最优衬底厚度,研究基底膜位置及尺寸对热电式微波功率传感器性能的影响,最后对所得最优衬底结构传感器的微波特性以及电磁场分布进行研究。结果表明,当传感器衬底的结构尺寸最优时,传感器的最高温度达到352.76 K,S参数小于-20.62 dB。该结构不仅减少了热量在衬底的堆积,提高了负载电阻到热电堆的热传输效率,而且具有良好的微波特性。 相似文献
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A biomimetic three-dimensional piezoresistive vibration sensor based on MEMS technology is reported.The mechanical properties of the sensor are analyzed and the static and dynamic characteristics of the sensor are simulated by ANSYS Workbench12.0.The structure was made by MEMS processes including lithography,ion implantation,PECVD,etching,etc.Finally,the sensor is tested by using a TV5220 sensor auto calibration system.The results show that the lowest sensitivity of the sensor is 394.7 V/g and can reach up to 460.2 V/g,and the dimension coupling is less than 0.6152%,and the working frequency range is 0–1000 Hz. 相似文献
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针对地质灾害发生时周围地质层都会受到不同程度的振动的特点,在当地质灾害发生时监测其振动情况,为了给人们争取逃生时间,在此基于MEMS加速度传感器和GPRS模块,采用MSP430单片机设计了一种小型、快速、低功耗的振动监测报警系统,给出了系统的基本结构和电路实现的解决方案。试验结果表明本系统灵敏、可靠。 相似文献
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A kind of piezoresistive ultrasonic sensor based on MEMS is proposed,which is composed of a membrane and two side beams.A simplified mathematical model has been established to analyze the mechanical properties of the sensor.On the basis of the theoretical analysis,the structural size and layout location of the piezoresistors are determined by simulation analysis.The boron-implanted piezoresistors located on membrane and side beams form a Wheatstone bridge to detect acoustic signal.The membrane-beam microstructure is fabricated integrally by MEMS manufacturing technology.Finally,this paper presents the experimental characterization of the ultrasonic sensor,validating the theoretical model used and the simulated model.The sensitivity reaches -116.2 dB(0 dB reference = 1 V/μbar,31 kHz),resonant frequency is 39.6 kHz,direction angle is 55°. 相似文献
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MEMS加速度传感器的原理及分析 总被引:15,自引:2,他引:15
主要介绍了五种目前常见的基于MEMS技术的加速度传感器,从物理结构的角度对这几种传感器的测量原理进行了分析,不但着重介绍了已经较为成熟且形成产业化的硅微电容式、压阻式、热电耦式加速度传感器,而且对目前较为前沿的光波导式加速度传感器也进行了一些分析和介绍。 相似文献
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为实现热电式MEMS微波功率传感器与电容式MEMS微波功率传感器的兼容,得到一种性能优良的双通道MEMS微波功率传感器,需要对MEMS悬臂梁的匹配特性进行分析与设计。根据MEMS悬臂梁的一维集中参数模型,分析了MEMS悬臂梁的吸合电压,研究了MEMS悬臂梁的位移与电容的变化关系以及MEMS悬臂梁的谐振频率,得到了MEMS悬臂梁的匹配特性与MEMS悬臂梁高度的变化关系。实验结果表明,当MEMS悬臂梁的高度设计为10 μm时,MEMS悬臂梁的谐振频率为16.13 kHz,在8~12 GHz频率范围内,回波损耗均小于-19 dB。 相似文献
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Xiaodong Wang Baoqing Li Harry T. Roman Kenneth R. Farmer 《Microelectronics Journal》2006,37(1):50-56
The design guidelines for micro diaphragm-type pressure sensors have been established by characterization of the relationships among diaphragm thickness, side length, sensitivity, and resonant frequency. According to the study, the thickness need to be thin and the side length need to be small in order to get the sensitive diaphragm with high resonant frequency. A Fabry-Perot based pressure sensor has been designed based on the guidelines, fabricated and characterized. In principle, the sensor is made according to Fabry-Perot interference, which is placed on a micro-machined rectangular silicon membrane as a pressure-sensitive element. A fiber-optic readout scheme has been used to monitor sensor membrane deflection. The experimental results show that the sensor has a very high sensitivity of 28.6 mV/Pa, resolution of 2.8 Pa, and up to 91 kHz dynamic response. 相似文献
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针对流速传感器大多存在测量量程小、柔性小而无法适应较大量程和复杂曲面的测量问题,提出了一种宽量程柔性MEMS流速传感器,结合热损失和热温差的工作原理实现对流速的测量.选取聚酰亚胺(PI)作为柔性衬底材料和铂(Pt)薄膜为热敏材料,采用金属牺牲层MEMS工艺制造了带空腔的柔性流速传感器芯片,尺寸为9 mm×7 mm×30μm.设计了采用双惠斯通电桥的恒温差测控电路.测量结果表明:制造的柔性MEMS流速传感器的TCR为0.2418%/℃,实验实现了0~36 m/s的输入风速测量,在低速、高速段内的灵敏度分别为2和0.295 mV/(m/s).同时,测量电路还展现出良好的温度补偿效应.所提出的柔性MEMS流速传感器具有宽量程、测试精度高、灵敏度高和易于实施温度补偿的优点,有望用于航空航天、国防等领域. 相似文献
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提出了一种新型电磁驱动推拉式射频MEMS开关。针对传统静电驱动单臂梁开关所需驱动电压大、恢复力不足等问题,设计了一种推拉式开关结构,降低了驱动电压(电流),提高了开关的隔离度,同时实现了单刀双掷的功能。单晶Si梁由于自身无应力,解决了悬臂梁残余应力引起的梁变形问题。通过理论计算和有限元分析,优化了开关设计尺寸,在外围永磁铁磁感应梯度dB/dz=100T/m,在线圈通入100mA电流的驱动下,单晶Si扭转梁末端可以获得约10μm的弯曲量,满足开关驱动要求。给出了开关的详细微细加工流程,对开关的传输参数进行了测试,在10GHz时隔离度为-40dB. 相似文献
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设计并制作了一种X波段的电容式RF MEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH.有效降低了“关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型.使用Agilent ADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。 相似文献