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论耦合波方程中的耦合系数 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先利用电磁场的互易性,推得耦合波方程组中各耦合系数的两两关系,按这一关系,得到了该方程组最常见的两种形式。 文中严格推导了Marcuse和黄宏嘉教授在近似条件下推得的联系理想模耦合系数和本地模耦合系数的“等效公式”,并举例说明。 相似文献
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基于电磁场理论,推导了无耗非线性左手材料中三波耦合的波混合方程,并研究了相位匹配条件下正向信号波与逆向和频波的能量转换过程及其空间分布.验证了可将无耗非线性左手材料的入射面作为反射镜,把能量以和频波的形式反射.同时给出有限厚度介质板中信号波和和频波的场强分布数值结果,验证了文中结论的正确性. 相似文献
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众所周知,圆柱座标中波方程的一般解是 (1)式中D_1、D_2为常数,α为相位常数,K~2=ω~2εu。因而它对于金属圆波导和同轴线中的任何波型都应该是适合的。当然也应能由此而导出同轴线中的TEM波。为此,我们首先写出同轴线中TE波的场分量表达式,然后讨论其n=0的特殊情况。于是令 相似文献
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过去对光纤非线性问题的研究只就针对某一现象分别采用某一方程加以研究。本文给出了单模光纤四种非线性过程的完整的瞬态耦合波方程,并得出其解析解。这四种非线性过程包括受激喇曼散射(SRS);受激布里渊散射(SBS);非线性折射指数及自相位调制和参量四光子混频。 相似文献
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本文从普遍的双折射理论出发,考虑到晶体内基频波D、E分离和倍频波P、D分离,推导出双轴晶体的有效非线性系数的解析表达式,为器件设计提供了必要的参考。 相似文献
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提出了一种求解耦合波方程的新方法-转移矩阵法,采用该方法得到了小信号近似条件下一维光学超晶格中二次谐波、三次谐波场变量的矩阵形式的解。本方法不仅适用于周期结构,也适用于准周期结构和非周期结构。 相似文献
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本文分析■2m晶体的有效非线性系数及其在二次谐波发生中的作用。首先由耦合波动方程推导出其转换效率极限,然后运用极化场、电场分量的方法和矩阵表示的方法详细推导出■2m晶体的系数d_(eff)表达式,再分析在克兰曼对称条件下的表达式,最后分析系数的物理意义。 相似文献
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变系数组合KdV方程的新的孤立波解 总被引:8,自引:4,他引:4
在辅助方程法的基础上,给出辅助方程和函数变换相结合的一种方法,并借助符号计算系统Math-ematica,获得了变系数组合KdV方程的新的孤立波解和三角函数解.这种方法在寻找其它变系数非线性发展方程的新的孤立波解和三角函数解方面具有普遍意义. 相似文献
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针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析案例,通过仿真得出,设计得到的膜层厚度比为0.206时,虽然FBAR的k2eff略有下降,但此时Mo电极厚为0.247μm,AlN压电层厚为1.119 7μm,使得FBAR电学性能较好,工艺制备复杂度及时间降低。另外,c轴倾斜角度为3°时,会使FBAR的k2eff下降,同时FBAR阻抗特性曲线产生较强的寄生谐振,这会引起FBAR横向能量泄露,恶化FBAR滤波器的带内插损。因此,在制备AlN薄膜时应该严格把握各项工艺参数。此外,通过适当放宽FBAR谐振器谐振频率增量能使k2eff具有一定冗余量来弥补工艺制备引起的k2eff下降。 相似文献
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变系数强迫Burgers方程的多孤立波解及孤立波的相互作用 总被引:3,自引:2,他引:1
利用齐次平衡法研究变系数强迫Burgers方程,得到了该方程的多孤立波解。用图形分析方法对孤立波之间的相互作用进行分析,观察到了在非均匀介质中及强迫项作用下形成的特殊扭结孤立波相互作用而产生的合并与分裂等新现象。合并(分裂)之后的特殊扭结孤立波可以继续振荡传播,也可以不振荡也不传播,还可以在原位置振荡但不传播。 相似文献
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理论分析了PPT光纤波片耦合模方程,得出了一定条件下的解析解,将该解析解和渐进近似结果进行了比较,它们在实际应用的PPT光纤波片中具有很好的一致性。 相似文献
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本文分析了均匀各向同性有耗非线性介质中的二阶谐波和三波耦合的动力行为,在等阻尼和相位匹配的条件的条件下导了耦合波的解析解,在不等阻尼时,通过计算Lyapumov指数分析了耦合波所具有的混纯特性。 相似文献