硅硫二元团簇[(SiS2)nSiS]+(n=1～3)的结构和稳定性的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法(B3LYP/6-31G*)研究了硅硫团簇[(SiS2)nSiS]+(n=1～3)的可能几何构型,得到各稳定构型的电子结构,并计算了相应的振动频率,预测了稳定构型的振动光谱.由其稳定构型的比较可在理论上预测团簇的生长规律,并可初步预测团簇的形成机理.     

硅硫二元团簇[（SiS2）nSiS]^＋（n=1～3）的结构和稳定性的量子化 …

用密度泛函（ＤＦＴ）方法（Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ＊）研究了硅硫团簇「（ＳｉＳ２）ｎＳｉＳ」＾＋（ｎ＝１～３）的可能几何构型，得到各稳定构型的电子结构，并计算了相应的振动频率，预测了稳定构型的振动光谱，由其稳定构 比较可在理论上预测团簇的生长规律，并可初步预测团簇的形成机理。     

硅-硫团簇(SiS2)+n(n=1-3)的结构和振动光谱的量子化学研究

用密度泛函（ＤＦＴ）方法研究了硅硫团簇（ＳiＳ２）n＋（n＝１－３）的各种可能的几 何构型和电子结构,并计算了相应的振动光谱,得到（ＳiＳ２）n＋的生长规律,由此预测了（ＳiＳ２）n＋团簇的形成机理。     

硅硫二元团簇(SiS2)-n(n=1-5)的结构和振动光谱的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法研究了硅硫团簇(SiS2)-n(n=1-5)的可能几何构型,并计算了相应的振动频率,得到稳定构型的振动光谱.比较其稳定构型可得到团簇的生长规律,由此可初步预测团簇的形成机理.     

硅-硫二元团簇[(SiS2)nS]-(n=1～4)的结构和稳定性的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法(B3LYP/6-31+G*)研究了硅硫团簇[(SiS2)nS]-(n=1～4)的可能几何构型,得到各稳定构型的电子结构,并计算了相应的振动频率,预测了稳定构型的振动光谱.由其稳定构型的比较可在理论上预测团簇的生长规律,并可初步预测团簇的形成机理.     

硅硫二元团簇（SiS2）n^—（n=1—5）的结构和振动光谱的量子 …

用密度泛函方法研究了硅硫团簇（ＳｉＳ２）＾－ｎ（ｎ＝１－５）的可能几何构型,并计算了相应的振动频率。得到稳定构型的振动光谱。比较其稳定构型可得到团簇的生长规律,由此可初步预测团簇的形成机理。     

硅-硫团(SiS_2)_n~+(n=4,5)的结构和振动光谱的量子化学研究

用密度泛函（ＤＦＴ） 方法研究了硅硫团簇（ＳｉＳ２） ｎ＋（ ｎ ＝ ４ ,５） 的各种可能几何构型和电子结构,并计算了相应的振动光谱,得到了（ＳｉＳ２）ｎ＋ 的形成规律,即（ＳｉＳ２）ｎ ＋ 以硅、硫交错形成四元环链的形式增长．     

硅硫团簇[(SiS2)nS]+(n=1～4)的结构及振动光谱的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法(B3LYP/6-31G*)研究了硅硫团簇[(SiS~2)~nS]^+(n=1～4)的可能几何构型,得到各稳定构型的电子结构,并计算了相应的振动频率,预测了稳定构型的振动光谱。由其稳定构型的比较可在理论上预测团簇的生长规律,并可初步预测团簇的形成机理。     

钴硫团簇ConSn+-1(n=2,3)的结构和稳定性

用ab initio分子轨道方法(RHF,UHF)和密度泛函(DFT)方法研究了团簇Co2S+,Co3S2+的各种可能的几何构型和电子结构,并计算了相应的较稳定构型的振动光谱,发现Co2S+和Co3S2+团簇最稳定结构均具有C,对称性.对团簇的成键作用机理进行了理论分析.     

硅硫团簇[(SiS~2)~nS]^+(n=1～4)的结构及振动光谱的 量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法(B3LYP/6-31G*)研究了硅硫团簇[(SiS~2)~nS]^+(n=1～4)的可能几何构型,得到各稳定构型的电子结构,并计算了相应的振动频率,预测了稳定构型的振动光谱。由其稳定构型的比较可在理论上预测团簇的生长规律,并可初步预测团簇的形成机理。     

SinP+m(n+m=5)结构和稳定性的理论研究

在实验的基础上 ,利用量子化学方法对 Sin P+ m( n+m=5 )的各种可能构型进行几何构型优化 ,预测各团簇的稳定结构 ,从中得出各个团簇稳定构型之间的基本关系 ,当 n>m时 ,团簇的稳定构型与 Si+ n 相似 ,而当 n相似文献   

铬-磷二元团簇(CrP+4, CrP+8)的量子化学研究

在相应的实验基础上，利用量子化学方法（DFT／B3LYP）对CrP4^ 和CrP8^ 的各种可能构型进行理论计算，预测了各团簇的稳定构型，所得结果能较好地说明有关团簇的光解实验结果。     

CO与Pdn(n=1-8)团簇的相互作用

采用密度泛函理论对CO与钯团簇的相互作用进行了系统研究. 结果表明, PdnCO(n=1-8)体系的最低能量结构是在Pdn(n=1-8)团簇最低能量结构或亚稳态结构的基础上吸附CO生长而成; CO的吸附以端位吸附为主, 其吸附没有改变Pdn团簇的结构; CO分子在Pdn团簇表面发生的是非解离性吸附. 与优化的CO键长(0.1166 nm)相比, 除了n=2, 团簇PdnCO的C—O键长为0.1167-0.1168 nm, 吸附后C—O键长变化较小, CO分子被活化程度较小. 电荷集居数分析表明, CO的吸附对Pdn团簇的影响比较小; 二阶能量差分表明, n=4,6的团簇是相对稳定的团簇.     

Theoretical study of silicon–sulfur clusters (SiS2)n− (n=1–6)

The possible geometrical structures and relative stability of silicon–sulfur clusters (SiS₂) (n=1–6) are explored by means of density functional theory (DFT) quantum chemical calculations. We also compare DFT with second‐order Møller–Plesset (MP2) and Hartree–Fock (HF) methods. The effects of polarization functions, diffuse functions, and electron correlation are included in MP2 and B3LYP quantum chemical calculations, and B3LYP is effective in larger cluster structure optimization, so we can conclude that the DFT approach is useful in establishing trends. The electronic structures and vibrational spectra of the most stable geometrical structures of (SiS₂)_n⁻ are analyzed by B3LYP. As a result, the regularity of the (SiS₂)_n⁻ cluster growing is obtained, and the calculation may predict the formation mechanism of the (SiS₂)_n⁻ cluster. © 2001 John Wiley & Sons, Inc. Int J Quant Chem 81: 280–290, 2001     

Nonorthogonal Tight-binding Study of the Geometries and Electronic Properties of Ge_n(n=2—20)Clusters

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｔｕｄｉｅｓｏｎｃｌｕｓｔｅｒｓｏｆｇｒｏｕｐⅣｅｌｅｍｅｎｔｓ（Ｃ,Ｓｉ,Ｇｅ,ＳｎａｎｄＰｂ）ｈａｖｅｒｅｃｅｉｖｅｄｍｕｃｈａｔｅｎｔｉｏｎｉｎｔｈｅｌａｓｔｄｅｃａｄｅｆｏｒｔｈｅｉｒｐｏｔｅｎｔｉａｌａｐｐｌｉｃａ...