光敏三极管光电特性

给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时，利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论，指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种，且这种工作方式的器件的灵敏     

红外光敏三极管3DUHW在PLC控制系统中的应用

介绍一种稳定可靠的高灵敏度红外光敏三极管３ＤＵＨＷ的特性，及其与新一代工业控制器──可编程序逻辑控制器（ＰＬＣ）的接口电路，并举出了实用实例。     

非外延硅单晶高灵敏度光敏三极管的研制

本文研究用非外延硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法。首先论述了两个困难:光开通现象和光电特性的非线性现象,然后查明了引起这两种现象的原因,并提出了对策,从而制得了3DU84型高灵敏度光敏三极管;其光电流在100勒克司光照下高达14毫安,在1000勒克司光照下高达60毫安。作为产品,3DU84与PN101/102相当,在100勒克司光照下,光电流最小值为1.5毫安,典型值为2～10毫安。     

硅光敏三极管光开通现象的研究

本文研究了硅npn型光敏三极管的光开通现象.证实了光开通实质是光触发引起的晶闸管导通现象.查明了其原因是在于底面集电极处形成的非欧姆接触.具体讨论了由于金在底面形成p型层而构成的npnp四层结构的实例.     

对"四论注入光敏器件的物理基础"一文的商榷

利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。     

L型硅光敏三极管

介绍了L 型硅光电三极管的设计、工作原理、实验及结果.制作出的高灵敏度、探测率大的L型硅光敏三极管,其每个光敏元的响应率最大值为1.2×105V/W,探测率最大值为4.5×105 cm*Hz1/2/W.     

注入光敏三极管输出特性再研究

详细报道了在洲入光敏三极管的研究工作中发现的几个较在意义的实验结果，它为研制出使用更为方便，特性更好的间接耦合光电三极管提供了很有价值的参考资料，也有助于机理问题的最终解决。     

三极管器件结构研究

文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣。讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议。讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著。通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局。     

怎样选用元器件讲座（六）：达林顿光电三极管

达林顿光电三极管是在普通光电三极管的基础上发展起来的光敏元件。它实质上是把光电三极管和普通双极型三极管组合在一起,构成一只具有光电效应的器件,当它受到光照时,等效光电三极管将光信号转换成电信号,此信号被双极三极管放大,其总放大倍数相当于两只三极管放大倍数的乘积。所以,灵敏度比普通光敏三极管更高,通常光电流可达十几毫安以上。但是,达林顿型光电三极管对光信号的响应速度却要慢     

关于光纤通信速率和光电子器件响应速度范围划分的建议

本文根据光纤通信容量大的特点和实际应用情况,对光纤通信的速率及应用的光电子器件响应速度范围的划分提出了建议。     

触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响

实验测试了触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响;建立了满足光导开关触发光脉冲参量的光生载流子速率方程,并模拟出光生载流子浓度随触发光脉冲、脉冲宽度的变化规律,分析了光脉冲对光电导开关响应速度的影响及引起输出电脉冲上升沿变化的原因.     

基于忆阻器结构的Ge基光控晶体管制备及其光电性能研究

设计并制备了一种基于忆阻器结构且具有可编程特性的Ge基光控晶体管,它由两个结构为Ni/Ge/GeO_x/Al₂O₃∶HfO₂/Pd的忆阻器背对背组成,共用阻变层GeO_x/Al₂O₃∶HfO₂、衬底Ge和底电极Ni,阻变层的设计是实现光控晶体管功能的关键。两个顶电极Pd作为光控晶体管源漏极,中间区域作为栅极接受外加光源的栅控。探究了Ge基忆阻器光电响应特性,并实现光控晶体管基于光源栅控的输出与转移特性。进一步地,探究了器件的物理机制并验证设计的科学性和可行性。该光控晶体管具有非易失性与标准CMOS工艺兼容性等优势,能有效简化器件制备工艺、降低制造成本,可为下一代光电芯片研发提供参考。     

Cymbal换能器结构参数与机电性能的研究

Cymbal换能器的结构参数对其机电性能起着重要的作用。用有限元法和ANSYS软件仿真计算了不同结构参数对Cymbal换能器的机械、电及机电性能的影响。研制了Cymbal换能器样品并进行了测量，仿真计算的结果和Cymbal样品的实测结果符合较好。通过这一研究得到了结构参数与Cymbal换能器的机电性能之间的关系。     

脉冲电沉积氧化镍薄膜电致变色速率的研究

本文利用脉冲电沉积的方法制备氧化镍电色材料并研究了沉积条件对其反应速度的影响。发现在较大的脉冲电源开关比及适当的反向刻蚀电压下沉积的样品具有较快的反应速度。在此条件下反应速度的改进是由于材料内部含有较小的晶粒及较多的非晶组织,因而便于着色离子在其中的运动。实验中还发现脉冲电沉积的样品与直流电沉积的样品相比,具有较好的开路稳定性。     

具有宽带调制特性的SOA的优化设计考虑

基于半导体光放大器（ＳＯＡ）的高频滤波效应，分析了半导体光放大器的偏置电流，微分增益，输入光功率和模场限制因子与半导体光放大器响应速度（载流子密度响应速度）关系，给出了具有高速响应特性的半导体光放大器各参量的优化设计方法。     

LCD 参数测试系统中的偏光响应

由于一般的液晶显示器件都使用了偏振片，对其参数的测试类似于偏光元件的测试，系统的偏光响应会影响某些参数的准确评价，通过分析液晶器件参数测试系统LCT5016，我们发现光谱仪的偏振依赖性敏感度和部分偏振的光源严重影响了某些测试结果，探讨了一系列的消除偏光响应的方法，包括测试过程和光学系统的设计，我们设计的补偿器能够在整个可见光谱范围内有效地消除偏光成分，这些方法可用于消除一般光学测试系统中的偏光响应。     

光子晶体光纤拉制参数对包层气孔结构的影响

分析了光子晶体光纤(PCF)拉丝工艺参数对光纤毛细管及最终结构的影响,结果表明,通过调节温度、送料速度和拉制速度等参数可以在一定程度上调整最终的气孔结构,但难以拉制出结构完善的PCF.为此提出了惰性气体施压法,实验表明,通过调节施压量的同时结合上述参数的调节,可有效控制光纤的结构参数,拉制出横纵向均匀性良好的PCF.     

基于分时驱动方法压电堆响应速度的研究

为提高压电驱动器响应速度,提出了一种超快速分时驱动方法。它通过考虑压电堆内部应力波传播对响应速度的影响,对各压电层进行分时驱动以提高其整体响应速度。通过COMSOL Multiphysics有限元仿真软件对所提出的模型进行了仿真分析,并通过实验结果得到了验证。相比于传统的同时驱动,分时驱动下压电驱动器的整体响应速度提高为原来的1.92倍;另外,分时驱动可以实现对各压电层产生应力的线性叠加,在不改变驱动器响应速度的前提下获得更大的输出位移。     

温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响

对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动（低温和常温温度波动）对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出电压的影响。结果表明：输出电压随着温度的上升而降低,饱和电压也随着温度的上升而降低。特别是低温与常温下的响应特性有所不同,随着入射光功率的增大,低温下随温度变化的输出电压变化量减小,常温下随温度变化的输出电压变化量增大。