关于核相的分析和核相图

本文讨论了原子核内单粒子能级与两类残余相互作用,(长程的四极—四极相互作用与短程的成对相互作用)之间的相互交织所导致的相变。类比于普通空间中对I～ω关系的分析,进行了规范空间中N～λ_n(或Z～λ_p)关系的分析。并进一步深入探讨了这两类分析各自的特点。综合从这两个侧面所获得的知识,可以达到关于核相变的更全面的理解,建立起一个核相图。于是核结构的相特征随着核子数(N或Z)及自旋的变化规律就可以通过这样的核相图而显示出它的全貌。这样的思想和分析方法近两年来引起了国际高自旋界的较大兴趣。     

当能级间隔较小时三能级核四极共振自旋系统对脉冲的响应

用虚拟自旋-1/2算符理论考察了I=1的核四极共振自旋系统在其能级间隔较小时对1-2个脉冲的响应.由于核四极相互作用表象中的射频场与核自旋的相互作用(H_rf)包含时间,因而用Dyson时序算符来计算密度算符在H_rf作用下的演化.     

四极核旋转边带的抑制

本文从自旋-1体系自旋空间的旋转特性的讨论建议了抑制四极核旋转边带的4(π/2)脉冲系列,进而给出了一种4(π/2)-4π脉冲系列,该系列可用于获得该四极核体系的化学位移各向同性固体高分辨谱。文中给出了相应的实验结果。     

Z=64子壳能隙与N=88～90区突然相变的关系

本文用一种微观相互作用玻色子模型讨论了Z=64处的能隙对核谱结构的影响以及N=88～90区的核结构相变.结果表明,除n-p相互作用之外,壳模型空间的单粒子能级分布在核结构相变中起了重要的作用.Nd～Dy十六个具体核素的计算结果支持了本文得出的结论.     

当能级间隔较小时三能级核四极共振自旋系统对脉冲的响应

用虚拟自旋—１／２算符理论考察了Ｉ＝１的核四极共振自旋系统在其能级间隔较小时对１—２个脉冲的响应．由于核四极相互作用表象中的射频场与核自旋的相互作用（Ｈｎ）包含时间．因而用Ｄｙｓｏｎ时序算符来计算密度算符在Ｈｎ作用下的演化．     

自旋为1/2的双层平方晶格阻挫模型的基态相变

基于线性自旋波理论,研究了二维各向异性双层平方晶格阻挫模型的基态性质.探讨了各向异性和自旋间交换作用对基态相图及系统可能发生相变的影响.结果显示:对于各向同性,当层间耦合相互作用J_c≥0.21或J_c≤-0.175时,Nèel态(NS)和Collinear态(CS)能共存;对于各向异性,NS和CS也可以共存.对弱的各向异性,NS更稳定;对于强的各向异性,系统将发生由NS向CS转换的一阶相变.     

固体中半整数四极核的自旋扩散

首先介绍固态中自旋扩散的一般理论，包括半经典描述和建立在投影算子理论上的密度矩阵描述. 接着以丰核环境中相互偶合的自旋-1/2系统以及自旋-3/2系统为典型列举了自旋扩散速率的计算. 最近藉助多量子魔角旋转(MQMAS)方法实现半整数四极核的多量子谱自旋扩散实验，可以测量固体粉末中半整数四极核体系四极张量相对方向. 结合作者最近的计算机模拟和实验测量结果对这一新兴方向作了重点介绍，尤其指出了射频
脉冲强度、宽度及样品旋转速度对交叉峰线型的影响.     

类铍离子磁四极M2 2s2 1S0-2s2p 3 P2(Z=10-103)禁戒跃迁

利用全相对论多组态:Dirac-Fock方法系统地计算了高离化类铍离子的磁四极M2 2s2 1S0-2s2p3P2 (Z=10-103)自旋禁戒跃迁的能级间隔、跃迁概率和振子强度,计算中考虑了重要核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据以及理论值进行了比较,结果表明:高原子序数的高电荷离子(Z≥70)磁四极M2自旋禁戒跃迁几乎可以和中性原子的光学允许跃迁相比拟,不仅在天体等离子体中,在ICF和MCF高温激光等离子体中,磁四极自旋禁戒跃迁和其他自旋禁戒跃迁(磁偶极、电四极)一样不容忽视,在双电子复合、不透明度、自由程等理论计算中应该考虑其影响.     

具有Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的XY模型的量子相干性

研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的一维横场XY自旋链的量子相变和量子相干性.采用约旦-维格纳变换严格求解了哈密顿量,并描绘了体系的关联函数和相图,相图包含反铁磁相、顺磁相和螺旋相.利用相对熵和Jensen-Shannon熵讨论了XY模型的量子相干性.研究发现,相对熵与Jensen-Shannon熵所表现的行为都可以很好地表征该模型的量子相变.非螺旋相中量子相干性不依赖DM相互作用,而在螺旋相DM相互作用对量子相干性有显著影响.此外,指出了在带有DM相互作用的这一类反射对称破缺体系中关联函数计算的常见问题.     

类碳体系基态能量的精细结构(英文)

以多电子原子精细结构哈密顿的球张量形式和不可约张量理论为基础,建立了计算多电子原子精细结构(包括自旋-轨道相互作用、自旋-其它轨道相互作用和自旋-自旋相互作用)能量的一般性解析理论形式,应用所建立的理论对类碳体系(Z=6～8)基态的精细结构能量进行了具体计算,计算结果与实验数据符合得较好.     

参数修改对铁电薄膜相变性质的影响

在关联有效场理论的框架内, 利用微分算子技术, 详细地计算了基于横场伊辛模型描述的对称铁电薄膜系统的相变性质. 根据薄膜各层自旋平均值构成的一系列耦合方程, 推导出可以用来计算任意层的具有不同表面层的薄膜相图的解析通式方程, 讨论了参数修改对薄膜相互作用参数从FPD (铁电相占主导地位的相图)到PPD (顺电相占主导地位的相图)过渡值和参数空间中各相变区域的影响. 在与平均场近似进行比较的结果显示, 关联有效场理论所得到的铁电薄膜的铁电性在某种程度上比平均场近似下的结果减弱. 关键词： 铁电薄膜 横场伊辛模型 相图 居里温度     

Rn-Th偶偶核的八级形变研究

用推转壳模型在多维形变空间系统研究了Rn-Th偶偶核的基态性质及高自旋情形下的性质, 其中选取的形变自由度为β₂, β₃, β₄和β₅. 计算结果很好的再现了实验提取的转动惯量值. 势能面的研究表明, 随中子数的增加, 基态形状由近球形(N≈130)逐渐演变为八极形变(N≈136)后又发展成为稳定的四极形变(N≥140). 推转计算表明Rn-Th偶偶核的八极形变非常软, 在推转到高自旋情形下, 逐渐变为反射对称形变.     

14N核四极共振自旋系统自旋-晶格弛豫时间的测量

¹⁴N核四极共振自旋系统的自旋-晶格弛豫是一种双指数弛豫。本文介绍了¹⁴N核四极共振自旋系统的自旋-晶格弛豫时间的3种测量方法,利用可变多面体方法对实验数据进行拟合,获得了¹⁴N核四极共振自旋系统的自旋-晶格弛豫时间T_1s和T₁₁,对有关文献中关于核四极共振弛豫时间的测量的3个观点提出了质疑。     

￣（14）N核四极共振自旋系统自旋－晶格弛豫时间的测量

￣１４Ｎ核四极共振自旋系统的自旋－晶格弛豫是一种双指数弛豫。本文介绍了￣１４Ｎ核四极共振自旋系统的自旋－晶格弛豫时间的３种测量方法，利用可变多面体方法对实验数据进行拟合，获得了￣１４Ｎ核四极共振自旋系统的自旋－晶格弛豫时间Ｔ＿１ｓ和Ｔ＿１１，对有关文献中关于核四极共振弛豫时间的测量的３个观点提出了质疑。     

氢键铁电体相变的格林函数理论(Ⅰ)

本文总结了近几年来用格林函数方法研究氢键铁电体相变所取得的一些进展。首先讨论了在计入四体相互作用的赝自旋系统中,用玻色型格林函数求相关函数时,需用待定常数方法才能得到正确的结果。其次提出了根据序参数与温度之间的关系式,如何通过极值条件确定系统相变性质的方法。第三得到了赝自旋系统临界相变所满足的关系式和相图,以及系统一级铁电相变的产生是四体相互作用贡献的结果。     

外来核

原子核是由两种核子,带电的质子和不带电的中子组成的。有两种力作用在原子核上:核子间的吸引核力和质子之间的静电排斥力。核内的质子数被称为原子序数(Z)。这个数也确定了核外的电子数和原子的化学性质,元素由原子序数不同而区分。中子数由N 表示,质量数A 为核内粒子数Z+N 的总和。在核素图中(图1)可以看到,在轻的稳定核中质子和中子是以一对一的比例相混合的。     

中能区类弹碎片中质比的靶核相关性

基于实验测量并结合模型分析,讨论了中能区重离子周边碰撞过程中出射的类弹碎片(PLF)的中质比(N/Z)与靶核N/Z相关现象的产生原因.     

角动量对基于裂变截面探测核耗散的影响（英文）

核耗散降低了裂变截面值(σdrop f)。基于Langevin模型,研究了角动量对σdrop f作为鞍点前摩擦强度β函数的影响。发现在低自旋,摩擦对σdrop1f的影响显著增强。通过考察系统95Bi,201Bi和207Bi的σdrop f随β的演化,发现摩擦效应随着Bi核中质比(N/Z)的增加而变大。这些结果建议,为了更好地在实验上用裂变截面探测β,应产生那些具有低自旋、高N/Z的热核系统。     

Gammasphere上裂变丰中子核核结构若干前沿领域的新进展(Ⅱ:第三和第四部分)(英文)

使用Gammasphere多探测器系统对252Cf裂变源瞬发γ射线进行γ-γ-γ和γ-γ(θ)符合测量,A～100(Z～40,N56)丰中子核区关于形状过渡、形状共存和形状突变的深入研究获得了新的进展。奇-Z核的系统研究揭示了从Z=39(Y)同位素的轴对称大四极形变到Z=43(Tc),44(Ru)和45(Rh)同位素中具有中等四极形变之大三轴形变的过渡。Nb(Z=41)同位素具有过渡核的特征。根据邻近同位素和同中素带交叉信息的系统性及推转壳模型(CSM)计算,Tc和Rh偶-N同位素中观察到的带交叉产生于一对h11/2中子的转动顺排。首次观察到100Nb(Z=41,N=59)的高自旋能级纲图和形变态,从而证实了100Nb中的形状共存,并确认,在Nb同位素链上,基态形状突变发生于N=58(球形)到N=59(大形变);而在Sr(Z=38),Y(Z=39)和Zr(Z=40)各同位素链上,基态形状突变均发生于N=59(球形)到N=60(大形变)。100Nb具有大形变基态,同现有理论预言相矛盾,其大形变的基态及转动带所具有的很大的和不规则的转动惯量具有重要的理论意义。对奇-质子Cs(Z=55)和La(Z=57)丰中子同位素八极激发的详细研究,发现了141,143,144Cs同位素链上电二极矩D0随中子数增加而减小的急剧变化,此前在145,147La中观察到的电二极矩D0的较缓和的减小似乎亦很陡地下延至148La。在Cs和La同位素中观察到的电二极矩D0的急剧下降很可能同偶-质子核146Ba和224Ra中观察到的电二极矩D0的急剧下降相类似,后者已获反射非对称平均场壳修正理论的成功解释。实验证明,141Cs具有很大电二极矩D0。141Cs和142Xe中观测到的很大的电二极矩D0和仅在141Cs中观察到的电二极矩D0的simplex量子数相关性需要进一步的理论研究。根据转动频率比值ω-(I)/ω+(I)的检定,同Xe同位素一样,认定Cs同位素中包括号143Cs的八极激发为八极振动,而在La同位素中存在八极形变。     

A≈180质量区偶偶核形状相变研究

采用E-GOS方法对质子数在Z=72-78区的偶偶原子核170-184 Hf,170-184W,170-192Os和176-192Pt的集体运动模式和形状相变进行了研究.结果表明,170-184 Hf和170-184 W同位素核的低自旋态趋于SU(3)极限,176-192Pt和170-174Os同位素核是O(6)→U(5)的过渡核,并且基本上都存在角动量驱动的形状相变.