分子束反应动力学

本文评述分子束反应动力学的进展。首先评述碰撞前反应物的态选择技术,碰撞后反应物的态分析技术,和反应动力学的理论方法和现状;然后评述原子-分子反应动力学和分子-分子反应动力学的进展;最后指出反应动力学的发展趋势和应用前景。     

超声分子束激光光谱学

本文评述超声分子束激光光谱学的进展。首先叙述超声分子束激光光谱学的特点及其实验技术;然后阐述超声分子束激光光谱技术的稳定分子光谱学、范德瓦耳斯分子光谱学、自由基光谱学和光碎片光谱学;最后指出超声分子束激光光谱学的发展趋势及应用前景。     

交叉分子束研究氯原子与硅烷的反应动力学

利用通用型交叉分子束研究了氯原子与硅烷的反应,观测到SiH₃Cl+H通道. 测量到产物SiH₃Cl在实验坐标下的角度分辨的飞行时间谱,获得了这个通道质心坐标下的产物角分布和动能分布. 结果表明,相对于氯原子束方向,产物SiH₃Cl主要是后向散射,说明这个通道主要是通过典型的双分子亲核取代反应(S_N2)机理进行的.     

交叉分子束研究氟原子与1,2-丁二烯反应动力学

利用通用型交叉分子束研究了氟原子与1,2-丁二烯的反应,观测到了C₄H₅F+H反应通道. 测量产物C₄H₅FF在实验坐标下的角度分辨的飞行时间谱,获得了这个通道质心坐标下的产物角分布和动能分布. 实验结果表明,相对于氟原子束方向,产物C₄H₅FF主要是后向散射,同时也有大量的前向散射. 这表明反应通道主要通过长寿命的络合物形成机理进行的,同时也伴有直接的双分子亲核取代反应(SN2)机理.     

分子束外延动力学参数的测定

讨论了分子束外延的动力学生长模型。并以高能电子衍射的表面鉴定方法,为这一模型提供了证据.以GaAs为例研究了分子束外延的生长速率。并以四极质谱的测定,验证了该速率与Ga通量的关系。从理论与实验两个方面,研究了生长具有特定X值的Ga_(1-x)Al_xAs材料时,适宜的Ga和Al的分压比。并给出了掺杂元素Si,Sn,Be的掺杂浓度与相应元素泻流盒温度的关系.     

分子束反应动态学及分子传能研究

本文扼要介绍了中国科学院大连化学物理研究所分子束反应动态学及分子传能课题组自１９７９年以来研究工作概况，井对 Ｂａ ＋ Ｃｌ２反应产生 ＢａＣｌ２＊的机理、Ｂａ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｓｎ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｃ＿２ｄ＿３态在 Ｎａ＋ ＣＣｌ４反应中生成机制和能量传递过程及碱土金属原子与卤代烷反应中反应产物的能量配置规律作了简要的说明．     

高T_c氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述

高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术,也跟其它镀膜技术一样,在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作,对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍,并对该领域未来的发展作一些展望     

CCN与醇类分子的反应动力学

用266 nm的激光光解CCl3CN分子产生CCN自由基，并在室温(298 K)和腔体总压为1.33 kPa的条件下，利用激光诱导荧光技术研究了CCN( eX2|)自由基与一系列醇类分子CnH2n+1OH(n=1?6)的反应动力学，通过实时监测反应体系中CCN( eX2|)浓度随反应时间的变化，测量了这些反应的总包速率常数．这些数据均是首次报道．结果显示，CCN( eX2|)自由基与醇类分子的反应速率常数随着醇分子中C原子数的增加而增大，而且均大于CCN( eX2|)与相应C原子数的烷烃分子的反应速率常数．基于键解离能相关和线性自由能相关地讨论，CCN( eX2|)自由基与醇类分子的反应应是一个抽氢反应；受醇分子中OH基团的诱导效应的影响，醇分子C-H键上的H具有较大的活性，因而CCN( eX2|)自由基抽提C-H键上的H是主要的反应通道. 同时还利用碰撞络合物模型和成轨理论来讨论了长程吸引势对反应的指前因子的影响     

分子束外延

分子束外延(MBE)一词原来是用来称呼某些化合物特别是砷化镓(GaAs)的外延薄层的真空淀积(外延层晶体的取向和它在上面波尔的衬底的取向匹配).然而,现在MBE包括半导体、绝缘体或金属薄膜在超高真空(UHV)中的淀积.它促成了一种重要的器件制造工艺,并且已变成一种为基础研究制备表面和界面的重要技术。 MBE的主要优点是:(1)过程发生在十分清洁的真空情况下,把表面和界面的玷污缩至最小的程度.(2)生长速率非常低,并且衬底温度较低,允许界面呈突变形式,相互扩散可减至最低程度.(3)MBE过程是和广泛的现代表面分析技术相适应的,这些技术能在…     

分子束外延

分子束外延是七十年代初在真空蒸发外延的基础上发展起来的一种新的外延技术．它是把要蒸发的外延物质,放在喷射炉中,在１０－１０托以上超高真空的喷射室内加热,使物质蒸发．蒸气分子从喷射炉的小孔射出,成为分子束,直接在保持有一定温度的衬底上淀积（见图１）．从分子一个一个地粘附在衬底表面形成外延淀积这一点来看,分子束外延与真空蒸发外延本质上相同．但普通真空蒸发系统的真空度为１０－６托左右,系统内残留的?...     

分子束外延

1.前言 “分子束外延”是最近才出现的一种新技术。是由贝尔实验室发明的一种在高真空中外延生长半导体晶体的新方法(主要是Ⅲ一Ⅴ族的GaAs,GaP)。最初见于J.R.Arthur等人1969年发表的“用分子束淀积法外延生长GaAs,GaP,GaAs_xP_(1-x)薄膜的论文。它是在高真空中,使组成化合物的两至三种元素的“分子束”喷射到衬底晶体上,生长出该化合物半导体单晶薄膜。 分子束外延法与气相、液相外延方法不同,它是在高真空中即最纯条件下生长晶体。因而是研究晶体生长机理,确定晶体生     

分子束外延

对于新器件的需要推动了半导体材料的研究。这种器件能够改进系统的性能。新的材料工艺能产生新器件和新技术。分子速外延(M.B.E)是一种比较新的薄膜生长技术,它是从阿瑟早先对热原子和分子束与固体表面相瓦作用的质镜研究发展起来的。高质量半导体薄膜是在超高真空系统中要求的原子和分子束投射到热的晶体衬底上生长的。这     

束箔光谱学研究

束箔光谱学作为研究原子和离子的一种新兴的实验技术自六十年代发展起来后已取得不少成就。本文首先简要地叙述束箔光谱实验的一般实验装置及原理,然后着重介绍束箔光谱的特点以及束箔相互作用引起原子和原子核极化的研究。最后进行一些束箔相互作用机制的讨论。     

束源转动的交叉分子束装置及其在分子簇动力学研究中的应用

本文报道的束源转动的交叉分子装置有两个互相垂直交叉交可同步绕一固定轴转动的脉冲束源，激光束可沿上述轴线方向与两束交叉。控制器是一四极质谱，它与散射中心的距离可以调节，探测方向固定不变与两个分子在同一平面内并指向散射中心，质谱产生的离子信号用高灵敏度的Ｄａｌｙ系统接收。该设备将用于研究分子簇的形成和裂解，分子或分子簇的光解和两分子束的交叉散射过程。用这台设备我们测量子在ＣＯ２和ＮＨ３超声束中形成的各     

氟分子与乙烯反应的直接动力学模拟

氟分子与乙烯可以发生三类反应，即氟原子排除反应、氟化氢分子排除反应和加合反应，但除了基机制以外，已有的其它机理都不能合理的解释低温下的反应是如何开始的．通过对氟分子与乙烯反应的直接动力学模拟，以密度泛函方法研究了长期困扰的氟分子与乙烯反应的机理．通过计算支持了基机制，轨线模拟细致地描述了三个反应通道．根据此机制对低温池中的反应给出了解释．     

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15?/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。 关键词：     

超声分子束激光光谱学

本文评述超声分子束激光光谱学的进展。首先叙述超声分子束激光光谱学的特点及其实验技术;然后阐述超声分子束激光光谱技术的稳定分子光谱学、范德瓦耳斯分子光谱学、自由基光谱学和光碎片光谱学;最后指出超声分子束激光光谱学的发展趋势及应用前景。     

分子束外延的新进展

一、引言用分子束生长单晶薄膜是１９５８年Ｇüｎｔｈｅｒ提出来的想法．１９６８年Ｄａｖｅｙ和Ｐａｎｋｅｙ利用Ｇüｎｔｈｅｒ提出的方法第一次在ＧａＡｓ和Ｃｅ单晶上外延生长了薄膜,同年Ａｒｔｈｕｒ也长出了ＣａＡｓ薄膜,并初步研究了生长机理,以后又经过卓以和、江崎和张立纲等人的努力,特别是卓以和与他的贝尔实验室同事们在微波器件和光电器件方面卓有成效的工作,才使得分子束外延技术显示出它的生命力,达到今?...     

托卡马克超声分子束加料

中国环流器新一号（托卡马克）装置采用新的等离子体加料方法———超声分子束注入．由于粒子注入深化,形成电子密度的峰化和密度极限提高．欧姆加热等离子体的能量约束时间的线性范围增长到ｎｅ＝４×１０１９ｍ－３．实验结果表明,超声分子束注入是一种高效和有利改善约束的气体加料方法．     

分子束技术及其应用

介绍了分子束源,对超音速分子束的物理性能进行了描述,在此基础上介绍了分子不技术在气－固界面散动力学、分子反应动力学和分子束与激光相互作用等方面的应用现状及前景。