中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜

使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si（111）、玻璃以及高速钢基底上沉积A1N薄膜，利用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质，结果表明，生成的（002）取向多晶A1N薄膜在可见光区域平均透过率超过75％，在紫外区域也具有较高的透过经，在低频交流区域具有良好的绝缘性。     

β-FeSi2薄膜的结构与光电特性

用磁控溅射法沉积了Fe／Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe／Si多层膜在880℃温度下热退火后，制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现p（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明，Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0．88eV。由Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应，这种效应在真空退火样品中更为显著，在40W光源照射下，光电导效应大于30％。     

Zn1—xCdxS三元纳米线的制备及生长机理

本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物,采用化学气相沉积（CVD）法在1100℃条件下,以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成TZn1-xCdxs三元纳米线．扫描电镜（SEM）测试表明合成的Zn1—xCdxS晶体具有线状的微观形貌;X射线衍射（XRD）图谱显示产物是六方铅锌矿Zn0．2Cdo．8S;X射线能量色散谱（EDX）给出了Zn和Cd和S的比例为0．1：0．7：1．产物Zn1-xCdxS纳米线的生长机理为气-液-固（VLS）机制,物相形成机制为替位式化合机制,即Zn离子取代CdS中Cd离子化合成三元物相．     

真空热蒸发法制备CdS纳米带及其光学性质

在常规真空镀膜仪中,我们首创了一种利用真空热蒸发原理在催化剂Bi的辅助下制备一维CdS纳米带的方法.X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDX)实验证明所得纳米带为纯的六方纤锌矿型CdS结构.扫描电子显微镜(SEM)观察到CdS纳米带在较大范围内具有非常均匀的带宽.光致发光谱发现CdS纳米带有两个发光带.经分析推测CdS纳米带的生长机理为:生长前期为气-液-固(VLS)机制占主导地位,而气-固(VS)机制在纳米带的形成过程和生长的后期起决定作用.     

化学氧化法制备TiO2基纳米线薄膜的研究

在NaOH溶液中,以H2O2为氧化剂原位化学氧化金属钛片,再通过H+交换、焙烧制得了TiO2基纳米线薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)考察了碱浓度对薄膜形貌的影响,用X射线光电子能谱(XPS)分析了纳米线薄膜的化学组成以及通过光电流测试研究了H+交换、焙烧处理对薄膜的光电化学性质的影响.研究结果表明,纳米线薄膜可以在很低的NaOH浓度下形成,浓度的改变对纳米线的形貌及直径有较大的影响;除几个纳米厚度的表面层为TiO2外,薄膜其实由3种不同价态的钛氧化物构成.光电流测试结果表明这种混合价态的钛氧化物纳米线薄膜的光催化性能明显要比前驱体钛酸钠或钛酸要高.     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜

太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量的分散剂丙三醇，调节沉淀团簇的大小，改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪测试和高性能光学显微镜观察。研究结果表明：在优化配方（ZnSO40．0075mol／L；SC（NH2）20．0075mol／L；氨水0．44mol／L；水合肼0．3mol／L）下，反应温度75℃和沉积时间60min时，得到的缓冲层光亮、平整。XRD衍射分析结果表明缓冲层主要成分为ZnS，存在少量Zn（OH）2。     

射频溅射法制备掺铂TiO2薄膜的基本性质

用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜．用X射线衍射仪(XRD)，紫外-可见(UV—vis)光谱仪，电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征．研究结果表明：掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长；TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移，其光谱响应范围得到了提高；铂氧化物的分解，促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物，同时导致单质铂在薄膜表面发生富集．     

基于CdS光电活性材料的无标记凝血酶生物传感器的制备及其性能

基于凝血酶(thrombin,TB)对纤维蛋白原(fibrinogen,FIB)分子中特异性位点的剪切作用,采用光寻址电化学策略,构建了基于CdS光电活性材料的无标记凝血酶生物传感器,实现对凝血酶无标记、简便、快速的检测.通过扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度法(UV-Vis)、X 射线衍射(XRD)及X射线...     

射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜，并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性．运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析．结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响；薄膜晶粒粒径小于150nm，且粒径随退火温度的升高而增大．采用Debye—Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径，分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因．经700℃的温度退火后，掺原子比Pd为2％和Sb为2％的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度．     

S离子注入形成的缺陷对CdS纳米带的影响

为了探究缺陷对CdS纳米带性能产生的影响,本文通过简单、易行的化学气相沉积法(CVD)在硅基底上制备了CdS纳米带,将不同剂量的S离子注入到CdS纳米带中,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)等分析样品的晶体结构,进一步通过光电性能的测试,研究S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带性能产生的影响.结果表明,S离子注入引入的缺陷使CdS纳米带晶体质量发生变化,导致S离子注入后CdS纳米带的激子发光峰减弱,缺陷发光峰增强,并且它们之间的强度比随着注入剂量的改变可以进行调节.最后,通过对单根CdS纳米带场效应晶体管的转移特性曲线进行分析,证明了S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带电学性能有较大影响,并进一步分析讨论了其对电学性能影响的机理.     

Au-LiNbO_3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析．观测到 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合频粒膜在５９３ ｎｍ 波段存在强等离子体共振吸收     

负载型La—Sr—Mn—O催化剂二甲苯氧化的催化活性

利用浸渍法制备了Ｌａ－Ｓｒ－Ｍｎ－Ｏ系负载型燃烧催化剂，ＸＲＤ相分析结果得到多在孔陶瓷载体表面形成了钙钛矿型氧化物Ｌａ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３，负载型和非负载型纯钙钛矿相催化剂二甲苯完全氧化活性数据表明，Ｌａ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３复合氧化物负载子多孔陶瓷上，不仅改善了催化剂的机械强度，共燃烧活性也得到显著提高。     

魔芋葡甘聚糖磷酸盐酯化反应的研究（Ⅱ）

研究了魔芋葡甘聚糖（ＫＧ）与三聚磷酸钠，磷酸二氢钠和磷酸氢二钠分别在干法和固液悬浮法条件下的酯化反应，对酯化反应温度、时间、ｐＨ和磷酸盐用量，以及环境的温度和ｐＨ等对酯化产物（ＫＧＭＰ）水溶胶粘度的影响进行考察，用红外光谱、Ｘ射线衍射和扫描电镜分析了ＫＧＭＰ的结构，阐明了其结构和功能间的关系．     

表面引发原子转移自由基聚合制备梳型共聚物刷

对聚偏氟乙烯表面进行化学处理使其表面羟基化,然后与2-溴异丁酰溴反应引入表面引发剂。表面引发三甲基硅保护的甲基丙烯酸羟乙酯（HEMA—TMS）原子转移自由基聚合,在聚偏氟乙烯表面获得聚甲基丙烯酸羟乙酯（PHEMA）聚合物刷。动力学研究揭示PHEMA的接枝浓度随反应时间呈线性关系,表明表面链增长是可控或活性过程。2-溴异丁酰溴与三甲基硅氧基反应,在PHEMA聚合物刷侧链引入2-溴代酯组分。紧接着,表面引发甲基丙烯酸聚乙二醇酯（PEGMA）原子转移自由基聚合制备梳型聚合物刷。使用衰减全反射傅立叶红外光谱和X-射线光电子能谱表征修饰后PVDF表面,通过接枝梳型聚合物刷,聚偏氟乙烯薄膜表面由憎水变成高度亲水。     

硒化共溅射Cu—In合金法制备CuInSe2多晶薄膜

用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS）多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌春电学性质,分析结果,Cu-In合金膜仅有单峰,晶面间距约2．13A,CIS薄膜的几个主峰与PDF卡中的数据对应得好,并且（112）峰有择优取向,CIS样品的电学参数随着Cu/In比例和基片种类的不同而变化,而电阻从几个到几十个Ω／□,面载流子浓度达10^18/cm^2数量级,迁移率在0．1－3．0cm^2/V.s之间,并讨论了Cu/In比例对两种薄膜性质的影响,分析结果显示,In占总溅射面积的3％是Cu/In比例的转折点,此时,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化,而且用扫描电镜形貌分析也证明了这一点。     

共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能

采用共溅射法在ITo/玻璃基片上沉积CdTe掺Nd薄膜，并利用XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能，结果表明，适当Nd掺入可以改善CdTe薄膜结晶特征和电导性能。     

蛛丝和蚕丝的 SEM和 EDX 研究

应用扫描电镜观察蛛丝和蚕丝 10个样丝形态 ,并测量了这几种天然纤维的直径. 结合 X 射线光电子 能谱分析,对样丝的化学无素(氯、钾、钙、铁、硅、铬)及其含量(原子个数百分比)作了分析比较.     

LAPLACE变换法确定X光机轫致辐射谱

用双透射电离室法测量了Ｘ光机在管电压分别为２５、３０、３５、５０ｋＶ时产生的Ｘ射线在铝中的衰减特性,采用了一种ＬＡＰＬＡＣＥ变换模型,由衰减曲线计算出了相应能量的Ｘ射线能谱．讨论了影响能谱计算结果的主要误差来源     

聚苯胺对2Cr13不锈钢无氧钝化的机理探讨

将掺杂态聚苯胺（PANI）制备成单独的PANI膜电极,研究了该电极在敞开、除氧条件下,在酸性介质中的性质及其与2Cr13不锈钢的电化学偶合行为．结果发现无论是在有氧还是除氧条件下,PANI膜与2Cr13不锈钢以面积比1：1偶合时,PANI均能使2Cr13不锈钢稳定钝化．根据电化学实验及光电子能潜（XPS）表征结果,提出了掺杂态PANI对2Cr13不锈钢的防腐蚀作用来自伽伐尼阳极保护作用,PANI膜在酸性溶液中通过交替电化学脱杂与掺杂为金属钝化提供了必须的阳极电流．