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近年来,Muller,Unoki[1-4] 等人用火焰法生长的SrTiO3晶体作为样品,利用它含有微量的Fe3 顺磁杂质的特点,可以观察到Fe3 的顺磁谱线,并通过测量Fe3 的电子顺磁共振谱随温度的变化,对SrTiO3晶体的相变过程进行了详细的研究,第一次指出了SrTiO3单晶在110K处的相变是刚性氧八面体绕立方轴旋转了一个角度.Muller等人还从电子顺磁共振谱的谱形在相变过程中的变化,研究了SrTiO3的临界动力学,并估算了SrTiO3中的中心峰的宽度[5].我们采用助熔提拉法生长的SrTiO3单晶作为样品,在室温和液氮温度下进行了电子顺磁共振谱的测量.结果没有发现… 相似文献
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采用强场耦合图像,建立了3d2电子组态在三角对称中的45×45能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵的方法,计算出了ZnO:V3 晶体的45条光谱能级和5个电子顺磁共振谱参量(零场分裂D,g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥),计算结果与实验数值能很好地符合.计算中还发现V3 杂质中心的局部结构与基质晶体的结构不一致,即V3 在ZnO中并不占据准确的Zn2 位置,而是沿c3轴方向位移一段距离△Z≈0.003 nm.作者对上述这些结果的合理性进行了讨论. 相似文献
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基于完全对角化方法,研究了4B1(3d3)态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02, g∥, g⊥, Δg)的微观起源.结果表明:在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用的贡献最为重要;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他机理(包括SS(spin-orbit),SOO(spin-other-orbit),SO-SS-SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20%;在部分晶场区域,其他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane 零场分裂参量b02近似三阶微扰理论的收敛性,结果表明:该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3态离子第一激发态2Eg分裂的微观起源.并利用群论方法解释了在C4v和C3v对称晶场中2Eg态分裂的不同机理. 相似文献
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Ni2+:RbMgF3的电子顺磁共振谱的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
许长谭 《光谱学与光谱分析》2004,24(12):1594-1596
含有过渡金属离子的晶体的光学吸收谱、零场分裂D值和g因子与晶体结构有密切关系,应用Ni^2 的参量化d轨道和三角晶场中d^8电子组态的强场能量矩阵,通过建立完全对角化方法,精确地计算了具有C3ν和D3d两种对称的Ni^2 :RbMgF3的电子顺磁共振谱,分析了Ni^2 :RbMgF3的零场分裂D值和g因子与晶体结构参量R和θ的依赖关系。理论值与实验值符合得很好。 相似文献
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MaHeHKOB与(以下简写为M-φ)曾经详细地测量红宝石(a-Al_2O_3:Cr~(3+))中铬离子浓度对于顺磁共振线的影响。实验结果表明,线宽应当是由磁偶极相互作用决定的,但是在M-φ工作中按一般的磁偶极增宽的公式计算出的宽度值比实验值大好几倍。此外,M—φ工作中还发现强度峰值随浓度变化关系中有极大值出现。在以前的工作中未能对这些现象给以合理的解释。本文将根据新的事实说明上述现象。 相似文献
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在绝缘的基质晶格中,使用稀土离子作为发光剂活晶,常常需要大于晶格吸收限的能量进行激发时。激发时,有效的状态密度表明这能量主要是由基质晶格原子吸收的。在这种情况下,在稀土离子产生特征发光以前,一定存在着晶格与激活剂之间的能量传递过程。尽管,在阴极射线管的荧光屏和射线照相象增强屏中,稀土激活的材料是一类重要的荧光体, 相似文献
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本文对α-Al_2O_3单晶体中Fe~(3+)离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe~(3+)离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe~(3+)离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe~(3+)离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g=2.001,g=2.003,D=1679×10~(-4)cm~(-1),|α|=237×10~(-4)cm~(-1),α—F=317×10~(-4)cm~(-1);(2)g=2.001,g=2.006,D=1660×10~(-4)cm~(-1),|α|=243×10~(-4)cm~(-1),α—F=338×10~(-4)cm~(-1)。 相似文献
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采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 相似文献
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本文首次报道了Y3Ga,O23:Cr3+晶体的色散,根据Sellmeier公式拟合了该晶体的色散曲线.折射率的计算值与实验值符合很好. 相似文献