表面粘连效应对接触式微开关接触电阻的影响

建立了一个微开关接触电阻模型.模型将粗糙的触头表面理想化为多微丘结构,并考虑了表面粘连效应,给出了接触电阻与接触力之间的变化关系.结果显示,在低接触力下,粘连效应十分重要.粘连模型与Majumder等人所建立的模型以及实验值的比较结果表明,粘连效应可以用来解释弹性模型与实验之间的偏差.     

直流表面接触电阻测试技术

针对金属材料直流表面接触电阻的特点,研制成功一套平板型金属材料直流表面接触电阻测试装置,实现了金属试样表面接触电阻的自动测量和数据处理.所研制测试系统的接触电阻测试动态范围为0.01mΩ～20Ω,测试结果对电磁兼容性结构设计工作具有重要的指导意义.     

新型接触电阻检测仪的应用

互连器件接触电阻检测,一直是系统连接后判别每个接点接触是否可靠良好,必须解决的实际问题。随着高密度、小型化的互连器件在电子电气设备上的广泛应用,如何解决互连器件接触电阻的在线自动检测,己成为确保互连器件质量和可靠性的关键。文中在详细阐述接触电阻检测原理的基础上,介绍了新研制的TDO-MCR-07A多接点接触电阻检测仪特点、检测方法和主要技术参数,以及连接电脑和工装组成自动检测系统后,成功用于保险丝盒接触电阻自动检测的实例。     

毛刷电接触对的接触电阻研究

基于R.holm电接触理论建立了毛刷电接触对的接触电阻模型。采用有限元仿真确定了毛刷电接触对在插拔过程中只有弹性变形,并得到了接触电阻模型中的M值为1/2,进行了毛刷电接触对不同插拔深度上的接触电阻试验,通过试验数据拟合确定了毛刷电接触接触电阻模型中的K值为248。进行了毛刷、麻花针、线簧孔接触对在不同插拔深度的接触电阻对比试验,得到了毛刷电接触插拔深度的最优范围为2~2.2 mm,进行了毛刷电接触在2~2.2mm插拔深度时接触电阻寿命试验,基于接触电阻寿命曲线提出了预插拔工艺以提高接触电阻及插拔力的稳定性。毛刷电接触接触电阻研究为毛刷电接触的扩展设计、制造提供了参考。     

接触电阻对聚合物PTC元件性能的影响

经过粗化或形变的电极能有效改善和导电聚合物的附着力，降低接触电阻，使ＰＴＣ元件的电性能更加稳定．在电极上用化学沉积镍层，减少了和复合材料的相互作用，增强和复合材料的黏结力，提高了ＰＴＣ元件的电重复性。     

减小薄膜精密低阻网络接触电阻的体会

<正> 近几年来,随着我国电子技术的发展,电阻网络已成为增长最为迅速的电子元件之一,电阻网络的品种和规格也在不断增加。电阻网络的精度、稳定性,以及分布参数的大小,在某种程度上决定了A/D、D/A转换器的精度与速度,因此,如何保证网络电阻的精度和减少寄生参数的影响,提高其响     

Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。     

退火对Ni/3C-SiC欧姆接触的影响

采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0～ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。     

接触效应对小型半导体温差发电器性能的影响

针对小型半导体温差(TEG)发电器中接触热阻和接触电阻的影响进行了分析研究.结果表明,接触热阻和接触电阻只在2mm以内的电偶臂长度内有明显影响;在电偶臂长度小于1mm时,输出功率和热电效率均有一个急剧上升的变化阶段;当长度超过5mm后,输出功率和热电效率均趋于定值;在冷热端温度分别为283和383K,Z=0.0024K-1、电偶臂长为2mm、接触热阻比0.2和接触电阻比0.1条件下,热电功率约为4mW/mm2,热电效率约为3.5%,而理想无接触热阻和电阻的热电效率约为4.2%.由此可知,半导体温差发电器中接触热阻和接触电阻的影响不可忽视.     

接触效应对小型半导体温差发电器性能的影响

针对小型半导体温差(TEG)发电器中接触热阻和接触电阻的影响进行了分析研究.结果表明,接触热阻和接触电阻只在2mm以内的电偶臂长度内有明显影响;在电偶臂长度小于1mm时,输出功率和热电效率均有一个急剧上升的变化阶段;当长度超过5mm后,输出功率和热电效率均趋于定值;在冷热端温度分别为283和383K,Z=0.0024K-1、电偶臂长为2mm、接触热阻比0.2和接触电阻比0.1条件下,热电功率约为4mW/mm2,热电效率约为3.5%,而理想无接触热阻和电阻的热电效率约为4.2%.由此可知,半导体温差发电器中接触热阻和接触电阻的影响不可忽视.     

制程停留时间对液晶显示器件影像残留的影响

引入加权分数的方法评价TFT-LCD的影像残留水平。将液晶盒前段成盒制程从配向膜印刷开始至框胶固化结束所经历的时间分为5部分。利用皮尔森相关系数及趋势图分别分析这5段时间与产品影像残留水平的相关性。分析结果显示,从摩擦配向后的水清洗结束到组立前的这段时间(Q3)与产品的影像残留有强相关性。进一步细化Q3后得出水清洗制程后不宜停留的结论,对实际生产具有指导性的作用。     

网络法测量光电导欧姆接触电阻的技术与分析

给出了高电阻率光电导体在受力情况下欧姆接触咀阻的测量技术。分别不用 Si(ρ≈3×10~4Ω·cm)及 Cr:GaAs(ρ≈10~8Ω·cm)晶体测量其铟(In)欧姆接触电阻值,并对该方法测量精度进行了分析。     

Simulations Based Design for a Large Displacement Electrostatically Actuated Microrelay

An electrostatically actuated microrelay with large displacement, small actuation voltage and limited plate surface dimensions is designed to meet stringent telecommunication switching requirements. Fabrication feasibility and performance characteristics of the device are evaluated using a commercial CAD for MEMS tool. Simulation results of the device performance including pull-in voltages for different suspension stiffness variations, natural frequencies, stresses and restoring forces are presented.     

TFT-LCD面影像残留改善研究

影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案。通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、ΔVp等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品。对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响;同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案。     

色阻对残像影响的研究

本文通过色阻是否有离子析出,进而产生残像的验证,得出了色阻有离子的析出,从而对残像造成影响的结论。通过引入电压保持率VHR评价色阻材料,验证不同VHR色阻残像的表现,得出了电压保持率VHR越高,产品残像表现越好的结论。为实际生产应用色阻材料的选用提供了参考。