组态互作用法在分子带系振子强度计算中的应用

选择所有单、双电子激发组态及部分三电子激发组态,用CI法计算了N_2第四正带系的振子强度、其值为0.04673,与实验值吻合。     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程. 本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响. 研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程. 使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

玻恩近似下电子与离子碰撞的多组态计算

研究电子与离子碰撞激发过程,在波恩近似下,用多组态平面波与多组态库仑波方法计算振子强度与碰撞强度,并且编制了相应程序MCPBA(九)和MCCBX(九)。以四个组态、27个能级的类Ne-锗为例,从基态开始激发。用MCPBA(九)计算了13个包含直接碰撞的过程。用MCCBX(九)给出了全部26个交换效应的碰撞强度。考虑了不同离子波函数对碰撞强度的影响。还与国外扭曲波计算数据进行了比较。结果表明,对某些激发过程必须进行多组态计算,改进离子波函数的计算甚至比改进碰撞电子波函数更为重要。     

碰撞辐射稳态等离子体电荷态分布的一种扩展模型

通过等离子体中离子激发-退激发平衡关系,构造一种离子激发组态之间满足的非Boltzmann分布,利用这个分布作为权函数对原子过程速率系数进行平均,构造出一个扩展的碰撞辐射稳态模型.利用该模型计算从低Z到高Z元素等离子体平均离子电荷随电子温度的变化.进而研究非Boltzmann分布对平均电离度和激发组态相对密度的影响.结果表明,它对相对激发组态密度的影响非常显著. 关键词： 扩展的碰撞辐射稳态 概率分布 能级动理学     

低能电子与类锂碳离子碰撞的共振激发

 考虑了内壳层电子激发的组态相互作用后,采用R矩阵方法计算了电子碰撞类锂碳离子的共振激发碰撞强度。对于1s²2s²s-1s²2p²p跃迁,结果介于密耦方法和Coulomb-Born交换近似结果之间,而且除了紧靠近激发阈值的 能量区域外与实验结果符合。     

惯性约束聚变应用中全套原子参数研制

基于Cowan的准相对论程序包,文中扩充和发展了一系列组态平均、单组态和多组态不同层次的程序包,计算惯性约束聚变数值模拟及光谱诊断中需要的各种原子参数.本文以类氢、类氦和类锂的氩原子离子为例,计算了主量子数n≤6所有组态平均层次相关的电子碰撞激发和电离,光激发和电离,自电离,辐射复合、双电子复合、三体复合过程截面和速率系数等全套原子参数.截面和速率系数被拟合成可以方便使用的解析公式.     

Au等离子体M带5f-3d跃迁的电子离子碰撞激发速率系数

电子离子碰撞激发速率系数在超组态碰撞辐射模型中真实模拟非局域热动力学平衡Au激光等离子体M带谱 5f 3d跃迁中各种复杂电荷态离子的电离态特性 (譬如离子的平均电离度 ,相对丰度和能级布居数 )是必不可少的。基于准相对论多组态Hartree Fock方法和扭曲波玻恩交换近似 ,采用自编的扭曲波程序ACDW (9)和Fit(9) ,从头计算了Au等离子体M带 5f 3d电子离子碰撞激发速率系数。结果表明 :在“神光II”实验装置诊断的电子温度约 2keV ,电子密度约 6× 10 2 1cm-3 范围内 ,这些电子离子碰撞激发参数有利于采用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带 5f～ 3d细致谱的平均电离度和电荷态分布。     

Cs Ⅳ离子4d内壳层激发态衰变过程的相对论理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论方法基础上,通过系统考 虑电子关联效应和由于内壳层电子激发而导致的电子自旋-轨道波函数的弛豫效应,详细研究了Cs Ⅳ离子的4d内壳层电子激发组态4d95s25p5、辐射末态4d105s25p4及Auger末态4d105s25p3和4d105s15p4的能级结构及各种可能的辐射和Auger衰变过程.获得了与已有的实验结果和相关的半经 验准相对论组态相互作用计算结果相符的辐射跃迁能、振子强度以及线宽,预言了4d95s25p5态的以Auger衰变为主的 Auger电子谱的特 关键词： 内壳层激发态 辐射衰变 Auger衰变     

惯性约束聚变应用中全套原子参数研制

基于Cowan的准相对论程序包，中扩充和发展了一系列组态平均、单组态和多组态不同层次的程序包，计算惯性约束聚变数值模拟及光谱诊断中需要的各种原子参数。本以类氢、类氦和类锂的氩原子离子为例，计算了主量子数n≤6所有组态平均层次相关的电子碰撞激发和电离，光激发和电离，自电离，辐射复合、双电子复合、三体复合过程截面和速率系数等全套原子参数。截面和速率系数被拟合成可以方便使用的解析公式。     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

高离化态类氖离子的电子碰撞激发特性研究

利用基于多组态Dirac-Fock(MCDF)理论方法的原子结构和性质计算程序GRASP92和全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氖离子(Z=50—57)激发组态2s22p53l和2s2p63l(l=s,p,d)的能级结构和碰撞激发截面,总结了碰撞激发截面随入射电子能量的变化规律,讨论了实验中感兴趣的(2p1/23d3/2)1→2s22p61S0(标记为3C线)与(2p3/23d5/2)1→2s22p61S0(标记为3D线)跃迁线强度比值的沿等电子系列特性和强组态相互作用对高离化态类氖离子截面的影响.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

类钠铜离子的激发自电离

在扭曲波库仑玻恩交换近似下计算了类钠铜离子２ｐ^６３ｓ＋ｅ^-→２ｐ⁵３ｓ３ｌ＋ｅ^-（ｌ＝０，１，２）的内壳层激发截面．结合单组态近似和组态相互作用两种情况下计算的自电离分支比，计算了上述组态的激发自电离截面．结果表明，在入射电子能量为１０９０ｅＶ时，组态相互作用使２ｐ⁵３ｓ３ｄ总的激发自电离截面增大至单组态近似的近两倍；而使２ｐ⁵３ｓ²组态的激发自电离截面减小为单组态近似的３６％；２ｐ⁵３ｓ３ｐ组态的激发自电离截面只是略有下降 关键词：     

内壳层电子激发(电离)诱发的电子波函数的弛豫及其对辐射跃迁概率的影响

利用多组态Dirac_Fock(MCDF)理论方法，通过对Ar原子在基组态3p⁶和激发组态1s^-14s，2s^-14s，2p^-14s，3s^-14s，3p^-14s情况下电子波函数的计算，系统地研究了不同内壳层电子激发(或电离)引起的电子波函数的弛豫现象以及由此导致的k_α和k_β线的跃迁波长和概率的变化情况，并与以往的理论结果进行了比较. 关键词： MCDF方法 弛豫效应 电子波函数 跃迁概率     

CⅠ等电子序列离子组态能量Z相关修正的改进

以相对论多体微扰理论为基础,利用屏蔽理论的思想和方法,引入并改进了与核电荷数Z相关的能量修正函数,计算了CⅠ等电子序列离子（6<=Z<=55）基组态(1s2 2s2 2p2)和第一激发组态(1s2 2s2 2p1)能量.计算过程基于自编的C语言和Mathematica程序,所得结果与实验值符合的很好,大大减小了由于忽略能量高阶项产生的误差,证明此项改进适用于等电子序列离子组态能量的计算.     

氢吸附于Pt(100)面的吸附体系簇模拟和Raman谱性质计算

本文基于金属簇模型和单激发组态相互作用方法 ,用 H/ Ptnδ( n=5,6) ( δ=0 ,- 1 )簇模拟了 Pt( 1 0 0 )电极上不同吸附位的电子跃迁性质。计算结果表明当采用 51 4.5nm入射激发光时 ,桥位和穴位吸附的电子跃迁偶极矩和振子强度都很小 ,因而 Raman信号太弱 ,不能检测到 ;只有在高覆盖度下的氢顶位吸附 ,才能检测到 Raman信号。与实验结果一致。     

类Be离子（Z=8-54）内壳层激发态1s2s22p退激发过程的理论研究

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,系统研究了类Be离子（Z=8-54）内壳层激发态1s2s22p的能量、辐射退激发和Auger退激发过程。详细讨论了电子关联效应对相关结构和退激发过程的影响。结果表明,来自于n=2和3壳层的电子关联效应最重要。另外,随着Z的增大,辐射退激发几率逐渐而平滑的增大,而Auger退激发几率的变化则不显著。本文计算结果与其它理论计算结果符合很好。     

类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s~22p退激发过程的理论研究

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,系统研究了类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s22p的能量、辐射退激发和Auger退激发过程.详细讨论了电子关联效应对相关结构和退激发过程的影响.结果表明,来自于n=2和3壳层的电子关联效应最重要.另外,随着Z的增大,辐射退激发几率逐渐而平滑的增大,而Auger退激发几率的变化则不显著.本文计算结果与其它理论计算结果符合很好.     

高离化态Cu18+离子的双电子复合及共振转移激发过程的理论研究

在准相对论理论框架下计算了Cu¹⁸⁺离子的双电子复合截面，分析了组态相互作用对截面的影响.基于这些数据，在冲量近似下，通过对靶原子中电子动量分布的卷积，进一步得到了Cu¹⁸⁺与H₂碰撞过程中的共振转移激发截面，并与已有的实验结果作了比较，符合得很好.A 关键词： 双电子复合 共振转移激发