溶胶-凝胶法制备BaTiO3薄膜

利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备BaTiO3薄膜,介绍了Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底及BaTiO3薄膜的制备工艺过程,对薄膜的表面形貌进行了观察分析,同时对其介电与频率关系进行了测试.结论显示,经900℃、120min退火处理的BaTiO3薄膜的结晶性能优良,并具有一定的电学性能.     

溶胶凝胶白燃烧法合成LaFeO3纳米晶

将溶胶凝胶法和低温燃烧法相结合,开发了一种溶胶凝胶自燃烧法合成纳米晶技术,并用此技术合成了LaFeO3纳米晶,利用XRD,TEM和BET对合成的纳米晶进行了结构,形貌,大小和比表面积的测量和表征。并借助于TG－DTA研究了干凝胶自蔓延特性和析晶过程,结果表明,由硝酸盐和柠檬酸盐形成的干凝胶,具有自蔓延燃烧的特性,自燃烧的本是在硝酸氨的参与下,硝酸根作氧化剂,柠檬酸中的含碳基团为还原剂（燃料）,它们之间发生氧化还原反应。干凝胶自燃烧后,直接在室温下形成40－60nm具有钙钛矿结构的纯相晶态的LaFeO3纳米晶。     

溶胶-凝胶法制备氧化钼薄膜

以MoCl_3(OC_2H_5)_2为原料,应用溶胶-凝胶法制备了透明均匀的氧化钼薄膜。实验发现,合适的工艺条件为:浸透液浓度0.1～1.0mol/L,浸透湿度40～60％,H_2O/MoCl_3(OC_2H_5)_2摩尔比2～4,热处理温度300℃。薄膜在300℃以下热处理是非晶态的,加热到350℃时,有MoO_3晶相出现。应用红外吸收光谱、X-射线衍射对干凝胶的结构和组成进行了研究,在空气气氛中热处理干凝胶,主晶相是MoO_3,加热到600℃时,存在Mo_9O_(26)晶相;在氩气中,300℃是MoO_2晶相,400℃以上则为MoO_2和η-Mo_4O-(11)两种晶相,在1Pa真空中,300～400℃有MoO_2、Mo_8O_(23)和MoO_(28)三种晶相,600℃则转化为MoO_2和ν-Mo_4O_(11)两种晶相。应用DTA对凝胶进行热分析表明:在98℃左右,溶剂C_2H_5OH和吸附水挥发,加热到400℃以上,残余有机物开始氧化分解。     

溶胶──凝胶法制备莫来石薄膜

利用溶胶－凝胶法制备了连续性良好的莫来石薄膜，研究了影响形成良好薄膜的几个主要因素。用Ｘ－射线衍射分析了莫来石的结构变化，用扫描电镜观察了薄膜的表面情况。     

溶胶-凝胶法制备钙钛矿型复合氧化物La1-xCaxCoO3纳米晶

采用溶胶—凝胶法合成了 La1-x Cax Co O3 (X=0 .1 ,0 .3 ,0 .5 ,0 .7)纳米晶 ,采用 TGA技术确定干凝胶焙烧温度 ;XRD技术证明所合成粉体为钙钛矿型复合氧化物 La1-x Cax Co O3 ,其粒径为 2 0 nm左右 .实验表明 ,脱水温度 70— 80℃左右 ,p H值小于 5时较合适 .同时也考察了柠檬酸用量对溶胶、凝胶形成的影响 .     

溶胶凝胶法制备平整TiO2薄膜及其表征

以钛酸四丁酯为前驱体，通过溶胶凝胶法制备表面平整、致密的TiO2薄膜，并且通过热重分析仪（TGA）、X射线衍射仪（XRD）、衰减全反射红外线光谱分析仪（ATR—IR）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和接触角测量仪等研究TiO2薄膜的晶相、组成和表面的微观结构、润湿性。利用TiO2薄膜表面部分覆盖的十八烷基三氯硅烷自组装单分子层在紫外光照下的降解来研究其光催化性能，并且用水在该薄膜上的接触角的变化来表征十八烷基三氟硅烷的降解量。研究结果表明：TiO2薄膜具有很低的粗糙度，透明的锐钛矿相薄膜在较弱的紫外光照强度下具有较好的光催化性能，在自清洁和光学薄膜领域有潜在的应用前案。     

溶胶-凝胶法制备锰酸钇YMnO_3薄膜

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),以锰酸钇(YMnO3,YMO)为前驱体制备YMO薄膜,它是一种常用制备薄膜的方法。YMO前驱体的配置和热处理是制备薄膜质量的关键,YMO薄膜是在800℃退火处理后,利用X-射线衍射仪对YMO薄膜进行结构分析得到的,它具有很好的晶向结构。     

用溶胶——凝胶法制备SrTiO3纳米薄膜材料

为制备具有电容和压敏特性的ＳｒＴｉＯ３双功能器件,以Ｓｒ（ＮＯ３）２,Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料,用溶胶－凝胶方法制备ＳｒＴｉＯ３材料,研究了水和醋酸等对ＳｒＴｉＯ３材料的影响机理,并对其进行Ｘ－射线衍射、红外光谱和ＴＥＭ分析,证明该薄膜为纳米晶体结构,晶粒尺寸为１２－２５ｎｍ。     

溶胶—凝胶法制备SiO_2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃基底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热—失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制为晶态、非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

溶胶-凝胶法在3D-SiC陶瓷表面制备纳米MgO薄膜

以Mg(NO3)2.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,胶棉液为表面活性剂,利用溶胶-凝胶法制备了MgO溶胶,并利用浸渍提拉法在三维网络-碳化硅(3D-SiC)陶瓷骨架表面涂覆MgO溶胶,经煅烧制得纳米MgO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的物相和显微结构.结果表明,利用浸渍提拉法在HF溶液浸蚀后的3D-SiC骨架表面涂覆质量比m(Mg(NO3)2.6H2O)∶m(胶棉液)=1.0的MgO溶胶后,在80℃干燥10 min,再升至480℃干燥10 min,最后800℃煅烧1 h,可制备出致密平整,厚度为0.8～1.0μm的纳米MgO薄膜.薄膜与骨架结合良好,MgO...     

溶胶—凝胶法制备TiO2薄膜及其光学特性

采用溶胶－凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2薄膜,通过测量薄膜在紫外－可见光波段的透射率和反射率光谱,对其光学特性和吸收边缘进行了研究。实验结果表明,吸收边缘大约在350nm附近,并且随热处理温度的升高,吸收边缘向长波方向移动,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高0．15eV。     

溶胶-凝胶法制备BiFeO3多铁性薄膜及其电磁性能研究

采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si基底上制备纯相BiFeO3多铁性薄膜.利用X射线衍射仪对不同退火温度的薄膜样品进行晶体结构的测定和分析,结果表明：样品为钙钛矿结构,并呈随机取向.在室温下测量500℃退火样品的电滞回线及其不同频率下的介电常数和介电损耗;当外加电场达到14×107 V/m时,剩余极化强度（Pr）和饱和极化强度（Ps）分别为10.12μC/cm2和14.62μC/cm2;当频率范围在1kHz～1MHz时,样品的介电常数和介电损耗基本稳定,且损耗较小.此外,在室温下测量薄膜的磁性能,M-H曲线表明样品具有铁磁性.     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究

以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为主要原料,采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.     

溶胶-凝胶法制备TiO_2薄膜及其光学特性

采用溶胶 -凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2 薄膜 ,通过测量薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,对其光学特性和吸收边缘进行了研究 .实验结果表明 ,吸收边缘大约在 35 0nm附近 ,并且随热处理温度的升高 ,吸收边缘向长波方向移动 ,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高 0 .15eV     

采用溶胶-凝胶法制备ZnO∶Fe3+薄膜

采用溶胶-凝胶法,在Si(111)衬底上制备了ZnO∶Fe3+薄膜,研究了不同退火工艺对其微结构的影响.磁性测量表明,制备的3%以下掺铁样品在室温下具有铁磁性,随着Fe3+浓度的提高,饱和磁化强度增长.     

BiCrO3薄膜的溶胶-凝胶制备方法

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3／Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶，呈（I0I）择优取向．铁电性测试表明，室温下薄膜具有铁电性，剩余极化强度为0．6μc／cm^2，漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜的研究

采用溶胶 -凝胶法在普通玻璃载片上制备了Al2 O3 薄膜 .通过XRD ,DSC -TGA以及椭圆偏振测厚仪等测量手段研究了勃姆石溶胶的制备条件 ,氧化铝薄膜的光学参数以及勃姆石凝胶在热处理过程中的物理变化 .结果表明 :异丙醇铝的浓度、水解温度和胶溶剂的加入量直接影响了勃母石溶胶的稳定性 .45 0℃热处理所得薄膜单层厚度为 31.3nm ,折射率为 1.72 ,表面均匀 ,透光性好     

溶胶—凝胶法制备氟化物薄膜光波导

以乙酰丙酮盐为原料,用溶胶－凝胶法制备掺饵的锆钡镧铝氟化物薄膜光波导。第一步为制备包含锆钡镧铝及铒的溶胶;第二步为在基底上用旋转镀膜的方法镀膜及氟化。用这种方法得到的薄膜用扫描电镜测量了其组分和表面膜的形态。同时也测得膜的厚度和折射率。     

溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及性质研究

以二水醋酸锌为原料,使用溶胶凝胶法在(100)Si衬底上旋转涂敷得到ZnO薄膜.采用傅立叶变换红外光谱和X射线衍射(XRD)分析经N2、空气、O2不同气氛400℃退火ZnO薄膜的成分和结构差异.使用XRD、原子力显微镜和光致发光手段重点研究了N2气氛条件下,ZnO薄膜结构与发光特性随退火温度的变化规律,发现400℃下退火更适于干凝胶薄膜经历结构弛豫,生成具有(002)择优取向、性质优良的纳米晶ZnO薄膜.计算该样品的晶粒尺寸为41.6 nm,晶格常数a=0.325 3 nm,c=0.521 nm,其PL光谱出现495 nm附近强的绿光发射峰,可能源于ZnO纳米晶粒表面缺陷氧空位(Vo).随着退火温度升高,ZnO生成量减少、晶粒体表面积比(S/V)减小共同作用导致绿光峰强度变弱.