高分辨扫描透射电子显微镜原理及其应用

扫描透射电子显微术是目前应用最广泛的电子显微表征手段之一,具有分辨率高、对化学成分敏感和图像直观易解释等特点。其中高分辨扫描电子显微镜可以直接获得原子分辨率的Z 衬度像,结合X射线能谱(EDS)和电子能量损失谱(EELS),可在亚埃尺度上对材料的原子和电子结构进行分析。文章简述了扫描透射电子显微镜的基本原理及其应用现状,重点论述了高角环形暗场(HAADF)和环形明场(ABF)像的成像原理、特征和应用。此外,文中还对原子尺度分辨率的X射线能谱及电子能量损失谱元素分析方法进行了简述。     

扫描电子显微镜虚拟实验的教学探索

为提升“现代仪器分析方法”课程教学质量,充分调动学生对实验仪器探索的积极性,在课堂教学过程中引入虚拟实验辅助教学模式.以扫描电子显微镜为例,针对扫描电子显微镜原理、成像分析等教学重点和难点,让学生通过虚拟实验的操作过程,熟悉仪器操作过程,加深对二次电子成像、背散射电子成像和能谱分析的理解.此过程不仅能保证学生的参与度,还能够激发学生的探索欲望.     

用扫描电子显微镜对氮化镓的研究

应用二次电子发射,阴极荧光,束感生电导和束感生电压检验气相沉积氮化镓的表面和氮化镓发光二极管的横截面。氮化镓层是相同取向的微晶集合体。在绝缘层中锌的分布通常是不均匀的。高的内电场发生在绝缘层的两边。     

扫描电子显微镜中电子通道带宽的测量

关键词：     

基于扫描电子显微镜的碳纳米管拾取操作方法研究

碳纳米管场效应管是未来纳米器件的发展方向,而制造纳米器件的前提是拾取碳纳米管,基于扫描电子显微镜(SEM)的微纳机器人操作系统能够实现碳纳米管拾取操作.本文建立拾取操作中碳纳米管与原子力显微镜(AFM)探针间范德瓦耳斯力力学模型,不同接触状态下范德瓦耳斯力越大越有利于拾取碳纳米管.在SEM视觉反馈图像中建立相对坐标系,首先提出倾角变值方法检测碳纳米管与AFM探针的接触状态,然后运用动态差值方法识别碳纳米管与AFM探针空间位姿并校正碳纳米管位姿,最后自下而上拾取碳纳米管.实验结果表明:拟合直线倾角变值较大时碳纳米管与AFM探针发生接触,动态差值变化为零时碳纳米管与AFM探针为空间线接触,在完全线接触模型下选择合适的接触角度、接触长度和拾取速度能够成功拾取碳纳米管.     

磁衬度的高压扫描电子显微镜观测

在磁性材料的研究中,磁畴的电镜观测是人们很感兴趣的问题[1]. 利用扫描电镜可以观测到磁性材料的两种磁衬度(图1).第一种磁衬度首先由Joy和Jakubovics利用二次电子信号观测到[3].引起这种磁树度的原因是磁性材料存在着漏磁场.漏磁场引起试样表面发射的二次电子轨道的改变,由于从磁性相反的磁畴中探测到二次电子的效率不同,从而引起磁衬度.由单轴各向异性的磁性材料(如钻和磁泡材料)可得到这种磁衬度[见图1(a)]. 第二种磁衬度首先由Philibert和Tixier[3]利用试样电流得到.以后,更多的研究工作者用背散射电子观测到这种磁树度.这种磁衬度产…     

频闪扫描电子显微镜观察阴极荧光的理论

根据三维模型,对提高扫描电子显微镜阴极荧光图像空间分辨率的方法予以定量论证。对CdS和ZnSe半导体样品,分辨率可提高5倍。     

电子显微镜的新发展

一、前言伟大领袖毛主席指出：“任何知识的来源,在于人的肉体感官对客观外界的感觉,……”１）,“无数客观外界的现象通过人的眼、耳、鼻、舌、身这五个官能反映到自己的头脑中来,……”１）,说明了人类在认识客观世界过程中包括视觉在内的感觉的重要作用．然而人的视力是有限的,显微镜和望远镜延伸了人眼的观察能力：望远镜扩大了视距,而显微镜则使人们见到了肉眼无法见到的微观世界．十六世纪光学显微镜的出现,曾经?...     

用扫描电子显微镜研究发光晶体的微区特性

本文以工作中积累的素材为基础,总结了文献中的有关资料,把扫描电子显微镜已经应用于发光晶体微区研究的各种方法、原理与进展情况予以综述。力图把这方面的概况反映出来。     

扫描电子显微镜在本科生创新实验中的应用教学探索

介绍扫描电子显微镜的样品制备方法;阐述了扫描电子显微镜在本科生创新实验中的应用价值。     

发光晶体微区光电特性的扫描电子显微镜分析

扫描电子显微镜可对固体样品进行形貌观察、微区成份分析、晶体结构分析,这已为人们所熟知。然而在微区光、电、磁特性分析方面它还有巨大潜力。发掘这种潜力可以得到发光晶体微区光电特性、晶体完整性及能带结构的信息[1]。     

在扫描电子显微镜中所观察到钨的奇异花样

当钨试样倾斜到不同位向以记录一系列电子通道花样时,在<111>方向,<001>方向和<011>方向的准确位置下,观察到一些奇异花样叠加在电子通道花样上。这些奇异花样颇类似于在透射电子显微镜中所观察到的Kossel花样。这种花样具有两个重要性质:(1)花样的强度分布是随着电子能量(电子的加速电压)而改变;(2)花样的几何形貌可以用来描述晶体内部结构的一些特征。最后,从异常散射效应和晶格位与入射电子间相互作用强度a的观点,定性地解释了这种花样的衬度效应来源。 关键词：     

扫描电子显微镜法测定金属衬底上石墨烯薄膜的覆盖度

利用化学气相沉积法生长在金属衬底上的石墨烯薄膜,由于其尺寸的可控性和转移的便利性,被广泛用作各种透明电极.石墨烯薄膜的方块电阻是衡量其品质的重要指标之一,而石墨烯覆盖完全是保证薄膜拥有优良导电性能的基本前提.本文通过研究评估不确定度的分量,提出利用扫描电子显微镜像素计算微区和宏观覆盖度的方法.考虑到石墨烯薄膜覆盖区域与未覆盖区域边界的确定,以及晶畴数目的选取这两个因素对覆盖度测定造成的误差.通过微区有效扫描电子显微镜图像的确定、宏观石墨烯薄膜有效扫描电子显微镜图像的测量数目以及宏观石墨烯薄膜覆盖均匀性的表达,系统研究了化学气相沉积法生长在金属衬底上的石墨烯薄膜的微区覆盖度、宏观覆盖度和覆盖均匀性.该方法通过获得有限次微区扫描电子显微镜图像,不仅可以计算宏观石墨烯薄膜的覆盖度,还可以给出覆盖均匀性,既节省了测量时间,同时也能保证测量有效性.     

表面偶极子对扫描电子显微镜共振电子注入的影响

用共振电子注入法和第一性原理计算研究了硒(Se)单原子在Si(111)-7×7表面的吸附. 理论结果表明由于不同的电负性,表面Si原子会向吸附的Se原子发生电子转移,从而导致一个0.61 eV的表面偶极子形成. 该表面偶极子改变了Si表面的有效隧道能垒同时导致在样品和扫描电子显微镜针尖之间真空间隙中共振态能级的移动. 并且0.61 eV的表面偶极子会引起共振电子注入偏压向高电位移动0.45 V.     

扫描隧道电子显微镜──1986年获诺贝尔物理奖项目之一

透射电子显微镜(TEM)在观察物质的整体结构方面是很有用的,但在表面结构的分析上却较困难.这是因为透射电子显微镜是由高能电子透过样品来获得信息的,一反映的是样品物质的内部信息.扫描电子显微镜(SEM)虽然能揭示一定的表面情况,但由于入射电子总具有一定能量,会穿入样品内部,因此分析的所谓“表面”’总在一定深度上[1].而且分辨率也受到很大限制.场发射电子显微镜(FEM)和场离子显微镜(FIM )虽然能很好地用于表面研究,但是样品必须特殊制备,只能置于很细的针尖上[2]并且样品还需能承受高强电场.这样就使它的应用范围受到了限制。 扫…     

用频闪扫描电子显微镜观察“陷阱”的空间分布

本报导表明了,在许多半导体样品中用频闪扫描电镜观察“陷阱”的定域分布和它们的瞬时CL的可能性。 这种扫描电镜工作方式的特点是,采用脉冲扫描的电子束,从用光学的CL信号同时形成的图像中分离出局部过程的所需要的相位。在文献[1.2]中已解决了在半导体电子学中应用频闪扫描电镜的另外一些课题。 用阴极荧光的频闪电镜方法,可以揭示样品中的CL相对于激发滞后了的那些区域。根据滞后时间增加时图像反差的变化,可以确定从该样品局部发出的CL辐射“延迟”的时间。     

扫描透射电子显微镜及电子能量损失谱的原理及应用

扫描透射电子显微镜是透射电子显微镜的一种,近几年随着球差校正器的问世,扫描透射电子显微镜的分辨率达到亚埃级,结合能量分辨率为亚电子伏特的电子能量损失谱,可以对材料进行高空间分辨率及高能量分辨率的微结构和成分分析。文章简述了扫描透射电子显微镜的发展历程和工作原理,重点讲述了高角环形暗场像的成像机理以及基于高角环形暗场像对材料结构和成分进行分析的原理和应用;电子能量损失谱的成谱过程、谱的特征及其在材料化学和电子结构分析方面的优势和主要应用。     

扫描透射电子显微镜及电子能量损失谱的原理及应用

扫描透射电子显微镜是透射电子显微镜的一种,近几年随着球差校正器的问世,扫描透射电子显微镜的分辨率达到亚埃级,结合能量分辨率为亚电子伏特的电子能量损失谱,可以对材料进行高空间分辨率及高能量分辨率的微结构和成分分析。文章简述了扫描透射电子显微镜的发展历程和工作原理,重点讲述了高角环形暗场像的成像机理以及基于高角环形暗场像对材料结构和成分进行分析的原理和应用;电子能量损失谱的成谱过程、谱的特征及其在材料化学和电子结构分析方面的优势和主要应用。     

中国透射式电子显微镜发展的历程

人眼的视力仅能分辨物体中0．1-0．2mm的细节．若借助光学显微镜,则可看到细胞、细菌．若借助电子显微镜,人能看到原子像、分子像!