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《化学分析计量》2009,(1)
英国的研究人员已经公布了全半导体室温太赫兹时域光谱仪。该小组认为,这是第一个使用全半导体结构的光谱仪,相比于传统的基于超激光的设计,具有节约成本和规模小的优势。南安普敦大学的VasileiosApostolopoulos在optics.org提到:传统的太赫兹时域光谱仪是基于钛蓝宝石激光器的基础上设计的,它虽然具有优良的性能,但成本昂贵、规模较大。目前使用的是由南安普敦的AnneTropper研究小组开发的一种微型半导体激光源,它有非常高的重复率,并在未来的一两年内,可能会产生低于200飞秒的脉冲。通过全半导体的方法,研究小组开始制造垂直外腔表面发射激光器(VECSEL),在波长为1044nm时可以发射480飞秒的脉冲。腔体包括一个光学斯塔克半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件。垂直外腔表面发射激光器用于传统的时域光谱设置,它可以照亮一组光敏天线。Apostolopoulos和他的同事们报告说,他们可以检测到超过带宽0.1至0.8THz的辐射,并有充分确定水吸收谱线的方案。Apostolopoulos评论说:“同样的技术可被用来制造太赫兹光敏天线和垂直外腔表面发射激光器的元件,如量子阱增益样品和半导体... 相似文献
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多元半导体材料在高科技领域中占有极其重要的地位,在半导体激光器,探测器,太阳能电池及微电子学等方面有着广泛应用。这些材料的获得经常采用的手段之一是金属有机气相 相似文献
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用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2~4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。 相似文献
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米粒子合成的进展 总被引:6,自引:0,他引:6
半导体科学技术是现代信息技术的基础,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料受垤广泛的重视。采取有机液相合成方法是制备Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的重要途径。本文综述了近几年合成Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的进展情况。 相似文献
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平带电位(E_(fb))是半导体/电解质溶液体系的重要概念,是半导体电极在平带状态时的电极电位,它是半导体电极特有的可以实验测定的物理量。利用Mott-Schottky曲线以及光电化学等方法可以测定平带电位,判断半导体的类型以及估算半导体的载流子浓度,其数值可用于推测半导体的能级结构,确定半导体材料的价带或导带能级位置。这对于与太阳能开发利用相关的半导体光催化和光电化学研究都是非常重要的。本文分析了半导体电极的能带弯曲及影响因素,首次提出半导体界面层内费米能级弯曲,阐明半导体电极平带电位的物理意义及其测定方法,以帮助初学者理解和应用平带电位。 相似文献
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半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射基底的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
在总结半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射(SERS)基底的一些相关研究工作的基础上, 讨论了半导体纳米粒子SERS基底的增强效应与纳米材料的种类、尺寸的相关性; 对半峰宽、激发波长进行了分析, 并对半导体纳米材料作为SERS基底时, 化学增强、电磁增强、纳米半导体缺陷和激子波尔半径的影响等进行了阐述. 相似文献
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悬浮体系中的半导体光催化及其应用 总被引:7,自引:0,他引:7
最近十多年来,在半导体界面上进行的光能化学转化——半导体光催化,成了催化学科中的活跃研究领域之一。科学工作者们从太阳能利用等不同的角度出发,对各种类型的半导体光催化反应进行了广泛深入的研究。迄今已 相似文献
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碳纳米管/半导体复合材料光催化研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
碳纳米管具有良好的机械性能和导电性、高化学稳定性、大表面积以及独特的一维结构,与半导体光催化剂结合能够增强催化剂的吸附能力、提高光催化效率、扩展光响应范围,而且有利于回收催化剂,极大地提高了半导体光催化剂的综合性能。本文首先分析了半导体光催化剂和碳纳米管的特点,总结了碳纳米管增强半导体光催化的机理,然后分别从复合材料制备方法、复合半导体种类和典型的应用三个不同角度,归纳总结了近年来碳纳米管/半导体复合材料光催化的研究进展,最后对其发展趋势作了展望。 相似文献
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银辅助化学刻蚀半导体材料 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 相似文献
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丙烷氧化脱氢氧化物催化剂的活性氧物种 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了半导体金属氧化物催化剂丙烷氧化脱氧制丙烯的性能,发现p-型半导体金属氧化物有低温催化性能,n-型半导体金属氧化物有高温催化性能,H2-TPR,O2-TPD-MS和原位电导研究结果表明,p-型半导体金属氧化物的活性氧物种为非化学计量氧物种,n-型半导体的活性氧物种为表面晶格氧。 相似文献