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相似文献
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1.
《化学学报》2012,70(22)
长春新产业光电技术有限公司是1996年依托中科院长春光机所设立的高科技企业,主要从事半导体泵浦全固态激光器和半导体激光器的科研、开发与生产。产品包括紫外到红外波段多种波长的激光器(266nm~2200hm)。  相似文献   

2.
《化学学报》2012,70(21)
长春新产业光电技术有限公司是1996年依托中科院长春光机所设立的高科技企业,主要从事半导体泵浦全固态激光器和半导体激光器的科研、开发与生产。产品包括紫外到红外波段多种波长的激光器(266nm~2200nm)。  相似文献   

3.
英国的研究人员已经公布了全半导体室温太赫兹时域光谱仪。该小组认为,这是第一个使用全半导体结构的光谱仪,相比于传统的基于超激光的设计,具有节约成本和规模小的优势。南安普敦大学的VasileiosApostolopoulos在optics.org提到:传统的太赫兹时域光谱仪是基于钛蓝宝石激光器的基础上设计的,它虽然具有优良的性能,但成本昂贵、规模较大。目前使用的是由南安普敦的AnneTropper研究小组开发的一种微型半导体激光源,它有非常高的重复率,并在未来的一两年内,可能会产生低于200飞秒的脉冲。通过全半导体的方法,研究小组开始制造垂直外腔表面发射激光器(VECSEL),在波长为1044nm时可以发射480飞秒的脉冲。腔体包括一个光学斯塔克半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件。垂直外腔表面发射激光器用于传统的时域光谱设置,它可以照亮一组光敏天线。Apostolopoulos和他的同事们报告说,他们可以检测到超过带宽0.1至0.8THz的辐射,并有充分确定水吸收谱线的方案。Apostolopoulos评论说:“同样的技术可被用来制造太赫兹光敏天线和垂直外腔表面发射激光器的元件,如量子阱增益样品和半导体...  相似文献   

4.
从中国科学院长春光学精密机械与物理研究所了解到,由该所王立军研究员带领的课题组攻克了大功率半导体激光器关键核心技术,成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体激光光  相似文献   

5.
多元半导体材料在高科技领域中占有极其重要的地位,在半导体激光器,探测器,太阳能电池及微电子学等方面有着广泛应用。这些材料的获得经常采用的手段之一是金属有机气相  相似文献   

6.
以发射波长473nm的半导体激光泵浦固体激光器(LD DPSSL)为激发光源,研制了一种小型模块化激光诱导荧光检测器。以异硫氰酸荧光素(FITC)为荧光探针,毛细管电泳柱上检测(0.05mmi.d)评价了该体系,得到了5×10-12mol L的浓度检出限。利用该系统考察了氨基酸、实际样品中B族维生素的检测。  相似文献   

7.
应用光流线量子力学理论,分析了微盘激光器的腔模结构,为半导体微盘谐振腔的"回廊耳语模"~[7](WhisperGalleryMode)现象做出了理论解释,并对不同尺寸的微盘可能存在的模式做出了理论计算,为微腔激光器的设计。制作及输出光模式的预测提供了理论依据。  相似文献   

8.
《化学分析计量》2012,(1):45-45
不久前,受科技部委托,吉林省科技厅组织召开了大功率激光器技术研究国际科技合作项目验收会,邀请了北京、黑龙江、山东等省专家组成专家组,对项目进行了验收。专家组认为,该项目通过与俄罗斯知名院所合作创新,突破了千瓦级大功率激光器多项关键技术;在国内首次开发出连续输出千瓦级高效节能半导体激光加工机光源;实现了百瓦级质量激光输出。该项成果已在工业、  相似文献   

9.
激光诱导荧光是毛细管电泳和微芯片电泳重要的检测方法。半导体激光器(或称激光二极管)以其价格低、体积小,寿命长、稳定可靠的优势,在激光诱导荧光分析方面,得到了人们的广泛重视。特别是在分析仪器小型化的时代,会带来巨大的影响:本文就其与毛细管电泳和微芯片电泳联用的检测装置、检测方法,荧光试剂,分析应用和发展趋势作了综述。  相似文献   

10.
用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2~4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。  相似文献   

11.
《化学分析计量》2014,(4):26-26
<正>加拿大研究人员设计并测试了一种新型固态、稳定的光敏纳米粒子——胶体量子点技术,该技术或将用于开发更为廉价、柔性的太阳能电池及更好的气体感应器、红外激光器、红外发光二极管。此项研究成果发表在《自然·材料》上。胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光:N型(富电子)和P型(乏电子)。但N型半导体材料暴露于空气中时,会与氧原子结合,失去其电子,转变成P型材料。论文第一作者、多伦多大学电气与计算机工程系博士后  相似文献   

12.
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米粒子合成的进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
半导体科学技术是现代信息技术的基础,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料受垤广泛的重视。采取有机液相合成方法是制备Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的重要途径。本文综述了近几年合成Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的进展情况。  相似文献   

13.
崔晓莉 《化学通报》2017,80(12):1160-1170
平带电位(E_(fb))是半导体/电解质溶液体系的重要概念,是半导体电极在平带状态时的电极电位,它是半导体电极特有的可以实验测定的物理量。利用Mott-Schottky曲线以及光电化学等方法可以测定平带电位,判断半导体的类型以及估算半导体的载流子浓度,其数值可用于推测半导体的能级结构,确定半导体材料的价带或导带能级位置。这对于与太阳能开发利用相关的半导体光催化和光电化学研究都是非常重要的。本文分析了半导体电极的能带弯曲及影响因素,首次提出半导体界面层内费米能级弯曲,阐明半导体电极平带电位的物理意义及其测定方法,以帮助初学者理解和应用平带电位。  相似文献   

14.
半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射基底的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
在总结半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射(SERS)基底的一些相关研究工作的基础上, 讨论了半导体纳米粒子SERS基底的增强效应与纳米材料的种类、尺寸的相关性; 对半峰宽、激发波长进行了分析, 并对半导体纳米材料作为SERS基底时, 化学增强、电磁增强、纳米半导体缺陷和激子波尔半径的影响等进行了阐述.  相似文献   

15.
悬浮体系中的半导体光催化及其应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
最近十多年来,在半导体界面上进行的光能化学转化——半导体光催化,成了催化学科中的活跃研究领域之一。科学工作者们从太阳能利用等不同的角度出发,对各种类型的半导体光催化反应进行了广泛深入的研究。迄今已  相似文献   

16.
半导体光催化技术可以利用太阳能光催化分解水制备氢气和降解有机污染物以解决能源问题和环境污染问题,并且具有反应低能耗、低温深度反应和反应具有光谱性等优点,是解决环境和能源问题领域中最具有应用前景的新技术之一。本文通过将半导体光生电子拟人化,以电子先生的旅游视角介绍了光催化反应中电荷的转移过程,介绍了光催化技术在制氢和降解有机污染物领域中的应用。  相似文献   

17.
碳纳米管/半导体复合材料光催化研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
肖信  张伟德 《化学进展》2011,23(4):657-668
碳纳米管具有良好的机械性能和导电性、高化学稳定性、大表面积以及独特的一维结构,与半导体光催化剂结合能够增强催化剂的吸附能力、提高光催化效率、扩展光响应范围,而且有利于回收催化剂,极大地提高了半导体光催化剂的综合性能。本文首先分析了半导体光催化剂和碳纳米管的特点,总结了碳纳米管增强半导体光催化的机理,然后分别从复合材料制备方法、复合半导体种类和典型的应用三个不同角度,归纳总结了近年来碳纳米管/半导体复合材料光催化的研究进展,最后对其发展趋势作了展望。  相似文献   

18.
银辅助化学刻蚀半导体材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。  相似文献   

19.
合成半导体胶体纳米晶的新方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
半导体纳米晶由于其独特的光学和电学性质在光学器件、医疗诊断、激光等方面有了越来越重要的应用.本文介绍了胶体半导体纳米晶合成技术的一些最新进展。  相似文献   

20.
丙烷氧化脱氢氧化物催化剂的活性氧物种   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究了半导体金属氧化物催化剂丙烷氧化脱氧制丙烯的性能,发现p-型半导体金属氧化物有低温催化性能,n-型半导体金属氧化物有高温催化性能,H2-TPR,O2-TPD-MS和原位电导研究结果表明,p-型半导体金属氧化物的活性氧物种为非化学计量氧物种,n-型半导体的活性氧物种为表面晶格氧。  相似文献   

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