p,p在北京谱仪(Ⅱ)中的行为研究

从Monte Calor模拟和北京谱仪(BESⅡ)所取的实验数据入手,分析了p和p产生次级带电径迹和中性径迹的几率以及好径迹选择条件对这些次级径迹的去除情况、p在探测器中的能量损失和p的湮没、p和p在桶部簇射计数器中沉积能量的分布以及3种不同的粒子鉴别方法的优劣.给出了BES目前可以正确重建出的p和p的动量的最小值和利用TOF和dE?dx的联合信息鉴别p和p的优越性.     

北京谱仪中性径迹测量误差的确定

首先检查了北京谱仪(BES)桶部簇射计数器(BSC)对γ光子电磁簇射形成的中性径迹的沉积能量和空间位置的测量值;然后,利用辐射Bhabha事例修正了BSC的沉积能量及其误差δE;利用e⁺e^－→γγ(γ)过程确定了BSC测量中性径迹的空间位置的误差,这些研究结果可以减小用运动学拟合方法分析包含中性径迹的物理事例的系统误差,提高BES的测量精度.     

BESⅢ主漂移室径迹的外推和径迹匹配

BESⅢ主漂移室重建径迹的外推算法采用面向对象的设计方法, 利用GEANT4部分代码开发实现, 它提供主漂移室带电径迹外推到外部其他子探测器上的预期径迹信息. 该算法的外推过程考虑了带电径迹在磁场中的偏转以及与探测器物质相互作用造成的电离能损, 并为径迹参数计算考虑了库仑多次散射效应影响在内的参数误差矩阵. 经检查, 主漂移室径迹的外推结果和完全模拟结果一致, 并且径迹外推的结果能够成功用于各个子探测器测量径迹间的匹配, 这些工作为分析实验数据作了必要的准备, 能够满足BESⅢ实验的使用要求.     

北京谱仪Ⅱ中性径迹测量误差的确定

选取辐射Bhabha样本,研究了北京谱仪Ⅱ(BESⅡ)桶部簇射计数器(BSC)对中性径迹的沉积能量和空间位置的测量,定出了实际数据的测量误差.并利用Monte Carlo产生的e⁺e^－→γγ事例定出MC数据的能量及位置测量误差.结果已用于BESⅡ运动学拟合,能改善物理分析结果.     

BESⅢ主漂移室基于模式匹配的径迹重建

BESⅢ主漂移室径迹重建算法MdcPatRec, 是采用面向对象技术用C++开发的软件. 该算法使用模式匹配的方式寻找径迹段, 连接径迹段为径迹并进行最小二乘拟合. 使用模拟数据对算法进行了检验, 结果表明该径迹重建算法能够提供高的重建效率和好的动量分辨, 各项指标均达到设计要求. 同时具有好的抗噪声能力, 可以满足BESⅢ的使用要求.     

τ轻子Michel参数测量中的电子识别方法

北京谱仪(BES)合作组通过τ→eνν衰变的电子能谱测定Michel参数,本文利用BES在质心系能量4,03GeV处获取的e⁺e^－对撞数据,通过BES给出的带电粒子dE/dx、β、E/p测定值及其适当组合,实现了电子的有效识别.     

北京谱仪(BESⅡ)上p和鉴别的研究

以北京谱仪(BES)上常用的3种粒子鉴别方法为基础,充分利用BESⅡ所获取的R值扫描、J/ψ和ψ′数据中p,(p)以及其他带电粒子样本,对动量范围在0.3—1.2GeV的p和(p)鉴别方法进行分析研究,找到BESⅡ上p和(p)的最佳鉴别方法:动量低于0.6GeV只用dE/dx实现粒子鉴别,动量高于0.6GeV可用TOF或联合鉴别的方法,并给出p,(p)的鉴别效率以及本底的混入比例.     

北京谱仪(BESⅡ)上p和(p-)鉴别的研究

以北京谱仪(BES)上常用的3种粒子鉴别方法为基础,充分利用BESⅡ所获取的R值扫描、J/ψ和ψ'数据中p,(p-)以及其他带电粒子样本,对动量范围在0.3-1.2GeV的p和p-鉴别方法进行分析研究.找到BES Ⅱ上p和(p-)的最佳鉴别方法:动量低于0.6GeV只用dE/dx实现粒子鉴别,动量高于0.6GeV可用TOF或联合鉴别的方法,并给出p,(p-)的鉴别效率以及本底的混入比例.     

北京谱仪Ⅱ带电径迹测量误差矩阵的修正

研究了北京谱仪(BES)Ⅱ带电径迹测量误差矩阵的修正,使运动学拟合TELESIS方法在BESⅡ物理数据分析中得到应用.1)在BESⅡ数据重建程序中,加入了适当的MDC重建单丝分辨率(250μm)和Q修正.2)在TELESIS程序中,放入了BESⅡ有效物质量对BESⅡ误差矩阵进行多次库仑散射和dE/dX能损效应的修正.3)在此基础上,通过J/ψ→μ⁺μ^－的数据样本分析,完成了BESⅡ24×10⁶J/ψ事例RUN-by-RUN的误差矩阵刻度,同时对BESⅡMC数据也作了相应的刻度.经上述误差矩阵修正后,BESⅡ的TELESIS可以较好地满足BESⅡ数据分析工作的要求.     

基于智能算法的CR39径迹刻蚀过程模拟

CR39可以用于激光等离子物理实验中的离子探测,并给出离子数目、种类和能量信息。通过采用唯象模型,利用离子在CR39中径迹形成的阻止本领动力学方程以及粒子群智能算法对径迹形成的过程进行了数值化模拟,研究了CR39中离子径迹在刻蚀过程中的演化过程,获得了入射离子能量和径迹直径、深度的对应关系,并且发现当离子射程与刻蚀深度相等时,径迹深度最大,给出了利用总刻蚀时间计算最大径迹深度对应的临界能量的公式。     

北京谱仪Ⅱ主漂移室和顶点探测器的径迹联合重建

首次实现了将北京谱仪–Ⅱ(BESⅡ)的两种探测器(主漂移室和顶点探测器)中的带电径迹联合起来一起重建,并给出了相应的离线刻度方法.经过真实数据和蒙特卡罗样本的检查,联合重建后BESⅡ带电粒子的动量分辨提高了20%以上,结果证明本文采用的联合重建和离线刻度方法是有效的.     

北京谱仪（BESⅡ）上p和p^－鉴别的研究

以北京谱仪(BES)上常用的3种粒子鉴别方法为基础，充分利用BESⅡ所获取的R值扫描、J／ψ和ψ’数据中p，p^-以及其他带电粒子样本，对动量范围在0．3-1．2GeV的p和p鉴别方法进行分析研究．找到BESⅡ上p和p^-的最佳鉴别方法：动量低于0．6GeV只用dE／dx实现粒子鉴别，动量高于0．6GeV可用TOF或联合鉴别的方法，并给出p，p^-的鉴别效率以及本底的混入比例．     

重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer, LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损失的1%左右;随着LET的增大,次级电子的初始角度和能量分布越来越集中;重离子诱导产生的电荷沉积峰值位置在重离子径迹中心,在垂直于入射深度方向上呈高斯线性减小分布.利用锎源进行碳化硅MOSFET单粒子烧毁试验,结合TCAD模拟得到不同漏极电压下器件内部电场分布,在考虑电场作用的蒙特卡罗模拟中发现:碳化硅MOSFET外延层的电场强度越大,重离子受电场作用在外延层运动的路径越长、沉积能量越多,次级电子越容易偏向电场方向运动导致局部能量沉积过高.     

N巴黎势和可能的p共振态(英文)

通过求解N巴黎光学势的复薛定谔方程,研究了N系统的近阈束缚和共振行为,得到了一个p系统的13P0共振态.发现其能量和宽度与最近BES用Breit Wigner(B W)公式分析J/ψ→γp衰变的实验数据给出的结果相容.讨论了这一结果的含义及进一步研究的建议.     

北京谱仪顶点探测器触发效率的研究

模拟了北京谱仪(BESⅡ)顶点探测器的触发判选系统,发现对于某些带次级顶点的衰变道,其顶点探测器触发效率较低.并由此对BESⅡ中与效率相关的物理过程作了讨论,给相应的触发设计者提供参考.     

BESⅡ物理分析中的多变量粒子鉴别方法

以北京谱仪(BESⅡ)上常用的粒子鉴别方法(联合TOF测得的飞行时间和MDC的dE/dx)为基础,尝试利用TOF的Q值和BSC的沉积能量,发展基于多变量的粒子鉴别.将新的方法应用于p/p的鉴别,对粒子鉴别的效率、误判率和引进的系统误差进行了仔细的研究,证明均比原来有所改善     

北京谱仪积分亮度测量的新方法

介绍了利用e⁺e^－对撞中双μ产生和双γ产生两种QED过程来测量积分亮度的新思路.前者的特色在于用单根径迹选择双μ事例,后者则是首次利用双γ事例测定亮度.两种方法分别用于1998年春季北京谱仪(BES)R值扫描6个能量点的积分亮度测量,所得结果的误差分别小于8.0%和7.5%,在误差范围内与大角度巴巴事例积分亮度值一致.     

固体径迹探测器在科学技术中的应用

一、引 言 固体径迹探测器是六十年代初发展起来的一种原子核径迹探测器,使用的材料是各种绝缘固体如云母、矿物、玻璃和塑料(聚碳酸醋、硝酸纤维、醋酸纤维等),可探测的粒子为各种重带电粒子如质子、a粒子、重离子和裂变碎片等.当具有一定能量的重带电粒子射入固体径迹探测器中时,在它们经过的路径上产生直线形辐射损伤径迹,径迹直径约几十埃.当把带有这种辐射损伤径迹的材料放入强酸或强碱溶液中时,重带电粒子径迹由于优先蚀刻作用而被显影和放大.蚀刻前的辐射损伤径迹可用电子显微镜观察,蚀刻后的径迹用光学显微镜就可看到.固体径迹探测…     

核微孔膜的制备及其研制设想

前言人们很早就在天然云母上发现了记录放射性矿物中裂变碎片和宇宙射线中高能带电粒子的径迹。不同能量和种类的带电粒子和裂变碎片打在云母、玻璃和有机聚合物等绝缘材料上,只要“离子”或“碎片”的能量大于这种绝缘材料的记录阈,它都能产生一个可记录的径迹。这种径迹通过不同的化学蚀刻条件就可以形成可观察的核径迹,它为研究重离子核物理提供测量反应出射道的带电粒子、裂变碎片的能量、质量和产额方面的信息。这就是50年代发展起来的固体核径迹探。     

低能电子在水介质中的输运过程

考虑到低能电子(能量下限为1eV)在水中输运时的电离,激发,俘获以及超激发引起的自电离等非弹性散射机制,并且考虑到OH⁺,H⁺等自由基的产生和分布,运用Monte Carlo方法模拟了电子在水中输运的径迹结构,揭示了电子在低能情况下输运时单条轨道的空间分布结构特点(云团,团点和短径迹等空间分布实体)和包含在大量轨道中的径迹结构的统计性质,并通过对比截止能量取30和1eV两种情况,分析了30eV以下的低能电子的作用.