光电子技术与器件 光探测与器件

O434．22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]／徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院．北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电．-2004,25(6)．-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434．22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]／周拥华(西安电子科技大学微电子研究所．陕西,     

光学仪器 X射线、紫外线及其仪器

O434．19 2005064486 X射线成像的一种点扩展函数模型=A point spread func- tion model for X-ray imaging[刊,中]/邵军明(北京航空航 天大学机械制造及自动化学院．北京(100083)),路宏年… ∥光学学报．-2005,25(8)．-1148-1152 在分析点扩展函数各个影响因素的基础上,建立了以 物体厚度、物体到探测器距离以及成像几何设置为参量的     

光电子技术与器件 射线探测技术与装置

O434．12 2005032159 微聚焦管硬X射线位相衬底成像=Phase-contrast imaging with microfocus X-ray source[刊,中]／陈敏(中科院上海应 用物理所．上海(201800)),肖体乔…∥物理学报．-2004, 53(9)．-2953-2957 利用微聚焦管硬X射线光源(光源最小聚焦尺寸约 0．5μm),采用同轴位相衬度成像方法,对新鲜的未经任何 处理的生物样品进行高分辨率的成像,清晰地获得了样品     

光学仪器 X射线、紫外线及其仪器

O434．12 2005032386 X射线数字化仪在弹道研究中的应用=Application of X- ray digital imaging instrument to ballistics study[刊,中]／ 田慧(南京理工大学瞬态物理国家重点实验室．江苏,南京 (210094)),袁伟群…∥南京理工大学学报．-2005,29 (1)．-46-48 研制了采用CCD逐行扫描技术的X射线数字化仪, 与Scandiflash射线源构成瞬态脉冲X射线诊断系统,并将 之应用于弹道研究。该数字化仪采用光电成像器件,将光     

光电子技术与器件 射线探测技术与装置

O434．1 2005010554 以碳纳米管阵到为场致发射阴极的X射线源研究=Research of X-ray source using carbon nanotubes based field- emission cathode[刊,中]／解滨(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陈波…∥光学学报．-2004,24(10)．-1434-1436 实验使用印刷方法将碳纳米管制备于玻璃基底,并作为X射线源的阴极。阳极材料为铜,其顶端为半球形(半径为2 mm)。高压电源输出在0-19 kV之间可调。射线     

光学仪器 X射线、紫外线及其仪器

O434．19 2005043172 同步辐射硬X射线衍射增强成像新进展=Diffraction-en- hanced imaging experiments in BSRF[刊,中]／黄万霞(中科院高能物理研究所,北京(100039)),袁清习…／／物理学报,-2005,54(2),-677-681 在北京同步辐射装置(BSRF)4w1A束线上,对衍射增强成像方法进行了研究,并对一系列生物医学样品及材料样品成像,得到了非常清晰的相位衬底图像。图5参19 (杨妹清)     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN144 2005053743 ICCD系统中对像增强器制冷降噪效果的分析=Research of reducing the ICCD system noise with TE cooler[刊, 中]／沈飞(北京理工大学光电工程系．北京(100081)),刘 广荣…∥光学技术．-2005,31(3)．-434-436,440 在ICCD摄像机上加装一个半导体制冷器,对像增强 器进行实时降温处理,以降低系统时空域噪声。为了评价 半导体制冷器对ICCD系统噪声的影响,运用三维噪声模 型对制冷前后系统的时空域噪声和信噪比进行了分析,发 现半导体制冷器能够有效地降低像管的噪声。图3表2 参11(王淑平)     

秦始皇兵马俑一号坑出土弓韬表面纺织品残留物的红外光谱及显微分析研究

为了研究秦始皇兵马俑一号坑第三次发掘出土弓韬遗迹表面的纺织品残留物,使用红外光谱仪、扫描电子显微镜、三维视频显微镜对其进行了分析。发现纺织品残留物的红外光谱在876 cm~(-1)波数处有纤维素中β-D-葡萄糖苷键的特征吸收振动谱带,在1 080 cm~(-1)波数处和1 033 cm~(-1)波数处有纤维素中葡萄糖环中C—O醚键的伸缩振动峰。结合样品红外谱图在动物纤维应有的峰位1 658 cm~(-1)左右和1 534 cm~(-1)左右未出现吸收峰推测弓韬表面的纺织品残留物为棉、麻类植物纤维编织而成。此外,样品红外光谱在1 637 cm~(-1)处有木质素中共轭羰基和■伸缩振动的重叠吸收峰,以及1 434 cm~(-1)处有纤维素与木质素中CH_2的弯曲振动峰。基于棉纤维在1 434 cm~(-1)左右无吸收峰,亚麻纤维在1 730和1 434 cm~(-1)附近有吸收峰,而苎麻纤维只在1 434 cm~(-1)附近有吸收峰的判断标准,推测弓韬遗迹表面的纺织品残留物为苎麻织物。扫描电镜分析发现样品表面形态均一,呈细微片状垒结,未见平行排列的纤维以及表面的节理信息。判断是因纺织品长时间埋藏、降解,导致纤维物理结构消失所致。三维视频显微镜测量结果表明,纺织品残留物的纺织密度为9×9根·cm~(-2),与其他遗址出土的纺织品痕迹相比经纬稀疏,密度并未达到制作服饰的要求。经纬线直径分别为(0.965±0.029)和(0.982±0.019) mm(95%置信水平),且通过独立样本t检验发现经、纬线径差异不显著。根据以上分析结果得出了弓韬制作之初在其表面曾缠绕过苎麻织物的结论,推测其用途为包裹以便于持握及加固弓韬。     

非线性光学 非线性光学器件

O437 2005021108 样品位置和光腰半径变化对折射型光限幅器性能的影响 =Effects of the medium location and the beam-waist radius on the operating performances of the refractive optical lim- iting devices[刊,中]／邓罗根(北京理工大学理学院物理 系．北京(100081)),李英兰…//量子电子学报．-2004, 21(4)．-434—439 以衍射理论为基础,通过数值计算,研究了以自聚焦 和自散焦为基础的非线性折射型光限幅器的光限幅特性, 探讨了样品盒的安装位置和人射光束腰斑半径的变化对 折射型光限幅器工作性能的影响。结果表明,折射型光限     

光学仪器 跟踪、瞄准、光电对抗设备

O434．12 2005053966 紫外告警系统探测距离的估算=Estimation of detectable distance for ultraviolet warning system[刊,中]／娄颖(北京 理工大学信息科学技术学院光电工程系．北京(100081)), 白廷柱…∥光学技术．-2005,31(3)．-473-475 介绍了紫外告警原理及紫外告警系统的结构组成。 基于典型目标(导弹)的紫外辐射特征和紫外辐射的大气 传输特性,结合紫外告警系统探测器件的性能参数,根据 像平面照度公式,提出了紫外告警系统探测距离的估算方 法及模型,实例计算并验证了紫外告警系统在不同观察方 位角对固体推进剂导弹的探测距离。分析研究表明,改变 (CCD)最小照度值,像管的增益,光学系统的透过率和相对 孔径等探测传感器的性能参数,可以提高紫外告警系统的 探测距离。图3表3参5(王淑平)     

光电子技术与器件 射线探测技术与装置

O434．1 2006065337屏蔽电缆对脉冲X射线响应的数值计算=Response of shielding cable to pulsed X-rays[刊,中]/李进玺(西北核技术研究所,陕西,西安(710024)),程引会…//强激光与粒子束．—2006,18(6)．—981-984结合蒙特卡洛方法和时域有限差分(FDTD)方法,计算了电缆受脉冲X射线辐照时介质层内的运流电流密度,并以此为麦克斯韦方程的源,计算得到了电缆两端接匹配负载时的芯线响应电流。该方法综合考虑了电缆芯线、介质层和屏蔽层的沉积电荷对芯线响应电流的影响。计算     

光电子技术与器件 光探测与器件

O434．22 2005042906 ZnO肖特基势垒紫外探测器=ZnO Schottky barrier UV photodetector[刊,中]／高晖(电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都(610054)),邓宏…／／发光学报,- 2005,26(1),-135-138 以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管 ZnO,并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag 叉指状电极,从而制作了Ag／n-ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表     

光学仪器 X射线、紫外线及其仪器

O434．12 2006065468强脉冲软X光辐照薄塑料闪烁体发光特性研究=Linear luminescence for thin plastic scintillators under intense soft X-ray irradiation[刊,中]/宁家敏(中物院核物理与化学研究所．四川,绵阳(621900)),蒋世伦…//强激光与粒子束．—2006,18(7)．—1215-1218介绍了Z-pinch实验用软X光功率仪的测量原理,利用“强光一号”产生的强脉冲软X光对薄塑料闪烁体((?)40 min×0．1mm)进行了辐照。实验中,采用两套软X光功率仪并安装在同一个大法兰面上．其中一套作为标准系统,参数保持不变,另一套系统的狭缝宽度逐渐增加,以改     

桌面型常温核聚变装置研制成功

美国物理学家开发了一种能在室温下运行的简单的桌面型核聚变装置．加州大学洛杉矶分校(UCLA)的BrianNaranjo、JimGimzewski和SethPutterman合作开发的这个装置是令氘核彼此撞击而产生a粒子、中子和能量．(来源：Nature434 1115)这种装置可以用作便携型中子发生器或是微型太空船的推进器，但是它不能作为一种能源，因为它在运行过程中吸收的热量要大于产生的热量．     

光电子技术与器件 光探测与器件

O434．22 2006065271 Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制=Development of Pt/CdS Schottky barrier ultraviolet detectors[刊,中]/秦强(昆明物理研究所．云南,昆明(650223))。朱惜辰…//红外技术．—2006,28(4),—234-237介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在γ= 440 nm处加两伏反偏时的响应率为0．17 A/W,内量子效率最大可达64%。图7参6(严寒)     

红外探测器TPS434低温、磁场性能研究

以商用高灵敏度红外探测器TPS434为研究对象,测量了其灵敏度随温度(280～10 K)、辐射的调制频率、磁场变化(0～6 T)的相关信息。从实验结果得到：TPS434的灵敏度随着温度降低而降低,随辐射的调制频率增加而衰减,但是低温下的衰减速率变缓,说明探测器的弛豫时间变短;热电堆的温差电动势在低温下会随磁场发生线性变化,可以通过线性拟合扣除磁场对测量结果的影响。由实验所得数据估算等效噪声功率NEP以及最小可检测功率Pmin,对TPS434作为THz探测器的可行性进行了分析。     

联苯乙烯类蓝色发光材料DPVBi的合成及发光性质研究

合成了联苯乙烯类蓝色有机发光材料DPVBi[4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，l′-联苯]，用^1H-NMR，IR，元素分析等方法对其结构进行了表征。以DPVBi作发光层制备了电致发光器件，其结构为：ITO／CuPc／NPB／DPVBi/Alq3／LiF／Al，研究了器件的电致发光性质。器件最高亮度达4 373cd/cm^2，最大流明效率为1．24 lm／w，在20mA／cm^2电流密度驱动下的亮度为434cd／cm^2，CIE色坐标为x=0．15，y=0．16，器件的蓝色发光具有较好的色纯度。重点对器件发光色度的稳定性进行了研究，结果表明，随电流密度(4～4 000mA／cm^2)的变化，器件色度具有很好的稳定性。     

J/ψ→ωπ+π-衰变道中σ粒子存在的证据

基于BESⅠ的7.8×106的J/ψ数据样本,研究了J/ψ→ωπ+π-衰变. 在反冲ω粒子的π+π-的不变质量谱中清楚地观察到了一个低质量端的突起,此突起既不来自相空间效应,又不来自本底. 根据分波分析,此低质量端的突起是一个0+ +的共振态,即σ粒子. 如果用常数宽度的Breit-Wigner函数来拟合σ粒子,其质量和宽度分别为384±66MeV和458±100MeV,与其对应的极点位置是(434±78)-i(202±43)MeV.     

Bright blue photoluminescence from a mixed tin and manganese oxide xerogel prepared via solben hydrothermalben gel process

A new blue photoluminescent material, a mixed tin and manganese oxide xerogel, is prepared via sol-hydrothermal-gel process assisted by citric acid. The composition xerogel exhibits strong blue emission at room temperature, with an emission maximum at 434 nm under short (234 nm) or long-wavelength (343 nm) ultraviolet excitation. The photoluminescent excitation spectrum of the mixed tin and manganese oxide xerogel, monitored at an intensity maximum wavelength of 434 nm of the emission, consists of two excitation peaks at 234 nm and 343 nm. With heat treatment temperature increasing from 110 ℃ to 200 ℃, the blue emission intensity increases remarkably, whereas it is almost completely quenched after being treated at 300 ℃. The carbon impurities in the mixed tin and manganese oxide xerogel, confirmed by Fourier transform infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, should be responsible for the bright blue photoluminescence.     

NNAL模拟模板分子印迹聚合物的合成与固相萃取性能

以三种4-甲基亚硝胺-1-(3-吡啶基)-1-丁醇(NNAL)的结构类似物即4-(N-甲基-N-乙酰基)-1-(3-吡啶基)-1-丁醇、4-(N-甲基)-1-(3-吡啶基)-1-丁醇、1-(3-吡啶基)-1,4-丁二醇为模拟模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,通过自组装技术制备了对NNAL具有良好识别能力的印迹聚合物．通过X射线光电子能谱和红外光谱研究了NNAL和MAA之间的相互作用,结果表明NNAL和MAA可以通过氢键协同作用形成1:2型配合物．吡啶上的N和亚硝基中的O是形成氢键作用的两个选择性识别位点．XPS和IR进一步揭示出由4-(N-甲基-N-乙酰基)-1-(3-吡啶基)-1-丁醇制备得到的印迹聚合物对NNAL有最佳的识别性能．此外,实验研究了该聚合物作为固相萃取填料分离、净化NNAL的最佳条件．当采用水溶液上样,分别以0.5 mL水、1 mL甲苯、1 mL甲苯/二氯甲烷(9:1)、1 mL甲苯/二氯甲烷(4:1)淋洗,3￡1 mL甲醇洗脱时,NNAL在分子印迹固相萃取柱上的回收率达到93%．以尼古丁为竞争分子的选择性实验进一步证明该材料有很好的特异性识别能力．同时在不同加标水平尿液(500 pg/mL,1000 pg/mL,2000 pg/mL)的回收实验中,NNAL的回收率范围为87.2%～101.2%,精密度值均低于7.1%．