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硅外延层电阻率测量值一致性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题,对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题,针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试 方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。 相似文献
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p型硅外延层电阻率的控制 总被引:1,自引:0,他引:1
计算表明,p型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证p型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性,除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外,还需十分严格地控制硅外延片的生长温度和速度。 相似文献
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本文利用附面层模型,研究了亚性米Si外延生长中,生长速率随时间的变化规律,分析不同不的硅源及不同的生长条件对其的影响。 相似文献
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探讨了多层硅外延中的自掺杂现象,研究了自掺杂的产生机理,分析了工艺条件对自掺杂的影响,提出了减小自掺杂的几种方法。 相似文献
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本文分析了一种新型恒流器件的特性和原理,由于采用恒流二极管供流和实现最佳温度补偿获得了非常稳定的输出电流。器件的动态阻抗大,电流温度系数H10-4/℃,恒定电流IH在5--500mA范围内具有连续可调等优点。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2017,(1)
为适应肖特基二极管降低正向导通电压和制造成本的需要,采用150mm的掺P硅抛光片为衬底,通过化学气相沉积制备高阻硅外延层。利用傅里叶变换红外线光谱、电容-电压测试等方法对外延电学参数进行了测试和分析。对平板式外延炉的流场、热场与硅外延层厚度、电阻率均匀性的关系进行了研究。在此基础上采用周期变化的气流在外延层生长前反复吹扫腔体,进一步降低了非主动掺杂的不良影响,结合优化的流场和热场条件,最终制备出表面质量优、均匀性好的外延层,满足了厚度和电阻率不均匀性都小于1.0%的目标需求。采用该外延材料制备的肖特基二极管的正向导通电压降低了17.1%,显著减小了功耗,具备了良好的应用前景。 相似文献
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研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10~5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。 相似文献
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