非晶态InSb及其亚稳中间相的霍耳效应和超导电性

实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应. 结果表明, 金属型非晶态InSb以电子导电为主, 半导体型非晶态InSb 以空穴导电为主; 金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程; 第三电导跃变是富In或富Sb 固溶体相在半导体InSb 晶界上析出并集中所引起的; 金属型非晶态I站b 的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质; 第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高, 可能主要起因于电子浓度的增加. 关键词：     

非晶态InSb和亚稳中间相的输运性质及其与超导电性的关系

低温凝聚 InSb 膜底板温度的改变可以诱导金属-半导体转变.金属型非晶 InSb 以电子导电为主,半导体型非晶 InSb 则以空穴导电为主;金属型非晶 InSb,在液 N_2温度和1kG磁场下呈现出电子-电子相互作用行为;金属型非晶 InSb 的结构弛豫,不仅可以导致近程有序度的提高,而且可能导致电子结构的变化;第一电导跃变主要起源于电子迁移率的大幅度增加,系统由类液非晶态弛豫到类点阵非晶态;金属型非晶 InSb 中,不同的结晶相变类型表现出不同的输运行为;金属型非晶 InSb 和亚稳中间相是载流浓度(n_o～10~(81)cm~(-3))最低的超导体系之一.且亚稳中间相的超导 Tc 与态密度有关,高的 Tc 值对应于高的态密度;准二维的层状结构对超导电性有利.     

低温凝聚InSb膜的相变和超导电性

本文研究了低温凝聚InSb膜的相变和超导电性,获得了以下新的实验结果:(1)第一次电导跃变是自发的,与InSb凝聚温度无关;(2)第二次跃变发生并达到峰值后,退火温度进一步升高,电导迅速减小,并伴随着结晶半导体相的形成。但实验证明它是一个亚稳结晶相,当退火温度再升高时,发生第三次跃变,形成的相也是一个金属相,但直到1.5K未出现超导电性;(3)第一次电导跃变后形成的金属相是超导的,其Tc随底板温度不同而不同。 关键词：     

低温凝聚InSb膜相变过程中的时间效应和超导电性

本文研究了低温凝聚InSb膜相变过程中出现的时间效应和超导电性,获得了几个重要结果:(a)低温凝聚InSb膜从发生第一次电导跃变以后到第二次电导跃变之前,样品处于同一非晶金属态,并且具有相同的超导转变温度T_c;(b)T_c和退火温度T_a的关系十分类似于电导随T_a的变化关系;(c)随着第二次电导峰值后的电导下降,在某些特殊的相变区R(T)超导转变中,样品由完全的超导电性逐渐过渡到部分的超导电性;(d)相变过程中存在显著的时 关键词：     

低温凝聚InSb膜相变过程中的结构及其超导电性

本文研究了低温凝聚LnSb膜相变过程中的结构变化及其对超导电性的影响,由X射线衍射分析发现一系列新结果,从而解释了低温凝聚InSb膜相变过程中的电导及相应的T_c本文指出对应于第二电导峰值的T_c是六方晶系(InSb)H的层状导电机制所致。 关键词：     

非晶态硫系化合物半导体的制备和电导特性的研究

本文对四种硫系玻璃半导体材料的制备工艺和电导的温度特性进行了研究,给出了室温下电导率及电导激活能的实验数据.把所得结果同国外工作进行了比较,并对一些问题进行了初步讨论. 一、非晶态半导体的电导率 根据Mott-CFO模型[1],非晶半导体的导电过程有四种不同的类型,即扩展态中的电导、带尾定域态中的电导、禁带定域态中的电导以及在低温下的变程跳跃电导,总的直流电导率同温度的关系可表示为其中第一项为扩展态中的电导率,第二项为带尾定域态中的电导率,第三项为禁带定域态中的电导率,第四项为低温变程跳跃电导率.对硫系玻璃半导体,一…     

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

采用迁移率谱和多电子拟合过程相结合的混合电导分析法，对分子束外延（MBE）生长的Hg_1-xCd_xTe材料的变磁场实验数据进行了处理．该方法可以将外延层中体电子对电导的贡献与界面电子的贡献区分开，通过对不同温度下变磁场数据的分析，表明该方法是准确和可靠的，可以成为一种半导体材料和器件的常规电学测试和分析手段 关键词：     

非晶态Zr—Si合金的结构弛豫和结晶化形为对超导电性的影响

采用单锟急冷法制备的金属-非金属型非晶态合金 Zr_(877)Si_(12.3)在不同温度下径一小时等温退火处理,超导临界温度 T_c 的测量结果表明,当退火温度远离结晶化温度 T_(cr)时,结构弛豫为一缓慢的过程,与金属-金属型 Zr 基非晶态合金的结构弛豫过程有明显的区别;随着结晶化过程的开始,超导临界温度 T_c 急剧下降.文章认为,超导临界特性的测量可以作为一种研究非晶态超导材料结构弛豫和结晶化过程的有效手段.     

第三届全国光散射学术会议简讯

第三届全国光散射学术会议于1985年11月7日至11日在武汉大学举行,出席会议的代表有60个单位的160人,会议上宣读的论文近100篇.内容包括用光散射方法对离子晶体、有机晶体和半导体非晶态等材料的结构、相变、光拆变及离子电导等方面的研究.布里渊散射的研究已从物理领域扩展到化     

单壁碳纳米管微分电导在高压和强磁场下的实验研究

单壁碳纳米管在高压下会发生结构相变，导致金属型的碳纳米管变成半导体.相变后碳纳米管中电子的库仑关联的表现形式发生变化，从Luttinger liquid行为转变成环境量子涨落行为.同时，相变后电子波函数的相位关联导致弱局域化行为的出现.为了研究库仑关联和相位关联之间是否有相互影响，使用金刚石对顶砧和液压自锁高压包在0—10 GPa准静压范围内测量了单层碳纳米管样品在低温和不同磁场下的微分电导随偏压的依赖关系.实验结果表明，相位关联和库仑关联是两种独立的效应，各自影响着电子的输运行为. 关键词： 单层碳纳米管 高压 微分电导     

LiIO3-NaIO3赝二元系相图及其非晶态晶化动力学的研究

本文对LiIOO₃-NaIO₃赝二元系的相图,相变,非晶态的形成和稳定性,以及晶化的动力学过程等进行了仔细的研究,LiIO₃-NaIO₃赝二元系属共晶体系,共晶温度为325℃,共晶点成份为含50m/o LiIO₃,用共晶点附近成份的试样,在超过熔点150℃的情况下首次获得碘酸盐的非晶态,非晶态的存在降低了LiIO₃的表观相变温度,强X射线的辐照,各种空气湿度,细粒度等因素都加 关键词：     

New phases in the phase transition in amorphous InSb films

In this paper the structures in the process of the phase transition in amorphous InSb film condensed at low temperature are studied by X-ray diffraction experiments. The highest T_c = 4.18 K is as a result of hexagonal phase. The results of the conductance and the critical temperature are explained by means of the experiments of X-ray diffraction in the process of phase transition.     

低温高压及高温高压对La80Al20非晶态结构及超导性的影响

用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La₈₀Al₂₀合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_cr为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压 关键词：     

Ni51Zr49非晶合金晶化过程的电子显微镜研究

用透射电子显微镜对Ni₅₁Zr₄₉非晶合金的晶化过程进行了研究,发现晶化初期首先从非晶基体上析出的是具有C心单斜点阵的NiZr＇相,a=0.3268nm,b=0.4101nm,c=0.5224nm,β=71.8°。与稳定相NiZr有很明确的取向关系:[100]_NiZr＇∥[100]_NiZr [001]_NiZr＇∥[110]_NiZr。它可以看成是NiZr相的亚稳态或超结构。随温度升高,逐渐转变成NiZr相。温度再高时,在非晶基体上还会析出少量Ni₁₀Zr₇相。晶化初期,无论是NiZr还是NiZr＇相,都是以多次孪晶的形式析出。孪晶有这两种基本形式,一种是以NiZr或NiZr＇的[021]方向为轴的180°孪晶,一种是以NiZr的[001]或NiZr＇的[010]方向为轴的36°旋转孪晶,其它孪晶为这两种孪晶方式的重复与组合。随着温度的升高,孪晶逐渐减少。 关键词：     

非晶态合金La72Si28晶化过程中生成的新亚稳超导相

本文报道了在非晶态合金La₇₂Si₂₈晶化过程中生成新亚稳超导相的实验结果。非晶态合金La₇₂Si₂₈是用液态急冷法制备的,该合金经250℃,30min热处理后,得到了一个新的亚稳超导相,该相具有正交结构,其晶格参数为a=9.121?,b=6.821?,c=3.833?,超导临界温度T_c为3.02K,高于目前已知的La-Si系超导相的T_c值。 关键词：     

Metastable phases in vapour-quenched Al78Cu22 film

The structure and structural changes of an Al₇₈Cu₂₂ (at%) alloy film produced by coevaporation onto a cooled substrate have been investigated with transmission electron microscopy. A series of metastable phase transitions were observed during the crystallization from the as-deposited amorphous phase to the final equilibrium state. The deposit structure at room temperature consists of a mixture of fine grained α' crystallites (fcc, α = 4.81 Å) with an amorphous phase, and some welldefined crystals with an fcc lattice (a = 7.18 Å, namely α₁). The subsequent annealing led to the grown crystals transforming to an ordered α′ phase. It is argued that the development of such a transition is the result of a gradual atomic rearrangement – first topologically then a chemically predominant disorder-order transition.     

Ni-Zr非晶合金晶化过程的透射电子显微镜研究(Ⅱ)——Ni67Zr33非晶合金晶化过程中出现的过渡区

用TEM研究了Ni₆₇Zr₃₃非晶合金晶化过程中亚稳相与稳定相之间存在的过渡区。在点阵像上亚稳相为宽的或宽窄相间的条纹,而稳定相为单一的窄条纹。过渡区中宽窄条纹的分布是随机的,看不出明显的规律。其电子衍射圈也没有平移对称性,可以看成亚稳态与稳定态的衍射谱之间的变化过程。以相同原子面不同堆垛间距的模型模拟了过渡区衍射强度的分布,与实际强度符合得很好。 关键词：