用铁磁共振方法同时测定单晶外延膜的Ku和K1

本文导出了兼具沿晶面法向感生单轴各向异性(K_u)和立方磁晶各向异性(K₁)的任一晶面沿任一方向的薄膜共振场公式,从而提出了同时测定K_u和K₁的一种方法。以(111)晶面为例,给出了具体方法和实验结果。     

YIG单晶铁磁共振(FMR)

本文介绍了三厘米波段测量极窄铁磁共振线宽△H的实验装置。采用磁场定向方法给待测样品YIG单晶小球定出(110)晶面,除测△H及g因子外,还能测定磁晶各向异性常数K_1,并对实验结果进行了讨论。     

气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光

本文在77K和N2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这些ZnSe外延单晶膜的质量较高。     

热处理对鑥铁氧体和锰铁氧体单晶铁磁共振的影响

本文观察了不同的热处理对于石榴石型的镥铁氧体(Lu₃Fe₅O₁₂)和尖晶石型的锰铁氧体(MnFe₂O₄)单晶的铁磁共振的影响。两次热处理分别为在700℃空气中加热1小时,和在700℃氧气中加热10小时,发现这样的热处理对K₁/M_s和g-因子无显著的影响,但却使共振线宽△H的各向异性显著减小,热处理对镥铁氧体的△H影响较小,但却使锰铁氧体的△H每经一次热处理后都成倍地增长。讨论了△H随热处理变化的原因,并由X射线衍射照相证实了锰铁氧体样品在热处理后有少量α-Fe₂O₃的脱溶。     

萃取催化光度法同时测定铁和钼

研究了在pH =5 5的弱酸性介质中 ,利用Fe(Ⅲ ) ,Mo(Ⅵ )对H2 O2 氧化邻氨基酚催化反应速率不同 ,用萃取平衡控制反应时间和水相中邻氨基酚的浓度及催化反应进行的程度 ,通过测量 4 2 4nm下有机相的吸光度 ,建立了萃取催化光度法同时测定铁和钼的新方法。同时测定铁和钼的线性范围分别为 0 0 10～ 0 0 30 μg·mL- 1 和 0 5 0～ 2 0 μg·mL- 1 。用于大豆中铁和钼的测定 ,结果满意。     

气相外延ZnSe单晶膜室温蓝色发射的复合过程

随着激发密度的增加,ZnSe外延单晶膜的室温蓝带Es′(～4650Å)表现出红移和展宽,其行为与77K时得到的相一致。在200-300K温度范围内,测得Es′谱带的热激活能为19meV,它与ZnSe晶体自由激子的束缚能20meV十分接近。上述结果从实验上进一步证明了ZnSe外延单晶膜室温蓝带Es′起源于受导带中自由电子散射的自由激子的衰减。     

催化动力学分光光度法同时测定铜和铁

研究发现 :在硫酸介质中Cu(Ⅱ )和Fe(Ⅲ )能同时催化溴酸钾氧化酸性铬蓝K的褪色反应 ,但二者存在一定的速率差异 ,反应速率常数之比随时间而变化 ,且吸光度的加和性不佳。运用了三层Levenberg Marquardt优化BP神经网络处理实验数据 ,实现了Cu(Ⅱ ) ,Fe(Ⅲ )的催化动力学分析法同时测定。研究了最佳反应和测定条件。用于合成样品和人发中铜和铁的测定 ,结果满意     

用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10~(16) cm~(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。     

ICP－AES法同时测定聚酯切片中的钛和铁

本文介绍ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定聚酯切片中钛和铁的方法。试样以干法分解，以硫酸，硫酸铵溶解残渣后进行测试。回收率为９３．５％－１００．６％，ＲＳＤ＜３．８３％     

差谱法同时测定铝合金中的微量铜和铁

本文是差谱法的一个应用实例。以盐酸羟胺为还原剂，用柠檬酸钠掩蔽Ａ１（Ⅲ）以防止生成氢氧化铝沉淀。在ＰＨ值８．３－９．５下，Ｃｕ（Ⅰ）及Ｆｅ（Ⅱ）能与邻菲罗啉生成有色络合物，加热能大大加快显色时间，在乙醇存在下可使Ｃｕ（Ⅰ）络合物至少稳定５小时，方法简便、准确。     

Si单晶上的GaP外延生长

最近,日本电子总研固体物性研究所,已研究成在Si单晶上外延生长GaP单晶的技术。GaP是一种宽禁带半导体材料。比较容易控制其导电类型(n型或p型),因而做为可见发光二极管(波长为7000(?)或5570(?))正在得到应用。 GaP发光二极管最有希望的应用,是文字或图像显示板上的应用。从这类应用的实施角度来看,必须要解决如下问题:要确立高发光效率的优质GaP单晶的制备技术及其批量生产技术。     

磁泡石榴石外延膜磁参数漂移的起因和抑制方法

本文研究了磁泡石榴石外延膜磁参数漂移的起因和抑制方法。我们认为石榴石外延膜磁参数漂移的主要起因是过饱和熔体的非自发成核和长大,并利用熔体营养料的有效浓度R_eff=R₄-R_n-R_e予以解释。外延过程熔体营养料浓度的消耗是R_n+R_e,而且R_n比R_e对石榴石外延膜磁参数的影响大得多。在回温控制过程中R_n=0,其熔体是相对稳定的。衬底的搅拌可加速熔体的非自发成核和长大。 关键词：     

VPE ZnSxSe1-x外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnSxSe1-x外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex-Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex-Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.     

Tween-80-5-Br-PADAP光度法同时测定微量铁和钴

研究了 5 Br PADAP与铁和钴同时显色反应及测定的适宜条件。试验证明 ,在 pH为 3 4的HAc NaAc介质中 ,显色剂与铁和钴形成稳定有色络合物 ,λmax均为 5 85nm ,铁量 0～ 10 μg·2 5mL-1,钴量 0～ 12μg·2 5mL-1符合比耳定律 ,表观摩尔吸光系数εFe585为 7 18× 10 4 ,εCo585为 9 2 7× 10 4 。据此测定水样中微量铁和钴 ,结果良好。     

气相外延ZnSe单晶薄膜的蓝色电致发光

本文在300℃—700℃温度范围内,在GaAs衬底上气相外延生长了ZnSe单晶薄膜。讨论了衬底温度对外延层电学性质及光学特性的影响。ZnSe外延层经Zn气氛热处理后,发光特性大为改善。用处理后的ZnSe外延膜做成MIS发光二极管,首次得到了室温下气相外延ZnSe单晶薄膜的蓝色电致发光。     

石榴石外延膜色散关系的确定和膜厚的测量

本文提出了确定石榴石外延膜的色散关系和测量膜厚的一种方法。充分利用分光光度计获得的透射光谱,在波长大于2μm,因而膜和衬底的吸收及色散近于可忽略时,由透过率的极值计算得到相应波长下膜的折射率。按干涉条件计算并推定出所有干涉极值的干涉级数,进而算出各干涉极值波长下膜的折射率。最后用最小二乘法求得科希色散公式的系数,从而得到该膜的色散关系。利用此色散关系就可计算膜厚。 关键词：     

VPE ZnSxSe1-x外延膜的生长及其光致发光

本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnSxSe1-x外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnSxSe1-x外延膜的质量较高。     

La1.4Sr1.6Mn2O7双层结构外延膜电子顺磁共振和输运性质

本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱，并测量了此薄膜材料的输运性质，发现在任一温度下，θ对ab平面上的铁磁态产生的普峰的共振场位置几乎没有影响：而在c轴方向上的铁磁－顺磁转变温度Tc^c以下，θ对c轴方向上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置有着显著的影响，其原因可能有两个，一是c轴和ab平面方向上的磁性质由于结构因素的影响存在着差异，即各向异性；二是在c轴方向上可能存在强烈的退磁效应，而在ab平面方向上退磁效应可以忽略不。输运性质测量表明外加磁场明显地抑制了样品的电阻率ρ，样品表现出较强的磁电阻效应。