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半导体二极管阵列激光器是高效、小型、全固态源.本文论述高功率二极管阵列激光器的性能和关键技术,并给出了它最新的进展和未来的应用. 相似文献
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大功率半导体激光器的阵列化技术 总被引:5,自引:1,他引:4
金菊其 《激光与光电子学进展》2001,(8):31-35
1 引言激光二极管随着大功率化发展 ,除通信及信息记录外 ,还在打印和显示、材料加工、医疗等许多领域使用。最近大功率激光二极管的件数和论文数急剧增加 ,在市场上销售大功率激光二极管的生产厂家数量增加、从产品的水平也可看到飞跃发展的大功率化、大规模化。激光二极管最基本的大功率化可以增加电流注入的条幅 ,称为宽展条幅 ,适用于固体激光的激励。在最近大功率化的开发尤其是波长 0 .81μm和 0 .98μm激光二极管的发展中 ,10 0μm的单条激光二极管报导的连续波最大功率为 10 W左右。但过分地增大条幅 ,容易产生横高次模振荡和丝状… 相似文献
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高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出 总被引:11,自引:0,他引:11
采用柱透镜对10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及多模光纤之间的耦合实验。激光器采用808nm波长、150μm条宽的发射单元,周期为1000μm,与200μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达75%,光纤输出功率7.5W,分析了影响耦合效率的主要因素。 相似文献
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大功率半导体激光器阵列的封装技术 总被引:3,自引:0,他引:3
半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域,成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用。着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。 相似文献
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从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。 相似文献
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在半导体制造工艺中,湿法清洗和刻蚀技术是其中重要的组成部分。文章着重介绍了半导体湿法清洗和刻蚀技术中化学品的化学配比和相关用途,并且重点讲述了化学品浓度控制的重要性及其常用的控制方式。 相似文献
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研究了不同的腐蚀液对InSb表面及台面腐蚀特性,利用金相显微镜和轮廓仪对样品表面形貌和制作精度进行了表征.通过大量的实验对比,得到一种对InSb有很好腐蚀特性的腐蚀液,腐蚀速度易于控制,晶片腐蚀后的表面比较光滑、均匀;对台面的钻蚀小,提高了台面的制作精度及器件的性能,解决了现有工艺中的难题. 相似文献
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分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(100 Hz,100 μs)输出功率达到 80W(室温),峰值波长为 978~981nm. 相似文献
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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续(500μs,100Hz)输出功率达到80W(室温),峰值波长为939-941nm。 相似文献
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文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar^+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。 相似文献
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衍射微透镜阵列用于面阵半导体激光光束匀化 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种用衍射微透镜阵列对面阵半导体激光光束进行匀化的方法,解决了折射型微透镜阵列难于实现高填充因子、高精度面型的难题。基于标量衍射理论,设计了具有多阶相位结构的衍射微透镜阵列,推导了半导体激光从输入面到输出面的光场计算公式。数值模拟了非成像型微透镜阵列光束匀化系统,并对其进行了实验验证。当衍射微透镜的口径为0.125mm,相对孔径为0.1,相位台阶数为8时,测得焦斑在快轴方向的不均匀性为12.34%,能量利用率为96.6%;慢轴方向的不均匀性为5.42%,能量利用率为95.74%。实验结果与理论模拟的结果吻合,验证了衍射微透镜阵列光束匀化系统模型的可行性。 相似文献