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微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波GaAs FET CAD、CAA基本原理基础上,着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法,接着介绍了一个直接从GaAsFET小信号S参数建立其大信号模型的新方法,上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。 相似文献
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一、前言甚高频发射机用的固体化功率放大器必须要求高稳定、高可靠和维修检测方便。作为放大器件,至今主要还是采用大功率的双极型晶体管。近十多年来,这种管子的输出功率逐步提高。目前,输出功率300~800W的固体化功率放大器已投放市场。由于这种双极型晶体管有以下特性:(1)低电压、 相似文献
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为判断微波功率放大器非线性失真的主要影响因素,首先,在传统幂级数模型的基础上对功率放大器的非线性幅度失真和相位失真进行拟合,基于包络分析法给出了功率放大器非线性失真与幅度和相位失真间的解析关系;其次,对幅度失真和相位失真引起的非线性失真进行了分析,给出了两者之间的等效失真关系式,据此可对任意给定的功率放大器进行分析,以确定非线性失真的主要影响因素,并用于指导模拟预失真线性化器的设计与调试;最后,通过对一Ka频段行波管放大器的非线性测试及模拟预失真线性化,验证了所提出的功率放大器非线性分析的正确性及幅相等效失真关系式的有效性。 相似文献
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研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0~ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 % 相似文献
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王殿宏 《内蒙古广播与电视技术》1999,(3):44-44
微波功率放大器的作用是为发射系统放大高电平信号,提供相当大的信号功率给负载──天线。因此,要求放大器工作在高电流、电压上,它的效率具有首要的重要性,另外由于放大器的输入信号电平高,微波功率管参数在整信号周期内都在变化,因此,失真成为问题。第三,由于是... 相似文献
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为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。 相似文献
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本文介绍了当前微大态功率放大器(SSPA)的性能,并对今后十年其远景性能做了预测。此预测结果对评价未来十年固态技术和真空技术之间的竞争是十分有用的。 相似文献
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本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。 相似文献
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1改造的必要性早在 1986年 10月 ,地球站正式开播以前 ,由于当时卫星发射失败 ,各省准备放弃模拟 ,采用数字压缩广播电视信号 ,五省共用一个卫星转发器传送广播电视信号。根据当时卫星转发器 EIRP值和我站 12米天线的增益计算 ,要求高功放发射功率应小于2 0 W,而瓦里安 VZJ 2 70 0 M微波高功率放大器末级采用大功率速调管 (VR936) ,最大输出功率为 3.35 k W,现输出功率 2 0 W,功率利用率不到 1% ,而速调管功耗特大 ,最小功耗 (0 W输出 )也大于 9k VA ,大功率风冷机 (380 V×2 .8A )噪声大。针对这种浪费现象 ,我们向瓦里安公司提出… 相似文献
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介绍了 C 波段低端的 Ga As F E T 压控振荡器( V C O)。这种振荡器采用混合参数设计技术,选用新型场效应晶体管( F E T)反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素,提出并解决了一些技术难题,给出了测试结果。结果表明这种 V C O 具有较大的优越性。 相似文献