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通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称线性结击穿电压公式。可以方便地计算出非对称线性结的击穿电压。 相似文献
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在InP衬底上用通常用晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y〉0.53)In0.53Al0.46As/InyGa(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导〉20mS/mm。相邻的(互补的)n-沟HIGFET也显示e型工作(阈值Vth=0. 相似文献
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一种专用高频小功率n—p—n对管 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述了X84高频小功率n-p-n对管的特点、性能指标及其应用,着重从工艺角度对管子的制作进行了分析研究,针对其难点提出了一些有效可行的控制方法。 相似文献
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基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性. 相似文献
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基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性. 相似文献
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本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Si p -n 结的实验结果,与过去报道的用离子注入法昨的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级^[4],这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。 相似文献
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本文介绍一种新的n ̄+p ̄+p-n结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅CMOS工艺的重要区别在于,采用n ̄+p ̄+p-n结隔离技术,芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜,场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了n ̄+p ̄+p-n结隔离击穿与n ̄+,p ̄+区掺杂浓度p-n结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。 相似文献
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采用静电计测量了BF ̄+2、F ̄+B ̄+和Ar ̄++B ̄+注入硅RTA二极管的反向漏电流;借助高压透射电镜观察了BF ̄+2、F ̄++B“和Ar ̄++B ̄+注入硅RTA剩余损伤;深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明,1)BF ̄+2注入二极管的反向漏电流最小,2)注入层剩余损伤和RTA期间导致的热应力可能是影响二极管反向漏电流的主要原因。 相似文献
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化学沉积法制备Pt/n—GaAs肖特基结 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了一种化学镀铂液在n型(N_D=10~(16))单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。 相似文献
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具有缓变结的蓝色有机电致发光器件 总被引:1,自引:1,他引:0
针对通常的突变异质结(HJ)结构的蓝色有机发光器件(OLED)稳定性差这一难题,制备了一种具有缓变结(GJ)的蓝色OLED,在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间构成GJ.与常规的HJ OLED相比,具有GJ器件的稳定性明显提高.在初始亮度为100 cd/m2时半寿命达到6998 h,是一般HJ器件的6倍.这主要是因为削弱了突变HJ产生的局部高电场,减少了产生的焦耳热,从而提高了器件的稳定性.但是,GJ器件效率相比HJ没有提高.因为GJ增大了空穴注入,空穴是多数载流子,这样不利于载流子的平衡.为了补偿效率损失,在TBADN/Alq界面上插入Gaq薄膜.由于Gaq的LUMO能级在Alq和TBADN的LUMO能级间,形成了从Alq经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率.这种GJ Gaq器件的效率比一般GJ器件提高20%,寿命是HJ器件的7倍. 相似文献