氟化氩离子准分子真空紫外辐射

利用激光等离子体软Ｘ射线为激励源，首次观察到离子性氟化氩准分子在１２５ｎｍ附近的真空紫外辐射，其实验结果与理论计算值符合很好。     

类铟钡离子辐射光谱的相对论识别

用全相对论多组态自洽场方法，计算了高离化类铟钡离子的1s、2s、2p_、2p、3s、3p_、3p、3d_、3d、4s、4p_、4p、4d_、4d、4f_、4f、5s、5p_、5p、5d_、5d、5f_、5f、5g_、5g、6s、6p_、6p、6d_、6d、6f_、6f、6g_、6g、7s、7p_、7p、7d_、7d、7f_、7f、7g_、7g轨道的3090个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。波长的计算值和实验值符合得较好。另外还发现了一些辐射寿命较长的亚稳态能级。     

25≤Z≤35类氟离子能级和相干辐射波长的MCDF计算

本文用相对论多组态Dirac-Fock广义平均能级(MCDF-EAL)模型,计算了可形成软x射线区相干辐射的可能的类氟等离子体型激光工作物质:25≤Z≤35的类氟离子2s~22p~5、2s~22p~43l、2s2p~53l、2p~63l组态共113条能级,以及上述单激发态M亚壳层至2s~22p~5态的~2P_(3/2)、~2P_(1/2)和2s2p~6态的~2S_(1/2)能级全部允许跃迁的强相干辐射波长值。从上述的波长理论计算值与实验观测值对比,可知我们的计算结果是相当可靠的。     

Ar+离子与原子碰撞中真空紫外辐射

对Ar⁺离子与He,Ne,Xe原子碰撞中的真空紫外辐射进行绝对测量,观察到入射离子的电离激发过程和靶原子电离激发过程,并以Fano和Lichten的电子提升分子轨道模型和非绝热分子轨道相关图对此进行定性解释。 关键词：     

反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe     

A1Ⅱ离子3snp^1p1序列能级辐射寿命的非单调变化

本文考虑了一价铝离子双激发干扰态３ｐ４ｓ＾１ｐ１＾０对ｓｎｐ＾１Ｐ１＾０Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的强相互作用，多组态ＨＦＲ自洽场方法计算了Ａ１Ⅱ３ｓｎｐ＾１Ｐ１０（ｎ＝３－１０）序列能级的辐射寿命，与已有的实验和理论计算结果进行了比较，结果表明该序列能级寿命随主量子数ｎ呈现非单调变化。