一类新颖含C60复合材料的合成及其光限制效应的研究

报道了在Ｃ６０与ＮＨ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３中的胺基反应生成Ｃ６０－ＮＨ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３物质后引入ｒ－缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「ＣＨ２ＯＣＨＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，３－Ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ，简称ＫＨ５６０」与二甲基二乙氧基硅烷「（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２，Ｄｉｅｔｈｏｘｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

关于磁场强度H的进一步讨论

本文首先阐明磁场强度Ｈ与哪些物理量有关，并指明磁化电流分布和介质分布的区别与联系；其次论证了Ｈ与磁化电流分布无关和Ｈ只与传导电流分布有关的条件以及两者的区别与联系．     

用LCAC—SW法计算H＋H2（0）→H2＋H一维共线反应几率

用排列通道线性组合散射波方法计算了一维共线反应Ｈ＋Ｈ２（０）→Ｈ２＋ＪＨ的反应几率。在采用较小基组的情况下，得到了与精确量子计算数值相吻合的结果。     

H^＋n团族形成的Guo氏理论与结构计算

对于Ｈ＾＋ｎ的形成，Ｇｕｏ清泉教授指出，可先以Ｈ＾＝离了为中心瞬时地分别与周转个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单民子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＾＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＾＋ｎ团簇。     

芳香氮化物-CHCl3系列复合物密度泛函法研究

报道对芳香氮化物吡咯（Ｃ４Ｈ５Ｎ）、苯（Ｃ６Ｈ５ＮＨ２）、对位氯代吡啶（Ｃ５Ｈ４ＮＣｌ）、吡啶（Ｃ５Ｈ５Ｎ）及吡咯负离子（Ｃ４Ｈ４Ｎ＾－）与三氯甲烷（ＣＨＣｌ３）形成的系列弱作用复合物的理论计算结果。把复合物看作是一个超分子在密度泛函Ｂ３ＬＹＰ／６－３１１Ｇ（ｄ,ｐ）的水平上进行计算,探讨该系列复合物的稳定性规律、电荷转移及主要几何参数变化等规律,计算结果表明：此类芳香氮化物与三氯甲（ＣＨ３ｌ３）     

关于磁场强度H的一点讨论

本文指明磁场强度Ｈ的环流与磁化电流无关，而Ｈ本身却与磁化电流有关，并用矢量场理论严格给出证明．     

H_n~ 团簇形成的氏理论与结构计算

对于Ｈ＋ｎ的形成，艹勾清泉教授指出，可先以Ｈ＋离子为中心，瞬时地分别与周围（ｎ－１）个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单电子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＋ｎ团簇。对采用此模型计算的Ｈ＋ｎ（ｎ＝５，７，９，１３）的正多面体中心结构结果，作了规律性的总结，获得了对Ｈ＋ｎ团簇结构的进一步认识     

低密度聚乙烯光引发交联机理Ⅲ．模型化合物n－C＿（24）H＿（50）的￣（13）CNMR研究

用溶液高分辨￣（１３）ＣＮＭＲ谱首次研究了由二苯甲酮（ＢＰ）光引发低密度聚乙烯模型化合物直链烷烃ｎ－Ｃ＿（２４）Ｈ＿（５０）交联所产生的Ｈ型交联点的结构特征．现已检测和鉴定了光交联样品中与Ｈ型交联点相联系的－ＣＨ，α－ＣＨ＿２和β－ＣＨ＿２上碳的共振谱线，其数据与Ｈ型交联点模型化合物、γ－辐射交联正烷烃和聚乙烯所得到的结果符合得很好．在４０．８３ｐｐｍ处出现的一个新峰可指认为Ｈ型文联点的次甲碳，其相应的３１．５７和２８．３７ｐｐｍ处的另外两个新峰分别指认为相邻的α－ＣＨ＿２和β－ＣＨ＿２上碳的共振．本工作中的定量研究表明：在真空和熔融态条件下莱外光照３－５ｍｉｎ的样品中Ｈ型交联点的数目据估计为每１００００个碳原子８．５～１１．０个．     

氯代甲烷分子对电子激发态CH（A^2△,B^2Σ^—和C^2Σ^＋）的猝灭

本文用激光光解－荧光猝灭方法测定了ＣＨ３Ｃｌ对ＣＨ（Ａ，Ｂ和Ｃ）及ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和ＣＣｌ４对ＣＨ（Ｃ）的猝灭速率常数。结果表明，氯代甲烷分子对ＣＨ（Ｃ）的猝灭速率常数近似于ＣＨ（Ｂ）的猝灭速率常数，而比ＣＨ（Ａ）的猝灭速率常数大，但都具有与气动速率相当的量线，表明化学反应在其中可能起着重要的作用，且ＣＨ（Ａ，Ｂ，Ｃ）的猝灭速率常数都随氯代甲烷分子中的Ｃ－Ｃｌ键数的增加而增大。我们用碰撞络