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屏蔽体的屏蔽效能(屏效)与入射电磁场的频谱直接相关,所以屏效通常是一个频域的概念。如何用时域法即脉冲电流注入法测量电缆的频效是我们感兴趣的,时域法与频域法之间的关系需专题研究。由于脉冲是一个宽带信号,而频域内耦合最强的某个频率在脉冲中所占的份额通常较小,因此由脉冲法计算出来的屏效可能比频域法的大得多。 相似文献
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考虑黄玮提出的新混沌系统,给出了该系统的脉冲控制与同步的充分条件, 并通过仿真实验验证了所给充分条件的正确性.在所给的充分条件中,所选取的矩阵B不必是对称矩阵,因此所给条件有更大的实用性. 相似文献
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针对同步感应线圈炮常用的导体圆筒式电枢,结合电流丝法,建立了电枢温升计算模型;通过搭建三级同步感应线圈炮试验平台,验证了计算模型的正确性,并分析了电枢材料和剖分设置对电枢温升计算的影响。结果表明:发射过程中电枢的最高温升位于其底部外侧,电枢前端也有较高温升;当调节载荷使铜、铝电枢等质量时,前者的温升虽然更高,但温升对其发射效率的影响却小于后者,这是因为铜的电阻率温度系数小于铝;电枢的剖分设置对电枢温升的计算的影响比较明显。因此从电枢温升对发射过程的影响来看,铜电枢比铝电枢更适合用于高速发射。 相似文献
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针对同步感应线圈炮常用的导体圆筒式电枢,结合电流丝法,建立了电枢温升计算模型;通过搭建三级同步感应线圈炮试验平台,验证了计算模型的正确性,并分析了电枢材料和剖分设置对电枢温升计算的影响。结果表明:发射过程中电枢的最高温升位于其底部外侧,电枢前端也有较高温升;当调节载荷使铜、铝电枢等质量时,前者的温升虽然更高,但温升对其发射效率的影响却小于后者,这是因为铜的电阻率温度系数小于铝;电枢的剖分设置对电枢温升的计算的影响比较明显。因此从电枢温升对发射过程的影响来看,铜电枢比铝电枢更适合用于高速发射。 相似文献
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针对大电流注入探头应用于大电流注入等效强场电磁辐射试验时阻抗容易发生非线性变化的问题,通过分析大电流注入的方式,对现有的商品化电流探头进行了线性度测试。测试结果表明,注入功率增大,不同频点的线性误差也随之增大。提出了研制大功率高线性度电流探头的方案,进行研制并通过了测试。自行研制的电流注入探头最大耐受功率可达500 W,插入损耗随注入功率变化具备良好的线性度0.3 dB @ 1−500 W,可以满足开展大电流注入等效强场电磁辐射效应试验的技术需求。 相似文献
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DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发:第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管;第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关;第三级由多路触发开关和触发箱组成,触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号,通过耦合电容,到达开关的触发脉冲上升沿,约为40 ns,脉冲半高宽约60 ns,上升陡度大于0.67 kV/ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关,电压工作范围20~40 kV,不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4 ns,同一发次不同开关的放电时间分散性小于20 ns。在工作电压20 kV,主放电开关充0.115 MPa氮气时,整机负载电流达到约1 MA。 相似文献
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DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发:第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管;第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关;第三级由多路触发开关和触发箱组成,触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号,通过耦合电容,到达开关的触发脉冲上升沿,约为40 ns,脉冲半高宽约60 ns,上升陡度大于0.67 kV/ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关,电压工作范围20~40 kV,不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4 ns,同一发次不同开关的放电时间分散性小于20 ns。在工作电压20 kV,主放电开关充0.115 MPa氮气时,整机负载电流达到约1 MA。 相似文献
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本文针对感应电能传输系统分岔频率的输送控制问题, 提出一种基于延时干扰的变轨控制方法. 该方法在反馈控制环节中加入一段延时干扰, 通过调节延时参数, 可使系统相轨迹流在各稳定极限环吸引子间自由切换. 文中以原副边均为串联谐振的感应电能传输系统为例, 对该方法的机理及实现方案进行了研究, 并通过仿真和实验验证了其有效性. 论文的研究结果对类似多吸引子分岔行为的输送控制可提供一定的理论参考.
关键词:
感应电能传输
频率分岔
输送控制
延时干扰 相似文献