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低频数字相位测量仪在工业领域中是经常用到的一般测量工具,主要应用于同频率正弦信号间的相位差的测量显示。本系统采用复杂可编程逻辑器件EP1K1000C208-3作为数据处理及控制核心,由移相网络,信号处理电路,数据采集电路,数据运算电路以及显示电路组成。该系统硬件电路简单,整个设计采用VHDL(超高速硬件描述语言)语言作为系统内部硬件结构的描述手段,在Altera的maxplusⅡ的软件支持下完成。该系统可以对200Hz~20kHz频率范围内的信号进行高频采样处理,并把收集到的数据送入FPGA进行相位差测量运算并送显示电路显示,测相绝对误差不大于±0.5°。本系统充分利用FPGA对数据的高速处理能力,使得系统设计高效,可靠。与传统相位测量仪相比,该系统具有处理速度快、稳定性高、性价比高,易于实现的优点。该系统具有较强的实用价值和良好的工程应用前景。 相似文献
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基于CPLD的低频数字相位测量仪 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种基于CPLD(复杂可编程逻辑器件)的低频数字相位测量仪。采用等精度的测量方法,系统可以准确测量出两个相同频率信号的相位差。CPLD部分进行数据采集,完成分频、鉴相、门控、同步、计数、锁存、数据选择等逻辑功能;单片机部分对数据进行处理,完成数据的读取、运算、数据类型转化、循环扫描显示控制等功能,并将待测信号的相位差显示在八段数码管上。 相似文献
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相位噪声对接收机性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在现代接收机中,各种高性能接收机如大动态、高选择性、宽频带解调等都受相位噪声限制。尤其在目前电磁环境越来越恶劣的情况下,接收机经过混频从强干扰信号中提取弱小有用信号是非常重要的。本文结合工程实际应用,研究了相位噪声对接收机性能的影响,具有广泛的实用价值。 相似文献
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基于相位相关算法的研究与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
相位相关算法是一种应用很广泛的图像匹配方法,它具有对噪声有较高的容忍度、检测结果与照度无关以及受几何失真小等突出优点。它与极坐标变换相结合可以得到旋转不变相位相关算法,两者可以对目标进行判准并精确检测出平移量和旋转量。本文对它们进行了分析和仿真,证明了算法的优越性,并在仿真过程中对旋转不变相位相关算法进行了优化,且达到了提高匹配精度和减少计算量的目的。 相似文献
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直接数字式频率合成器相位截断误差的分析 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了直接数字式频率合成器的原理以及相位截断的概念,并给出了相位截断误差的表达式,最后给出了直接数字式频率合成器无相位截断误差的设计方法,并给出了实验结果。 相似文献
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由于低频噪声的随机性、复杂性,采用了PC机和PIC单片机2部分组成低频噪声发生器。只需用户拖动鼠标绘制一个噪声波形,就可输出此噪声波形。介绍了该发生器的软、硬件设计,给出了具体的实现方法。特别是在VB开发环境下,运用VB提供的通讯控件实现PC机与PIC单片机之间串行通信的方法,以及为保证通讯的正确性和可靠性,系统采用的各种校验方法。整机系统稳定性高,使用方便灵活,满足了科研、实验教学中对各种低频噪声信号的要求。 相似文献
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介绍了一种S波段低相噪捷变频频率综合器设计方法。由于采用DDS+PLL的方式使此频率综合器相噪优于-115dBc/Hz@1kHz,跳频时间小于5us。 相似文献
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Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计方法。对接收本振源和发射激励源采用一体化设计,由于采用DDS PLL的方式,使此频率综合器在Ku频段上相噪优于-90dBc/Hz@1kHz,跳频时间小于10μs,激励源在Ku频段输出线性调频信号。 相似文献
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综合应用锁相环(PLL)、直接数字合成(DDS)等技术,设计一种具有宽频带、小频率步进、高稳定性、低相位噪声等特点的频率合成器。主要技术指标为:频率步进1 Hz,最大频率控制误差优于4.5×10-4Hz,在10 kHz处相位噪声为-100 dBc/Hz。与传统的多环路设计方法相比,新的设计更能够满足高集成度、低成本、灵活通用的需求。并且可极大提高电路调试效率。 相似文献
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介绍了一种低相位噪声、快速转换频率合成器的设计与实现,采用DDS、变带宽、频率预置等多种措施,频率转换时间〈80μs,并对实验结果进行了分析讨论。实验结果表明,该合成器相位噪声具有良好、锁定时间短,适合在超短波电台中应用。 相似文献
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一种高精度频率测量系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种高精度频率测量系统的设计方法,应用单片机技术将多周期同步法和量化时延法相结合,实现了频率的高精度快速测量。应用该方法设计出来的测量系统不仅体积小、成本低,而且在不需要复杂的传统等精度频率测量控制的情况下,利用其单片机的自身特性,实现宽范围内实用、简单而且精度较高的等精度频率测量,具有较好的实用价值。 相似文献
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介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计。该电路采用0.35μm BiCMOS SiGe工艺制作。1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55~125℃温度范围内,电路的工作频带为20 MHz~2.4 GHz,功耗电流约40 mA。数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在21~28间变化,数据输入端与TTL/CMOS电平兼容。 相似文献