ω-2ω双色场相位控制电离:隧穿电离与过势垒电离的比较

对于在ω-2ω双色场作用下的原子,在两种不同电离机制下探讨了电离过程的相位效应。结果发现在隧穿机制下总电离率随相对位变化呈“∩”形,而在过势垒机制下呈“∪”形。研究说明利用双色场对原子电离过程进行相位控制是可行的。     

不同维度模型原子隧穿电离研究

本文数值求解一维和二维模型原子在强激光场作用下含时Schr??dinger方程,研究了在隧穿电离区相同基态能量和相同峰值场强条件下二者的电离速率,发现一维模型计算得到的电离速率比二维的结果大很多.产生该电离速率差别的原因是不同维度下束缚电子所需隧穿的含时势垒的不同.     

双色强激光中原子电离率与相位关系的数值研究

用Kulander等人发展的方法计算了双色光电离率随φ的变化,发现了当双色光场强度超过阈值时R-φ关系的转变,与经典方法计算的结果作了比较。     

双色场中钾原子的量子干涉现象

采用多态展开方法,对里德堡钾原子与双色场相互作用时诱发的量子干涉效应进行了研究计算,讨论和分析了布居数跃迁过程中的干涉相长及相消的原因.     

相对相位对双色激光场中线性多原子分子离子增强电离行为的影响

利用短时指数传播子的对称分割法,数值求解了一维情况下的含时薛定谔方程,研究了一维多原子分子离子在双色(基频:780nm,二倍频:390nm)激光场中的增强电离行为,给出了相对相位对不同核间距处的电离概率的影响.计算结果表明,在发生增强电离行为的核间距处,相对相位对电离概率的影响最为显著.用标准静场电离模型给出了合理解释. 关键词： 双色激光场 相对相位 增强电离     

全息干涉计量中干涉计量场的统计特性

本文运用统计学方法推导了全息干涉计量中散斑计量场的统计特性.证明了:干涉计量场的复振幅为复圆高斯随机变量;干扰计量场强度的概率密度服从负指数分布;散斑干涉计量场的系综平均值代表变形信息.     

双色激光场中线性多原子分子离子增强电离行为的研究

利用短时指数传播子的对称侵害法,数值求解一维情况下的含时薛定谔方程,研究了一维多原子分子离子在双色（基频：780nm,三倍频：260nm)激光场中的增强电离行为,给出了相对相位对不同核间距处的电离几率的影响。计算结果显示,在发生增强电离行为的核间距处,相对相位对电离几率的影响最为显著。最后,文中用标准静场电离模型给出了合理解释。     

理论研究强激光场中2pz态氢原子的电离

运用强场近似速度规范理论研究了激发态氢原子的电离情况,当 a.u. 时（ω是激光场的频率,γ是Keldysh绝热参数）,在线性极化激光场中推导了2pz态氢原子电离率的简单表达式,从公式中可以看出在低频极限的情况下,电离率和激光场频率ω成正比,这一公式对激发态氢原子电离机制的研究提供了重要的理论参考。     

理论研究强激光场中2pz态氢原子的电离

运用强场近似速度规范理论研究了激发态氢原子的电离情况,当ω1a.u.,γ1时(ω是激光场的频率,γ是Keldysh绝热参数),在线性极化激光场中推导了2pz态氢原子电离率的简单表达式,从公式中可以看出在低频极限的情况下,电离率和激光场频率ω成正比,这一公式对激发态氢原子电离机制的研究提供了重要的理论参考.     

强光场中原子的电离速率

以静态场隧道电离为基础,在准静态近似的条件下,对描述强光场中原子及其各阶离子电离的电离速率进行了较为系统的总结,纠正了早期对隧道电离的电离速率公式进行讨论并且后来的计算中被广泛引用的文献「１０」中公式的错误,地部分稀有气体原子及其各了子在线偏振、圆偏振强光场中的了速度及相应的阈值光强进行了比较。     

反旋双色椭圆偏振激光脉冲驱动的氩原子非次序双电离对椭偏率的依赖

利用三维经典系综模型系统地研究了反向旋转双色椭偏场中Ar原子非次序双电离对椭偏率的依赖。数值结果显示双电离发生的概率随800 nm激光场椭偏率增大而增大,随1 600 nm激光场椭偏率增大而减小。这是因为当固定1 600 nm激光场椭偏率时,电子的返回概率和碰撞能量随800 nm激光场椭偏率增大而增大。而当固定800 nm激光场椭偏率时,电子的返回概率和碰撞能量随1 600 nm激光场椭偏率增大而减小。在两椭圆激光场的长轴沿x方向条件下,当1 600 nm激光场椭偏率为0.3时,离子动量分布由x负半轴向x正半轴移动。随着1 600 nm激光场和800 nm激光场椭偏率的增大,离子动量分布逐渐在y方向扩展最终形成一个分布于x轴两侧的两层结构。     

利用全息干涉层析重构三维折射率场的新方法

介绍了一种新的重构三维折射率场的方法。该方法利用一个共焦检测系统对被测对象的像面全息干涉图进行三维扫描，并记录干涉强度，通过对强度数据的处理，可以重构出三维折射率场。这种方法原理简单，不需要进行多方向的全息干涉记录和复杂的重构过程。给出了初步的试验结果，证明该方法是可行的。     

双势阱产生正负电子对过程中的正电子波干涉与克莱因隧穿现象

通过将狄拉克场量子化并且数值求解狄拉克方程的方法研究在一维情况下双势阱激发正负电子对产生的过程.研究发现双势阱激发的正电子波在双势阱之间会出现干涉现象,过程中伴随着克莱因隧穿效应,并且在双势阱之间的距离取正电子波对应的驻波条件时,在双势阱之间会表现出驻波形式的正电子干涉波.并且驻波的出现对正负电子对的产生过程也存在相应的影响,驻波最终会通过克莱因隧穿效应衰减消失.     

无质量手性狄拉克费米子的克莱因隧穿

无质量手性粒子在势垒中的隧穿被研究.粒子在势垒中的透射概率被详细计算,手性粒子在势垒中的运动特征也被阐明.本文用简单的物理观点来解释克莱因隧穿,这对深入理解量子力学中势垒隧穿十分有益.     

Vaidya-Bonner黑洞的费米子隧穿

运用费米子隧穿的理论,对Vaidya-Bonner黑洞的费米子Hawking辐射进行研究.使用随动坐标变换,并假设γ^μ矩阵的一个合理形式,从而得到了Vaidya-Bonner黑洞的自旋为1/2的粒子的隧穿辐射行为. 关键词： Vaidya-Bonner黑洞 Dirac方程 Hawking辐射 费米子隧穿     

电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响

研究了双量子点系统中的电子隧穿动力学过程，在考虑电子与声子相互作用的情况下用基于 正则变换的微扰方法解析地得到了电子动态隧穿电流的表达式. 并且详细分析电子与声子耦 合引起的退相干问题，在此基础上指出了可能的退耦机理. 关键词： 电声子相互作用 双量子点 隧穿     

双磁垒中电子的隧穿效应

采用平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,计算了在半导体异质结上沉积带状导电薄膜(通有电流)或I型超导材料产生的两种类型的双磁垒体系的电子隧道结构,以及相应的弹射(ballistic)电导,得知这两种体系的电子隧穿情形差异较大,而它们的电导结构却很相似.     

强激光场原子隧道电离的研究新进展

光与物质的相互作用一直是科学的主旋律之一.随着超强超短激光技术的快速发展,如今人们可以研究单个原子的内部世界,并调控光与电子的相互作用,从而实现了对原子内电子的超快动力学过程的探索.强激光诱导的原子隧道电离是众多强场物理现象的基石,具有重要的研究意义,也是研究前沿的热点之一.综述了强场原子隧道电离的最新研究进展,基于隧...     

控制原子非顺序双电离的新方法——双色场方法

电子关联是自然界中的一种普遍现象，它决定了物质的宏观结构，影响着化学反应，它也是物质超导性的本质原因。因此电子关联的研究是目前的一个热点。在强场激光脉冲作用下发生双电离的原子产生的电子对体现了强烈的相关性，它为我们研究电子相关性提供了一个新的途径。     

基于传输线的单负材料双层结构的隧穿性质

通过传输线方法实现了负介电常数(ENG)和负磁导率(MNG)材料,并在实验上研究了由两种单负材料组成的双层结构(ENG-MNG)的电磁隧穿性质.结果表明,两种单负材料均不支持电磁波的传播,然而ENG-MNG双层结构在结构的平均介电常数和平均磁导率分别为零的条件下,具有完全隧穿模,并且这一隧穿模不随着结构尺度的改变而改变.在隧穿频率点,通过对ENG-MNG双层结构中电场分布的模拟与测量,实验上观察到了倏逝场的指数放大.