YBa_2Cu_3O_（7－x）和GdBa_2Cu_3O_（7－x）薄膜中涡旋

本文给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据．在有α方向晶粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流动的某些特征．这些结果可以在涡旋玻璃理论，Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型以及热激活磁通流动模型框架内给于很好的解释．     

RBa2Cu3O7—x（R=Y,Yb）形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的…

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究。结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同，Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成：Ｙ２Ｏ３＋４ＢａＣＯ３＋６ＣｕＯ＋１－２     

PrBa2Cu3O7中的Pr—O共价因素及其影响

本提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份，中阐述了这种共价性作用的性质和原因。讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７电子结构的影响，这性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序。     

Cu^3＋在高温超导体YBa2Cu3O7—x中存在吗？

本文简要地评述了高温超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中是否存在Ｃｕ３＋的各种研究结果和存在的争议，介绍了这方面研究的某些新进展．     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系

利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术，我们在ＳｉＴｉＯ３衬底上成功地外延生长了超薄超导ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７薄膜样品．样品ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度分别为２．４ｎｍ至１０．８ｎｍ（二至九个原胞）．四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变．超导零电阻温度分别为１６Ｋ至８１Ｋ．超薄超导薄膜样品显示当ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度达到和超过四个原胞层厚（９．６ｎｍ）时，厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显．实验观察到ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同．这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响．超薄ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件．     

高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7—x中的空位型缺陷

用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中空位型缺陷的性质．结果表明，空位缺陷的类型与沉积条件无关，缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加．正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出，当温度在室温以上时，几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心；当温度高于３７５Ｋ时，必须考虑其退火效应．     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

GdBa2Cu3O7—x超导体失氧与超导电性的关系：GdBa2Cu3o7—x淬火样品的EXAF …

本文采用ＥＸＡＦＳ方法了ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高Ｔｘ超导陶瓷在不同温度下淬火后各金属原子周围氧配位数及键长的变化,得出该１２３相超导体随淬火温度升高失氧的具体位置为Ｏ１及Ｏ４,Ｃｕ－Ｏ平面未被破坏。指出Ｃｕ－Ｏ链及Ｏ４在１２３相超导体中应具有重要作用。     

WO3掺杂在淬火YBa2Cu3O7—x超导体的作用

同样经过空气９００℃至室温淬火，纯ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ不超导，而适量掺ＷＯ３的ＹＢＣＯ却可以在８８Ｋ以上显示超导电性，更为奇妙的是，Ｗ并没有进入ＹＢＣＯ晶格。为弄清后超导电性蝗原因，本对经过以上条件淬火的纯ＹＣＢＯ及掺３ｗｔ／ＷＯ３的试样进行了一系列研究，并对比研究相同条件下烧结但在氧气氛中慢冷却的样品。     

借助于PrBa2Cu3O7的红外光谱讨论Pr在体系中的价态

本报道了陶瓷和薄膜ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料的红外和远红外反射谱，从陶恣和薄膜样品的声子谱的比较中萃取ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模分别位于１１０，１５８，１９４，２０２，３９５，５８０ｃｍ＾－１，ＰｒＢａ２Ｃｕ３）７和ＹＢＣ３Ｏ７－δ有类似的晶体结构，分析和比较这两种材料的声子谱，尤其是沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模，我们认为Ｐｒ的Ｂｌｕ模位于１９４ｃｍ＾－１，并由此而建议从红外测试结果     

Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7—δ单晶的热力学参数

用ＳＱＵＩＤ磁强计测得了Ｙ０．８Ｐｒ０．２Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶在外场平行于ｃ轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下，除了磁化强度是可逆的以外，由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约２Ｋ处。利用Ｈａｏ－Ｃｌｅｍ模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Ｈｃ（Ｔ）和金兹堡－朗道参数ｋ。其它超导参数由Ｈｃ（Ｔ）和ｋ推得，比较ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的热力学参数，讨论了Ｐｒ离子的效应     

强磁场下（YBa2Cu3O7）24／（PrBa2Cu3O7）2多层膜的电阻转变展宽

本文研究了不同磁场位形下（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２４／（ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２多层膜的电阻转变展宽，结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜ｃ轴的相对位形决定，而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明，Ｈ‖ａｂ时，Ｕ０∝Ｈ＾－α，Ｈ‖ｃ时，Ｕ０∝ｌｎＨ。这种三维－二维（３Ｄ－２Ｄ）转变，可以归因于ＹＢＣＯ／ＰｒＢＣＯ和ＹＢＣＯ层厚度处于３Ｄ－２Ｄ转变厚度范围所致。     

PrBa_2Cu_3O_7中的Pr－O共价因素及其影响

本文提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份．文中阐述了这种共价作用的性质和原因．讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２ＣＵ３Ｏ７电子结构的影响．定性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序．     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的内耗研究

本文系统地研究了Ｐｒ掺杂在Ｙ位对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体内耗的影响，随Ｐｒ对Ｙ的掺杂量增加，１１０Ｋ内耗峰逐渐减小，而８７Ｋ附近的内耗峰基本不变，因Ｐｒ的掺入主要引起电子结构的变化，１１０Ｋ附近内耗峰应的电子结构有关，而和ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的附近的９０超导转变无直接的联系。     

Y1—xPrxBa2Cu3O7δ体系的正电子捕获效应

在８０Ｋ－４００Ｋ的温区内测量了Ｙ１－ｘｒｘＢａ２ＣＵ３Ｏ７－δ体系 电子寿命的温度依赖关系，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品，正电子平均寿命具有明显的温度依赖性；随着Ｐｒ的掺入，温度依赖性 ，以致于ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化，正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释，并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能，文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。