顺磁性对单晶GdBa_2Cu_3O_（6＋y）临界电流密度的影响

由于单晶ＤｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ３＋离子本身固有的磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｕ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值．在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％．因而在对ＹＭＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的．这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述．     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

（GdO）3BO3：Eu^3＋的合成及其荧光与结构的关系

以Ｌｉ２ＣＯ３为助熔剂合成了（ＧｄＯ）３ＢＯ３纯物相，并利用多晶Ｘ射线衍射研究了（ＧｄＯ）３ＢＯ３的结构，根据（ＧｄＯ）３ＢＯ３所属空间群中等效点系的对称性及Ｅｕ＾３＋的荧光光谱，推断出Ｇｄ＾３＋在（ＧｄＯ）３ＢＯ３中所处格位的点对称性为Ｃ１，Ｃ２或Ｃ３。     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。     

YBaCuO超导体中211相的控制及其行为研究

本研究了区域熔炼温度、化学配比对ＹＢａＣｕＯ超导体中２１１相含量的影响，用磁滞回线测量法估算了样品的临界电流密度与样品中２１１相含量的关系，总结出ＹＢａＣｕＯ超导体中起钉孔中心作用的２１１相含量的最佳值。     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

BaZn2(GeMn)0-2Fe15-6O27六角铁氧体的磁晶各向异性

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋,能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献,并对实验结果进行了拟合．结果表明,１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献 关键词：     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

添加Sm211对MTG—Y123临界电流密度的影响

适量Ｓｍ２ＢａＣｕＯ５（Ｓｍ２１１）的掺入改善了熔融织构ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ＭＴＧ－Ｙ１２３）的临界电流密度特性，并且在磁化曲线中出现第二峰现象（鱼尾现象）。在９５０℃进行高温处理后，第二峰消失，并且临界电流密度也降低了，其后的吸氧处理不能完全恢复后处理的临界电流密度特性。这可能是因为形成了（Ｙ，Ｓｍ）１２３，且局域富Ｓｍ的（Ｙ，Ｓｍ）１２３中Ｓｍ代替Ｂａ形成低Ｔｃ相造成的。我们还对比了加及不加Ｓ     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

对含Y_2O_3和Gd_2O_3的La_2O_3-B_2O_3-BaO玻璃化学稳定性研究

本文研究了含Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３的Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＢａＯ玻璃的耐水性和耐酸性。结果表明，比硅酸盐玻璃化学稳定性差的Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＢａＯ玻璃，可以适量的用Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３取代Ｌａ２Ｏ３，可得以改善     

NdvGdCOB晶体1331.0nm基频光运转和自倍频红光的观察

ＮｄｖＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄｖＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体［１］。利用该晶体实现１０６０．０ｎｍ的自倍频绿光输出,因内外均已有报道［２］。我们利用Ｄａｔａｃｈｒｏｍ５０００型染料激光器泵浦该晶体成功地实现了１３３１．０ｎｍ基频光和６６５．５ｎｍ自倍频红光的输出。ＮｄｖＧｄＣＯＢ属单斜双轴晶体,具有明显的偏振吸收特性。生长该晶体所用原料为Ｃａ４Ｎｄ０．０８Ｇｄ０．９２Ｏ（ＢＯ３）３。晶体样品尺寸为３ｍｍ×３ｍｍ×８ｍｍ,通光方向为ｘ（ｘ轴与晶体的ｃ轴的夹角为１２°,ｚ轴与ａ轴的夹…     

Y_2O_3和Gd_2O_3对含La_2O_3硼酸盐玻璃析晶性能的影响

用差热分析（ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）方法研究了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３对７０Ｂ２Ｏ３２５Ｌａ２Ｏ３５ＺｎＯ（ｍｏｌ％）玻璃析晶性能的影响；用梯温炉测定比较了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３对玻璃失透倾向的影响；用红外光谱（ＩＲ）研究了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３在玻璃中的结构作用。结果表明，适量用Ｙ２Ｏ３或Ｇｄ２Ｏ３取代Ｌａ２Ｏ３可以减轻玻璃的失透倾向，但没有改变玻璃的析晶相。玻璃的析晶相是ＬａＢ３Ｏ６，Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３在玻璃结构中为网络修饰体。玻璃的折射率ｎｄ高于１．７０，色散系数υ低于５５。     

（Bi,Pb）2Sr2（R,Ce）2Cu2O10＋δ超导体碘嵌入后结构和Tc变化研究

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个ｃ轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降。与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶合对超导性产生并不重要。     

杂质对（Ce,Gd,Tb）MgB5O10灯用荧光粉发光量子效率的影响

研究了杂质对Ｃｅ０．１ｇＤ０．６ｔＢ０．２ｍＧｂ５ｏ１０发光量子效率的影响。低浓度的Ｐｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、ＤＦ＾３＋、Ｈｏ＾３＋和Ｅｒ＾３＋不能有效地与Ｇｄ＾３＋和Ｔｂ＾３＋竞争Ｃｅ＾３＋离子的激发能。此外，因电子传递过程，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ３＋使Ｃｅ＾３＋的发光效率大大降低。     

熔融织构YBa_2Cu_3O_x中碰通钉扎的各向异性及211相对钉力的影响

通过测量不同温度的磁滞回线和不同温度、不同磁场下的磁弛豫，对熔融织构ＹＢａ２ＣＵ３Ｏｘ样品的钉扎各向异性及２１１含量对钉扎力的影响进行了研究（外加磁场分别平行和垂直于Ｃ轴），发现熔融织构样品的钉扎力具有强各向异性，这是由钉扎中心形状的各向异性导致的．临界电流随２１１含量的增加反而降低，表明在这些样品中２１１相颗粒及其周围的缺陷对磁通钉扎起负作用．仅当外场平行于ｃ轴时，才能观察到鱼尾效应，表明这些样品中至少存在两种钉扎中心．     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

单晶GdBa2Cu3O6＋δ顺磁性和超导性的研究

掺杂有顺磁性稀土元素离子的高温超导体的磁滞回线因包含有顺磁的贡献而变宽，使根据Bean模型得到的临界电流密度偏离了其真实的值．本文对描述其中顺磁性磁化强度贡献的扩展Brillouin函数进行了修正，并将该种描述方法应用于单晶GdBa2Cu3O6＋δ样品．外场低于临界场HC1时，顺磁性对总的磁化强度没有贡献；外场高于HC1的磁场下，磁场增加和磁场降低时顺磁性的磁化贡献并不相等．由此验证了在GdBa2Cu3O6＋δ的晶体结构中，超导电流沿Cu-O面流动，对位于两层Cu-O面间的顺磁性离子产生屏蔽作用．GdBa2Cu3O6＋δ中超导性和顺磁性相互独立共存，超导性通过电流的屏蔽作用间接的影响了顺磁性的贡献．     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。