（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

超导体Bi_(1.8)Pb_(0.2)Sr_(2- x)La_xCuO_(6+δ)的电阻率和热电势研究(英文)

本文对名义组份为Ｂｉ１ ．８Ｐｂ０ ．２Ｓｒ２ － ｘＬａｘＣｕＯｙ 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究．测量表明，Ｐｂ 掺杂可以进一步提高超导转变温度Ｔｃ ；随着Ｌａ 含量的增加，Ｔｃ 按照典型的抛物线型规律变化；Ｌａ 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性．我们的分析指出，热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关，而且电阻率正常态输运特性的变化可用Ｌａ 掺杂造成ＣｕＯ６ 八面体顶点氧发生位移来解释．     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

在SrTiO3、LaAlO3和Y-ZrO2衬底上外延生长La1.85Sr0.15CuO4、La2CuO4和Nd1.85Ce0.15CuO4、Pr2CuO4薄膜

利用脉冲激光法研究了在（１００）ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）、（１００）ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）和（１００）Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）衬底上外延生长ＬａＣｕＯ４（ＬＣＯ）,Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４（ＬＳＣＯ）,Ｎｄ１．８５Ｃｅ０．１５ＣｕＯ４（ＮＣＣＯ）和Ｐｒ２ＣｕＯ４（ＰＣＯ）薄膜的工艺技术。利用Ｘ光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。Ｘ射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底     

高T_c氧化物体系的相关系和晶体结构

本文综述了Ｒ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｔ１－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ ＃系，Ｔ１－Ｓｒ－Ｃａ－Ｒ－Ｃｕ－Ｏ体系以及Ｐｂ－Ｓｒ－Ｒ（Ｃａ）Ｃｕ－Ｏ体系超导相的相关系和晶体结构，并讨论了超导相的结构特点和它们之间的相互关系．     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

过量La掺杂的Bi—2201单晶的超导电性

在极度Ｌａ掺杂的Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６＋ｙ单晶中发现Ｔｃ高达３６Ｋ的超导相。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ图和劳埃斑点实验都显示单晶具有很好的质量。ＥＤＸ分析结果和由ＸＲＤ得到的单晶ｃ轴长度均证实单晶处于极度Ｌａ掺杂的区域。一般来说，处于如此高Ｌａ掺杂区域的Ｂｉ－２２０１体系不表现出超导电性。因为我们的样品曾在Ｏ２中６８０℃退火１０小时，而且极度Ｌａ掺杂会导致长程反铁磁有序背景。所以我们将这种高Ｔｃ的     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

新型Hg系高Tc超导体(Hg_(0.8)Mo_(0.2))Sr_2(Y_(1-x)Ca_x)Cu_2O_(6+δ)的拉曼光谱

新型Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｈｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘ）Ｃｕ２Ｏ６＋δ的拉曼光谱许存义左健冯建平（中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥２３００２６）吴若（江西师范大学物理系南昌３３００２７）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆｔｈｅＮｅｗＳｅ...     

（Bi,Pb）2Sr2（R,Ce）2Cu2O10＋δ超导体碘嵌入后结构和Tc变化研究

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个ｃ轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降。与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶合对超导性产生并不重要。     

强磁场下（YBa2Cu3O7）24／（PrBa2Cu3O7）2多层膜的电阻转变展宽

本文研究了不同磁场位形下（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２４／（ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２多层膜的电阻转变展宽，结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜ｃ轴的相对位形决定，而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明，Ｈ‖ａｂ时，Ｕ０∝Ｈ＾－α，Ｈ‖ｃ时，Ｕ０∝ｌｎＨ。这种三维－二维（３Ｄ－２Ｄ）转变，可以归因于ＹＢＣＯ／ＰｒＢＣＯ和ＹＢＣＯ层厚度处于３Ｄ－２Ｄ转变厚度范围所致。     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

热处理对T1－1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率（ＡＣＳ）技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的Ｔ１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度７ｃ０。但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制．