欧姆加热共蒸Y—Ba—Cu—O薄膜的金属—非金属转变及其对超导电性的影响

利用欧姆加热三元共蒸的方法制备了 Y-Ba-Cu-O 薄膜.研究了组分、热处理温度和降温速度诱导的金属-半导体转变及其对超导电性的影响.在这些研究的基础上,第一次利用欧姆加热三元共蒸方法获得了零电阻温度超过液氮温度的 Y-Ba-Cu-O 超导薄膜.其起始超导 T_c为98K,零电阻超导 T_c 为78.6K,中点超导 T_c 为84K,△T_c 为12K.     

不同Ba含量的Y－Ba－Cu－O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析．结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响．在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于标准化学剂量配比时有利于Ｙ（１２３）相的生成２）样品的相组成对超导转变温度Ｔｃ值影响不大，但与超导转变温度宽度△Ｔｃ密切相关．当ｘ＝１．６时，其△Ｔｃ最小，说明样品中适量的Ｙ（２１１）相杂质的存在对超导转变特性的改善是有利的．     

Y2Ba1Cu1O5-δ掺杂对Y1Ba2Cu3O7-δ的超导电性及其晶格结构的影响

本文采用固相反应法成功制备出一系列Y123与Y211的摩尔比为1：x（x=0、0．14、0．27、0．3、0．35、0．4、0．45、0．47、0．5、0．8、1．18）的样品．实验结果表明：在0．35≤x≤0．5范围内,Y123的起始转变温度Tonset临界转变温度Tc以及转变宽度△Tc都在x=0．47出现了拐点,这...     

混合稀土Ho—Ba—Cu—O体系的高温超导电性研究

本文报道了以高钬混合稀土(Ho_2O_3 56.13%)氧化物为原料,利用固态反应法制备混合稀土 Ho-Ba-Cu-O 体系超导体样品的工艺:给出了高温超导电性测量和 X-射线粉末衍射及扫描电镜分析结果.     

Y1—xPrxBa2Cu3O7系统的低温电子比热的研究

我们对Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７（Ｘ＝０．２，０．４５，０．６）样品的比热进行研究，发现在这个系统中比热线性项系数非常，呈现出重费米子的特下，并且不同温区其数值亦不同，比热的结果表明Ｐｒ离子在这个系统中基本上处于＋３价，对实验数据进行了仔细分析，我们认为比热线性项增大是源于Ｐｒ离子掺入后这个系统中出现了Ｋｏｎｄｏ效应以及由此而产生的空穴局态，也正是局域态的出现，导致了金属绝缘体转变，同时导致了     

Y—Ba—Cu—Sn—O高温超导体

用Sn分别部分替代Y-Ba-Cu-O系超导体中的Y或Cu,制备了Y-Ba-Cu-Sn-O系超导体,实验结果表明,在相当大的替代范围(30%的 Y,40%的 Cu)内,超导体仍保持正交结构,其零电阻转变温度基本上稳定在90K左右.     

水对Tl2Ba2CaCu2O8外延薄膜超导电性的影响

我们研究了水对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８外延薄膜超导电性的影响。将不同条件下生长的薄膜直接浸泡在水中，分别进行Ｔｃ和Ｊｃ测量。实验结果表明，结晶很好的外延薄膜的超导电性在水中非常稳定。而薄膜在水中受腐蚀的主要原因是薄膜中存在ＣａＯ和ＢａＯ组成的非晶夹杂物所致。同时还发现，薄膜受到光刻胶、银胶、铟或银电极的污染后，都会使薄膜加速受到水的腐蚀。     

YBa2Cu3O7—x和GdBa2Cu3O7—x薄膜中的涡旋玻璃转变的观察

本给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据，在有ａ方向昌粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。     

超导转变温区YBa2Cu3O7薄膜样品的表面电阻测量

我们对高温超导YBa2Cu3O7(YBCO)薄膜样品在超导转变温区微波表面电阻RS随温度变化的初步测量结果.利用介质谐振器方法,分别测量了由镀银高纯铜标准试样和脉冲激光淀积方法制备的高温YBCO超导薄膜为下底板的谐振器品质因素随温度变化的数据.通过对镀银高纯铜标准试样和RS为零的谐振器数据分析,得到谐振器参数随温度变化的曲线.由有高温YBCO超导薄膜组成的谐振器Q值随温度变化数据得到YBCO薄膜样品超导转变温区微波表面电阻的变化.讨论了YBCO超导薄膜的微波表面电阻测量结果.     

掺Ba对Bi系2212相超导电性的影响

研究了掺Ｂａ对Bi₂Sr_2-xBa_xCaCu₂O_y（０≤ｘ≤０．１５，０．３）单晶和多晶样品超导电性的影响，结果表明，有少量Ｂａ^２＋离子进入了超导相，且有固溶度极限．对于２２１２相单晶，ｃ轴参数和Ｔ_c均随Ｂａ含量增加而增加；对于慢冷多晶样品，掺Ｂａ可明显提高Ｔ_c；然而对于淬大多晶样品，Ｔ_c没有明显变化，用掺Ｂａ 关键词：     

电化学氧化YBa2Cu3O6+x的晶体结构和超导电性研究

在较低温度下用电化学方法控制YBCO块材的氧含量对深入考察其氧含量、晶体结构和超导电性之间的关系有重要意义.我们用固态反应法合成并用惰性气体退火处理制备出非超导的四方相YBa2Cu3O6 x(x～0.1)块材样品,然后用熔融的KNO3-NaNO3作为电解质,用YBa2Cu3O6 x块材作为阳极对其进行电化学氧化.阳极氧化用恒流法在360℃进行.氧化产物的电阻、磁化率和结构特性分别用四引线法、SQUID磁强计和XRD进行测定.随着氧化时间和通过样品的电量(Q)的增加,样品中的超导相含量逐渐增加,依次可以获得超导相是60K相为主、60K和90K两相共存和90K单相的样品.XRD分析证明了电化学氧化后样品表面和内部的结构不同,表明了氧分布的不均匀性,样品表层的氧含量大于内部的氧含量.     

熔融织构生长法制备的Y—Ba—Cu—O块材的直流磁化性质研究

通过改变温度梯度和降温速率等制备条件,研究了影响熔融织构生长法制备的 Y-Ba-Cu-O 块材性质的因素.在较为理想条件下制备的样品,其劈裂面的 X-射线衍射表明有很好的晶胞 c 轴垂直于劈裂面的取向.我们测量了场冷和零场冷过程的磁化与温度的关系,并研究了该样品在不同厚度时的磁滞迴线,发现 ΔM(ΔM=M+-M~-,M~+,M~-分别为升场和降场过程的磁化)正比于样品厚度,从而表明在该样品内建立了 Bean 模型所描述的临界态.另外在外磁场 150T 下77K 时,其磁临界电流密度达到6750A/cm~2.