光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2005032096 对光栅光阀(GLV)器件进行数值分析及其在DGE上的应 用=Algorithm analysis of grating light valve(GLV)device and its application in DGE[刊,中]／宋镜明(华中科技大学 光电子工程系．湖北,武汉(430074)),阮玉…∥光学技 术,-2004,30(5)．-519-521 作为一种新颖的MEMS器件,光栅光阀(GLV)被应 用于高清晰数字电视和光通信的动态增益均衡(DGE)上, 使用角度谱方法分析了这种光调制器的衰减机理,并对其 仿真,得到了输入光衰减的曲线。在长距离传输过程中,     

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TH7612006010547光栅光阀的光学特性分析和仿真=Optical characteristicanalysis and si mulation of grating light valve[刊,中]/张洁(重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室.重庆(400030)),黄尚廉…∥光学学报.—2005,25(11).—1452-1456依据多光束干涉理论和衍射理论对光栅光阀工作状态的光学特性进行了详细的理论分析和计算机仿真。结果说明,光栅光阀在工作中处于“开”态时,可动光阀下降的距离应该是入射波长的1/4倍;设计时选择h=λ0/2,δ=λ0/4;当间隙处的反射率不同时,占空比对光栅光阀的光学特性有着不同的影响,给…     

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TN65 2007054613铌酸锂声电光调制器最优化工作模式研究=Study of optimum operating mode in lithiumniobate acousto-electro-op-tic modulator[刊,中]/庞兆广(河北师范大学物理科学与信息工程学院.河北,石家庄(050016)) ,俞宽新…//激光技术.? 2007 ,31(2) .? 160-162在确定     

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TN761 2005042912 铁电液晶光寻址空间光调制器响应速度的宏模型研究= Study on response velocity of ferroelectric liquid crystal op- tically addressed spatial light modulator by the macro-mod- el[刊,中]／王梦遥(西南交通大学计算机与通信工程学院．四川,成都(610031)),潘炜…／／光学技术,-2005,31 (1),-35-37 将铁电液晶(FLC)的本征电路模型扩展到以FLC为调制层,a-Si:H为光敏层的光寻址空间光调制器 (OASLM),建立了FLC-OASLM的宏模型。用电路方法     

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TN761 2006032404LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究=Measure-ment of Li NbO3modulator frequency response using small-signal power measuring technique[刊,中]/黄亨沛(中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室.北京(100083)) ,伞海生…∥光电子·激光.—2006 ,17(1) .—37-40阐述了小信号功率测试法测量Li NbO3电光调制器频率响应的原因,对传统的小信号功率测试法加以改进,在以网络分析仪(VNA)为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统,实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中…     

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TN761 2006043416同心扫描法制作凹球面等距网栅的误差分析=Error anal-ysis of fabricating isometric mesh on the concave of aspherical substrate by concentric optical scanning[刊,中]/冯晓国(中科院长春光机所.吉林,长春(130033)) ,卢俊…∥光学精密工程.—2006 ,14(2) .—251-255采用两两相交误差几何分析的方法,得到了同心误差与离焦量和栅距误差的变化关系;随着同心误差增加,系统离轴量和栅距误差也增加,且二者的变化趋势基本一致。因为网栅线宽一般要求达到微米量级,与之匹配的栅距则往往为几百微米,所以栅距误差与栅距相比…     

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TN7612006054459电光相位调制器中剩余幅度调制变化的抑制=Suppres-sion of fluctuation of residual amplitude modulationin elec-tro-optical phase modulators[刊,中]/邓勇开(北京理工大学信息科学技术学院光电工程系.北京(100081)),曹建平…//光学学报.—2006,26(7).—1063-1068实验研究了电光相位调制中剩余幅度调制以及它的变化引起的碘稳频532nm光频标的频率漂移。观测了电光晶体温度与剩余幅度调制和光频标锁定后激光频率之间的变化关系。研究了利用主动电压反馈抑制剩余幅度调制的实际效果和存在问题。提出并实现了采用主动温度…     

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TN761．92 2005064333 聚合物电光调制器行波电极系统=Traveling-wave elec- trode for polymer electro-optic modulators[刊,中]/鹿飞 (清华大学电子工程系,北京(100084)),梁琨…∥光电子 ·激光．-2005,16(3)．-267-270 设计了20 GHz聚合物光波导电光调制器CPW电极 系统。制作和测试了分别用Si、石英、玻璃做衬底的CPW     

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TN761 2005021323 10．6μm高效率声光调制器=10．6μm high efficiency a- cousto-optic modulator[刊,中]／宗德蓉(中科院光电所．四 川,成都(610029)),孙祖红…//光电工程．-2004,31 (12)．-27-29 利用Ge单晶良好的机械、声光性能,研制出工作中心 频率为70 MHz、波长为10．6 μm的锗声光调制器。该器 件采用高品质因数Ge单晶(Ⅲ)作为声光介质,y36°切铌 酸锂晶体作为压电换能器。由于锗器件对热变化特别敏 感,所以设计了环绕结构和背面结构两种不同的吸热系     

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TN761 2006065275一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究=A novel resonant cavity enhanced optical modulator structure[刊,中]/周震(北京邮电大学电子工程学院．北京(100876)),马建新…//半导体光电．—2006．27(3)．—250-253提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜构成。利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较。分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗。图5参11(严寒)     

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TN761 2005053718 精确标定光弹调制器的新方法=A new method to cali- brate accurately a photoelastic modulator[刊,中]／曾爱军 (中科院上海光机所.上海(201800)),王向朝…∥光学学 报．-2005,25(6)．-799-802 针对现有光弹调制器标定方法的不足,提出了一种精 确标定光弹调制器的新方法。首先利用起偏器、波片、光 弹调制器和检偏器构成标定光路,通过寻找探测信号基频 分量的极大值进行粗略标定,使光弹调制器的峰值延迟量 处在1．841 rad附近。然后撤走波片形成光弹调制器的精 确标定光路,在检偏器旋转90°前后获得探测信号的直流 分量和二次谐波分量。最后利用这两种探测信号的直流 分量和二次谐波分量精确地计算出光弹调制器的峰值延 迟量。实验验证了此光弹调制器标定方法,实验结果表明 其标定误差仅为0．7％。图2表2参10(于晓光)     

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TN364．2 2005021317 InGaAs-APD门模单光子探测及其应用=Gated-mode sin- gle-photon detection and its applications using InGaAs- APD[刊,中]／周金运(广东工业大学应用物理学院．广东, 广州(510090)),彭孝东…//量子电子学报．-2004,21 (4)．-401-405 对单光子探测使用InGaAs-APD并采用门模控制的 核心问题进行了阐述,总结了探测器件的特性和门模控制 系统的特点,归纳了在这种探测方式中实际存在的问题和 可能解决的方法,最后着重介绍它在量子保密通信中的应     

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TN232007043625吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器=Sepa-rate absorption and multiplication4H-SiC ultraviolet ava-lanche photodetector[刊,中]/朱会丽(厦门大学物理系.福建,厦门(361005)),陈厦平…//半导体学报.?2007,28(2).?284-288设计和制备了吸收层和倍增层分     

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O434.22 2004053723 紫外及可见光探测器光谱响应测试系统的研制=Study and development of spectral responsibility testing system for ultraviolet-visible detector[刊,中]/张辉(华北光电所,北京(100015)),刘建伟…∥激光与红外。—2003,33(5)。—371-373     

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O434．22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]／徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院．北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电．-2004,25(6)．-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434．22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]／周拥华(西安电子科技大学微电子研究所．陕西,     

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O434.222006054458快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计=Opti maldesign of capacitors in readout integrated circuit for snap-shot UV FPA[刊,中]/贾寒昕(中科院上海技物所传感技术国家重点实验室.上海(200083)),亢勇…//红外与激光工程.—2006,35(2).—238-243探讨了各种电容对于电路噪声的影响。考虑到紫外探测器的特点,在固定其他设计参数的基础上,通过调整电容面积的分配比例,计算了电路可以得到最佳噪声水平的电容大小。结果表明,在目前的工艺和版图限制等条件下,在上述三种电容分别取1.1、0.4、1.2pF时,输出端噪声电压为…     

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TN232006010542Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展=Ⅲ-nitride ultravi-olet photodetectors and its research development[刊,中]/龚海梅(中科院上海技物所传感技术国家重点实验室.上海(200083)),李向阳…∥激光与红外.—2005,35(11).—812-816简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,粗略介绍了紫外探测的部分应用。对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器,特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一…     

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TL816．5 2005053713 位置敏感探测器统一结构模型的分析=Analysis of uni- form configuration model of position sensitive detector[刊, 中]／尚鸿雁(北京航空航天大学仪器科学与光电工程学 院．北京(100083)),张广军∥光电工程．-2005,32 (7)．-89-92     

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O434．22 2006065271 Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制=Development of Pt/CdS Schottky barrier ultraviolet detectors[刊,中]/秦强(昆明物理研究所．云南,昆明(650223))。朱惜辰…//红外技术．—2006,28(4),—234-237介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在γ= 440 nm处加两伏反偏时的响应率为0．17 A/W,内量子效率最大可达64%。图7参6(严寒)