白光LED固态照明光转换荧光体

报道了当前热点固态照明白光LED对所用光转换荧光体的特殊要求,从发光学和晶场理论出发,提出研发白光LED用荧光体的几种方案和原则.依据多年成果,特别阐述在稀土铝镓石榴石体系,氯硅酸钙及某些钨钼酸盐中,Ce³⁺、Pr³⁺、Tb³⁺、Eu³⁺、Eu²⁺及Mn²⁺离子的发光特性,能量传递,Eu²⁺的特征“阶梯状”光谱以及激活剂在晶体中所占据不同晶体学格位与发光性质的关联性.这些材料都可用于白光LED之中.实践证明,这些基础性研究和原理是研制白光LED用荧光体的基础.光转换荧光体与InGaN蓝光芯片结合可以获得符合严格标准的全色温(2700~8000K)的高显色性白光LED光源.白光LED及InGaN蓝光LED的光电性能与正向电流I_F密切相关,器件散热极为重要.提出的在不同I_F下,LED的相关色温差(ρT_c)可用来表征LED色温变化幅度及稳定性.     

白光有机发光器件在照明中的应用

作为下一代固态照明光源,白光有机电致发光二极管(white organic light-emitting diodes, WOLEDs)由于其高效、节能、环保等特点,已经引起了广泛的关注,将其用做照明光源的研究和应用也取得了长足的发展。文中首先简述了WOLEDs的发光原理,总结了目前常见的WOLEDs的结构和常用的发光材料,重点介绍了多发射层白光器件、多重掺杂单发射层白光器件、基于激基缔合物和激基复合物发射的白光器件、p-i-n结构的白光器件等器件结构的发光机理及其优缺点。本文依据WOLEDs高效率、高亮度、高显色性、长寿命的实用条件,详细解释了器件效率,色纯度,相关色温和器件寿命等性能评价标准。我们还分析了WOLEDs目前亟需解决的技术瓶颈,并针对器件效率和器件寿命两个主要方面提出了相应的改善方案。介绍了世界上照明用WOLEDs各公司的研究进展并对其市场前景做出了展望。     

白光照明LED灯温度特性的研究

分析了荧光粉转换型白光LED照明光源色坐标、显色指数、色温和发光效率与驱动电流和温度的关系。驱动电流的增加将引起蓝光波峰的长移，并随电流的增大而增大；但其对色坐标、色温和显色指并未引起较大的变化，而发光效率发生下降，主要原因为蓝光波峰的红移导致荧光粉与激发波长的不匹配，引起荧光粉发光效率的下降，这个现象在不同环境温度下的发光也得到证实，实验结果认为LED的驱动电流为20mA，温度低于50℃时具有较好的发光效率，而显色指数要通过增加红色成分来改善。     

未来的照明光源--白光LED技术及其发展

白光是黑白和彩色摄像机的照明光源，可以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。介绍了白光LED技术的原理、特点、发展方向。     

新一代照明光源白光LED的发展概况

1概述 目前，常见照明光源存在一定的不足：真空器件体积大，易碎，发光效率低；日光灯短波紫外线激发波长更长的红绿蓝荧光粉发光，发光效率低，寿命短．体积小，效率高，能耗低，寿命长成为对未来新一代照明光源的基本要求，并且要使光源光谱的分布尽量接近太阳光谱，才能与眼睛的特性相匹配．满足这一条件最好方法就是用两种或多种色光合成白光．     

基于Ce:YAG单晶的白光发光二极管性能研究

以Ce:YAG单晶取代传统Ce:YAG荧光粉用于制备白光发光二极管(LED),研究了Ce:YAG单晶厚度及驱动电压的变化对其发射光谱、色坐标、亮度、光视效能和色温的影响。研究结果表明,在基于Ce:YAG单晶的白光LED中,发射光的色坐标以及蓝光与黄绿光之间的相对强度可通过对Ce:YAG单晶片厚度的改变进行调整。在恒定电压驱动下,白光LED样品的亮度、光视效能和色温均随单晶片厚度的减小而增加。当Ce:YAG单晶厚度为0.6mm时,可获得较纯的白发射光,并且其色坐标具有较高的可靠性和稳定性,基本不受驱动电压变化的影响。研究结果表明Ce:YAG单晶是一种可用于新型白光LED的理想荧光材料。     

GaN基白光发光二极管失效机理分析

对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温、40 ℃和70 ℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重分析器件的芯片和荧光粉的失效机理.器件老化前后的I-V特性表明:老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大,这是由于器件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的.器件的热特性表明:高温度应力下器件的热阻迅速变大,封装材料迅速退化,这是器件退化的主要原因;光谱曲线表明温度加速了器件的     

未来重要光源——发光二极管

在电灯发明之后的100多年里,照明技术的不断发展使白炽灯和荧光灯面临着严重的威胁.特别是发光二极管技术的逐步成熟,引发了照明光源的一场技术革命.不仅仅是红绿灯,在大型屏幕显示、室内照明、汽车车灯、广告标志等所有需要光亮的地方,发光二极管都将取代传统的照明设备,成为未来的重要光源.     

白光发光二极管的制备技术及主要特性

利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源，通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管，荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5Ol2：Ce3 (YAG)。在工作电流为15mA条件下，所研制的白光LED的法向光强为2890mcd；色坐标为x=0.29，y=0．33；显色指数为77；流明效率为14．9lm／w。研究制备了不同色温的白光LED，色温范围从2700～8000K，研究了色温与色坐标之间的对应关系。并且与国外同类产品进行比较。部分指标已经超过了国外同类产品水平。     

一种基于荧光材料的聚合物白光发光二极管

制备了一种基于荧光聚合物共混的单发光层聚合物白光发光二极管.器件结构为铟锡氧化物/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/发光层/ 1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯41/Ba/Al,蓝光材料芴-氟化喹喔啉共聚物(PF-BPFQ5)、绿光材料苯基取代的聚对苯乙炔(P-PPV)和红光材料聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔)(MEH-PPV)共混为发光层.当PF-BPFQ5,P-PPV,MEH-PPV的质量比例为100∶06∶06时,获得标准的白光,色坐标为（033 关键词： 聚合物发光二极管 白光 共混     

发光二极管材料与器件的历史、现状和展望

文章介绍了发光二极管材料和器件的研究、开发的历史，概述了发光二极管技术的发展现状和进展．通过与其他类型光源的比较，向读者展示了发光二极管未来的重要地位和光明前景．发光二极管的最近的成就是实现了有色光方面的成功应用．高功率白色发光二极管已开始应用于便携式和特殊照明．而在通用的照明领域要成功地应用发光二极管，则需要通过性能和价格方面的继续突破来实现．     

Reliability analysis of GaN-based light emitting diodes for solid state illumination

In this paper, we have discussed the effect of electrical stress on GaN light emitting diode （LED）. With the lapse of time, the LED with an applied large current stress can reduce its current more than without such a stress under a large forward-voltage drop. Its scanning electron microscopy （SEM） image shows that there exist several pits on the surface of the p-metal. With an electrical stress applied, the number of pits greatly increases. We also find that the degradation of GaN LED is related to the oxidized Ni/Au ohmic contact to p-GaN. The electrical activation of H-passivated Mg acceptors is described in detail. Annealing is performed in ambient air for 10 min and the differential resistances at a forward-voltage drop of 5 V are taken to evaluate the activation of the Mg acceptors. These results suggest some mechanisms of degradation responsible for these phenomena, which are described in the paper.     

Growth and properties of wide spectral white light emitting diodes

Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitting and red-light-emitting structures were grown according to the design. The surface morphology of the film was observed by using atomic force microscopy. The films were characterized by their photoluminescence measurements. X-ray diffraction θ/2θ scan spectroscopy was carried out on the multi-quantum wells. The secondary fringes of the symmetric ω/2θ X-ray diffraction scan peaks indicate that the thicknesses and the alloy compositions of the individual quantum wells are repeatable throughout the active region. The room temperature photoluminescence spectra of the structures indicate that the white light emission of the multi-quantum wells is obtained. The light spectrum covers 400-700 nm, which is almost the whole visible light spectrum.     

修饰阴极界面提高聚合物白光二极管发光效率

利用聚合物的不同溶解性,研究用旋涂方法制备双层高分子白光二极管(WPLED),采用器件结构为：ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT: PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm) /Al(120nm),当相对比例为PVK: PFO-BT:PFO-DBT=1∶4%：3%时,得到标准白光,最大电流效率为2.4 cd/A,最大亮度为3215 cd/m²,色坐标为(0.33,0.34).用水溶性的聚电介质层修饰阴极界面,器件效率可以进一步提高到5.28 cd 关键词： 聚合物发光二极管 白光 双发光层结构     

氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题. 关键词： 粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管     

金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)

文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术（MOCVD）生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响，详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响，特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能；文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况．     

硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

InGaN/GaN基阱垒结构LED当注入的电流密度较大时, LED的量子效率随注入电流密度增大而下降, 即droop效应.本文在Si (111)衬底上生长了 InGaN/GaN 基蓝光多量子阱结构的LED,通过将实验测量的光电性能曲线与利用ABC模型模拟的结果进行对比, 探讨了droop效应的成因.结果显示:温度下降会阻碍电流扩展和降低空穴浓度, 电子在阱中分布会越来越不平衡,阱中局部区域中因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外, 从而使droop效应随着温度的降低在更小的电流密度下出现且更为严重, 不同温度下实验值与俄歇复合模型模拟的结果在高注入时趋势相反.这此结果表明,引起 droop效应的主因不是俄歇非辐射复合而是电子溢出,电子溢出的本质原因是载流子在阱中分布不均衡.     

Recent progress in single chip white light-emitting diodes with the InGaN underlying layer

Tremendous progress has been achieved in white light-emitting diodes (LEDs). To further improve the quality of white light and simplify the fabrication process, a single chip white-light LED with the InGaN underlying layer (UL) was studied and fabricated. The turn-on voltage of this type of LED was 2.7 V, and the spectrum at a forward bias current of 20 mA was comprised of blue (443 nm) and yellow (563 nm) lights. The intensity ratio of blue to yellow light was almost constant with the in- creasing injectio...     

InGaN green light emitting diodes with deposited nanoparticles

We grew an InGaN/GaN-based light-emitting diode (LED) wafer by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD), fabricated devices by optical lithography, and successfully deposited ellipsoidal Ag nano-particles by way of e-beam lithography on top. The diodes exhibited good device performance, in which we expected an enhancement of the radiated intensity by the simulations and emission measurements. The obtained results showed the feasibility of plasmon-assisted LED emission enhancement.     

A novel yellow phosphor for white light emitting diodes

This paper reports that a novel yellow phosphor, LiSrBO₃:Eusup>2+, was synthesized by the solid-state reaction. The excitation and emission spectra indicate that this phosphor can be effectively excited by ultraviolet (360 and 400~nm) and blue (425 and 460~nm) light, and exhibits a satisfactory yellow performance (565~nm). The role of concentration of Eusup>2+ on the emission intensity in LiSrBO₃ is studied, and it is found that the critical concentration is 3 mol\%, and the concentration self-quenching mechanism is the dipole--dipole interaction according to the Dexter theory. White light emitting diodes were generated by using an InGaN chip (460~nm or 400~nm) with LiSrBO₃:Eusup>2+ phosphor, the CIE chromaticity is (x=0.341, y=0.321) and (x=0.324, y=0.318), respectively. Therefore, LiSrBO₃:Eusup>2+ is a promising yellow phosphor for white light emitting diodes.