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给出了低阻抗二极管产生的电子束能谱分布及外加磁场对二极管阻抗影响的数值模拟研究结果。结果表明,即使在外加电压恒定的条件下,二极管产生的电子束也具有一定的能谱分布,这说明用二极管电压、电流波形计算脉冲电子束能谱分布是不正确的。另外,外加磁场对低阻抗二极管的阻抗特性具有较大影响,其阻抗随外加磁场的增大而减小。分析认为这是由于外加磁场强度的变化改变了二极管中束电子的运动轨迹。当没有外加磁场或外加磁场较小时,低阻抗二极管产生的电子束发生自箍缩,此时二极管电流是自箍缩饱和顺位流;当外加磁场足够强时,电子束的自箍缩被抑制,二极管电流是没有箍缩时的空间电荷限制电流。束电流小于自箍缩临界电流的二极管其阻抗将不随外加磁场的变化而变化。 相似文献
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高同步性的多电子束能够驱动产生有利于实现相位控制的多束微波,是高功率微波功率合成的关键技术。对单台加速器驱动强流同步双阴极二极管进行了模拟,在二极管阻抗约10 W,输入电压442.6 kV条件下,获得了总功率大于20 GW、总束流为47.6 kA、同步时间差小于6 ns的双电子束。开展了轰击不锈钢目击靶实验和同步双电子束诊断实验,双阴极材料为不锈钢,单个阴极长30 mm,两阴极中心间距为100 mm,阴极发射面采用天鹅绒,单阴极半径为20 mm,在阴阳极最大电压为442.8 kV时,束流峰值总和为48.78 kA,双束流同步时间差保持在4~6 ns范围内,实验结果与模拟符合较好。 相似文献
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从绝缘和机械强度两方面优化设计了一种应用于强流电子束二极管的陶瓷真空界面。首先,依据真空沿面闪络机理及其影响因素,针对外径220 mm的陶瓷板,应用ANSYS静电场模拟,通过对阴极电极形状和阳极外壳尺寸的调整,使得陶瓷沿面电场和阴、阳极三结合点场强均得到了有效控制。模拟结果显示:陶瓷沿面电场分布均匀,阴、阳极三结合点场强小于30 kV/cm,电场线与陶瓷表面所成角度基本保持在45;其次,针对陶瓷与电极的约束结构,通过静力和瞬态冲击分析,确定了该陶瓷界面可承受的最大静压和冲击波最大峰压分别为4.8 MPa和60 MPa;最后,在脉宽200 ns的脉冲功率驱动源上进行了实验研究,陶瓷真空界面平均绝缘场强达到44 kV/cm,二极管运行稳定,机械性能可靠,实验结果与理论设计相符。 相似文献
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改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比,改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程,并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程,对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中,选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。 相似文献
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In this Letter the results of theoretical investigations of the chaotic microwave oscillator based on the electron beam with a virtual cathode are presented. Nonlinear non-stationary processes in these electron systems are studied by means of numerical analysis of 2.5D model. It was discovered that the non-uniform external magnetic field value controls the dynamical regime of oscillations in the virtual cathode oscillator. The processes of the chaotization of output microwave radiation are described and interpreted from the point of view of the formation and interaction of electron structures (bunches) in the electron beams. The numerical results have shown that the investigated electron system with virtual cathode could be considered as a promising controlled source of wideband chaotic oscillations in the microwave range. 相似文献
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Effect of longitudinal applied magnetic field on the self-pinched critical current in intense electron beam diode 下载免费PDF全文
The effect of applied longitudinal magnetic field on the
self-pinched critical current in the intense electron beam diode is discussed.
The self-pinched critical current is derived and its validity is tested by
numerical simulations. The results shows that an applied longitudinal magnetic field
tends to increase the self-pinched critical current. Without the effect of
anode plasma, the maximal diode current approximately equals the
self-pinched critical current with the longitudinal magnetic field
applied; when self-pinched occurs, the diode current approaches the
self-pinched critical current. 相似文献