移相掩模应用技术

一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。     

移相掩模技术及其发展前景

移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力研制高性能实用步进曝光设备的同时,重点研究移相掩模或移相光刻技术,已成为迅速改变我国光学微细加工技术落后面貌的必由之路。     

移相控制电路应用方法的改进

TCA785是一种优秀的移相控制电路，在晶闸管控制中广泛应用：根据TCA785电路在一台逆变器实际运用中出现的一些问题，提出改进方法。     

移相掩模为光学微细加工技术增添新武器

通过对国外光学微细加工技术发展现状的介绍,和对提高光学成像分辨率的各种途径的分析比较,提出了在加强光学曝光设备和抗蚀剂材料工艺开发的同时,立即着手研究移相掩模技术的主张。     

100nm分辨率的移相掩模技术

介绍了移相掩模技术的基本原理，对几种主要的移相掩模技术进行了比较，指出了各种移相方式的特点和应用局限性，并针对100nm分辨率的技术节点，阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。     

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。     

利用光学移相技术进行精确对准

己开发出一种利用光学移相、傅里叶交换和空间滤波技术,使基片上的对称图形与中间掩模上的移相图形套准的新型精密对准技术。这两个标记之间的对准是用检测基片对准标记反射光的零阶空间频率先强的最小值点来确定的。此最小值是因两对准标记共心时相位将完全抵消而形成的。所进行的理论分析知计算机模拟证明,这种技术不受对准标记图形线宽和台阶高度变化的影响,也不因制有对准标记的基片材料的光学特征变化而变化。初步实验结果与计算值相当一致。从而证明,这种技术不存在利用栅光图形和检测干涉条纹图像这些技术中所存在的模糊问题。现有结果表明,这种技术的套刻精度可优于0.1μm。     

100 nm分辨率交替式移相掩模设计

讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。     

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场)进行检查.基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形,并给出相关的修改建议.实验结果证实了该工具的有效性.     

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .实验结果证实了该工具的有效性     

KJ010晶闸管移相触发器集成电路

介绍了KJ010晶闸管移相触发器的引脚功能、内部结构、工作原理、参数限制，并探讨了其应用技术。