Cl+HN3产生NCl(a1Δ)和NCl(b1∑)的实验研究

对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl, Cl与HN3反应生成NCl(a1Δ )和NCl(b1∑)的过程进行了实验研究。得到了较强的NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响。发现对于一定的He流量,Cl2流量对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围（5~40 L/min）内,最佳He/Cl 2配比在30∶1~100∶1之间。     

Cl HN_3产生NCl(a~1Δ)和NCl(b~1Σ)的实验研究

对利用微波放电直接解离 Cl2 生成 Cl,Cl与 HN3 反应生成 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)的过程进行了实验研究。得到了较强的 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)自发辐射光谱 ,考察了 Cl2 流量和 He/ Cl2 配比对NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响。发现对于一定的 He流量 ,Cl2 流量对 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响存在一最佳范围 ,而最佳 He/ Cl2 配比不是一定值 ,而是随 He流量升高而变大 ,在实验所考察的 He流量范围 (5～ 4 0 L/ min)内 ,最佳 He/ Cl2 配比在 3 0∶ 1～ 1 0 0∶ 1之间     

C1＋HN3产生NCl（a^1Δ）和NCl（b^1∑）的实验研究

对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl,Cl与HN3反应生成Ncl（a^1Δ）和NCl(b^1∑）的过程进行了实验研究,得到了较强的Ncl(a^1Δ）和NCl（b^1∑）自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a^1Δ)和NCl(b^1∑）生成的影响,发现对于一定的He流量,Cl2流量对NCl(a^1Δ)和NCl(b^1∑）生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围（5－40L/min)内,最佳He/Cl2配比在30：1－100：1之间。     

NCl（a^1△）／I（^2P3／2）传能体系的实验研究

利用微波放电C12／He等离子体作为Cl源，对反应NCl(a^1△) I(^2P3/2)→NCl(X^3∑) I(^2P3/2)进行了实验研究，得到了较大的I(^2P3/2)自发辐射荧光信号，检测到NCl(a^1△，b^1∑)自发辐射荧光光谱在存在少量I(^2P3/2)下发生的显著变化，其中NCl(a^1△)自发辐射荧光信号降低，同时由于I(^2P3/2)的作用，NCl(b^1∑)自发辐射荧光信号大幅度增加。在考察各反应气体流量对I(^2P3/2)自发辐射荧光信号的影响时发现，在本次实验条件下，各种气体的最佳流量：He为1—4mmol/s，I2为0．01—0．03mmol/s，Cl2为1．0mmol/s左右，而HN3流量略大于Cl2流量时信号升高幅度开始变缓，约为Cl2流量的两倍时信号不再有显著的变化。     

Cl+HN3产生NCl(a1Δ)和NCl(b1∑)的实验研究

 对利用微波放电直接解离Cl₂生成Cl, Cl与HN₃反应生成NCl(a^1Δ )和NCl(b^1∑)的过程进行了实验研究。得到了较强的NCl(a^1Δ 和NCl(b^1∑)自发辐射光谱,考察了Cl₂流量和He/Cl₂配比对NCl(a^1Δ 和NCl(b^1∑)生成的影响。发现对于一定的He流量,Cl₂流量对NCl(a^1Δ 和NCl(b^1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl₂配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围（5~40 L/min）内,最佳He/Cl ₂配比在30∶1~100∶1之间。     

Experimental study on the system of Cl/Cl_2/He/HN_3/I_2

Using a microwave generator, chlorine diluted by helium was dissociated to chlorine atoms that subsequently reacted with hydrogen azide to produce the excited states of NCl(a1△). Meanwhile, molecular iodine with carrier gas of helium reacted with atomic chlorine to produce atomic iodine which then was pumped to excited state of I(2P1/2) by an energy transfer reaction from NCl(a1△). In this paper, the changes of NCl(a1△) and NCl(b1∑) emission intensity is presented when I2/He is introduced into the stream of Cl/Cl2/He/HN3/NCl(a1△)/NCl(b1∑). The dependences of atomic iodine I(2P1/2) on flow rates of gases were also investigated. The optimum parameters for I(2P1/2) production are given.     

NCl(a1Δ)/I（2P3/2）传能体系的实验研究

 利用微波放电Cl₂/He等离子体作为Cl源，对反应NCl(a¹Δ) + I(²P_3/2)→NCl(X³Σ) + I(²P_1/2)进行了实验研究，得到了较大的I(²P_1/2)自发辐射荧光信号，检测到NCl(a¹Δ，b¹Σ)自发辐射荧光光谱在存在少量I(²P_1/2)下发生的显著变化，其中NCl(a¹Δ)自发辐射荧光信号降低，同时由于I(²P_1/2)的作用，NCl(b¹Σ)自发辐射荧光信号大幅度增加。在考察各反应气体流量对I(²P_1/2)自发辐射荧光信号的影响时发现，在本次实验条件下，各种气体的最佳流量：He为1～4mmol/s, I₂为0.01～0.03mmol/s, Cl₂为1.0mmol/s左右,而HN₃流量略大于Cl₂流量时信号升高幅度开始变缓，约为Cl₂流量的两倍时信号不再有显著的变化。     

微波放电解离氯分子解离效率的测量

 以Cl/Cl₂/HN₃/He为基础的NCl(a¹Δ)/I作为一种化学激光新的体系，氯原子产生的多少对该体系的研究是至关重要的。利用滴定法研究了微波解离氯分子的解离效率。用HN₃/He滴定Cl，由光学多通道分析仪监测NCl(a¹Δ)和NCl(b¹Σ)辐射的荧光。发现微波解离氯分子的效率并不是想象的那样低，在较小的氯流量下，最高的解离效率可以达到100％。     

活性氮反应产生激发态卤化氮实验研究

报道了利用氮气放电产生的活性氮有效制备激发态卤氮自由基NX(b)(X=F,Cl,Br)的方法.在流动余辉装置上,将含溴有机物CH2Br2、CHBr3、C2H5Br、C4H9Br加入到活性氮中,在550～750nm观察到了较强的NBr(b→X)跃迁发射光谱.机理分析表明,活性氮中的基态氮原子N(4S)与含溴分子反应首先产生基态的NBr,由于亚稳态分子N2(A3Σ+u)的能量转移作用,基态NBr被激发到NBr(b).当含氯有机物CCl4、SOCl2加入到活性氮中时,观察到了NCl(b→X)的发射光谱,而当CHCl3、CH2Cl2加入到活性氮中时,却没有观察到NCl(b)态的辐射跃迁.当SF6与氮气混合放电时,观察到了NF(b)态的跃迁发射谱.分析表明,基态的NCl和NF自由基分别是由N(4S)+CCl3(SOCl2)→NCl(X)+CCl2(SOCl)和N(4S)+SF5→NF(X)+SF4通道产生的,再通过N2(A)能量转移到激发态.     

射流式单重态氧发生器研究

单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3～ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140～ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导     

N(4S)+CH3X(X=Cl、Br)反应机理的理论研究

利用abinitio方法对N(4S)+CH3X(X=Cl、Br)反应进行了理论研究,在MP2/6311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、过渡态和产物的几何构型和谐振频率,在MP2/6311++G(3df,2p)和QCISD(T)/6311+G(d,p)水平上进行单点能计算,并用G2MP2方法计算了所有物种的能量.计算结果表明,反应存在三条反应通道:H抽提反应通道a、Cl或Br抽提反应通道b和替代反应通道c.对于N(4S)+CH3Cl反应,a反应通道是主反应通道,b和c反应通道在反应中有少量贡献.对于N(4S)+CH3Br反应,a反应通道是主反应通道,b和c反应通道在反应中有一定的贡献.     

La_(2/3/)Sr_(1/3)MnO_3单晶的低场磁热效应

本文对La2/3Sr1/3MnO3单晶中b和a(c)轴方向的磁热效应进行了研究,由于晶体的磁晶各向异性,磁热效应表现出一定的各向异性.通过不同温度下的等温起始磁化曲线的实验分析表明,在外加场为10kOe的情况下,b和a(c)轴方向的磁熵变-ΔSM(H)在370K达到最大值,分别为1.942Jkg-1K-1和1.873Jkg-1K-1.低场下较大的磁熵变是由于磁化强度随外场迅速变化以及自旋-晶格的耦合造成的.La2/3Sr1/3MnO3单晶在低场下表现出相对较大的磁热效应,表明其在磁制冷方面有一定的潜在应用价值.     

G.657光纤的制备及其性能

G.657光纤具有优异的弯曲损耗不敏感性能.被认为是诸如光纤到户(FTTH)等局域网和接入网系统的首选产品,因此,该光纤的研究倍受重视.提出了一种采用全合成工艺制造G.657光纤的方法,详细探讨丫芯层和第一包层区的厚度(a,b)及其折射率差(△1、△2)与光纤性能之间的关系.研究表明,当α的取值在3.5～4.0 μm之间,b的取值在0.5～1.9μm之间,△1的取值在0.0034～0.0045之间,△2的取值在-0.0006～0之间时,可制得满足ITU.T G.657.A标准的光纤;当α的取值在2.8～3.2μm之间,b的取值在0.8～2.1 μm之间,△1的取值在0.0058～0.0072之间,△2的取值在-0.0016～-0.0008之间,可制得满足ITU.T G.657.B标准的光纤.且该光纤在结构上相对简单,无特殊设计的沟、槽、孔,因此制作工艺相对容易、稳定,易于推广和应用.     

GaN基光栅的干法刻蚀工艺

研究了基于BCl3/Cl2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀,详细研究了刻蚀气体BCl3/Cl2流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速率的影响,发现以SiO2作为硬掩膜,刻蚀速率、台面侧壁粗糙度以及陡直度随着刻蚀气体BCl3/Cl2流量比以及压强变化有着显著变化.保持IC...     

无定形靶中离子注入的R,R_p,△R_p的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解: R=2/a[E1/2-A_1(arctg2E1/2-f/△+arctg f/△)+B1 1n(E1/2-f)~2/E-fE1/2+d·d/f~2] 其中A_1,B_1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=F[A_2(μ)+B_2(μ)/μ1/2+C],和ω=R_p/△R_pR/R_p(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A_3(μ)μ1/2+B_3(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A_2(μ),B_2(μ),B_3(μ)和A_3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对等关系式的物理意义作了讨论。 上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO_2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

CH分子束的强度与CH4/He混合配比的关系及CH(A2△)振转温度的计算

为了获得CH分子束及其相关特性,以氦气为载气,利用直流脉冲放电技术产生了CH分子束.实验记录了放电时间相对于脉冲分子束不同延时CH光谱信号强度的变化,放电相对延时为460μs左右获得最大的信号强度.研究了在保持CH4/He总气压3 atm和放电电压-4 kV不变的条件下CH分子束强度与不同配比的关系,建立了理论模型,对实验数据进行了理论拟合,拟合曲线与实验结果符合较好,配比为1%(甲烷与氦的气压比为1:99)左右能够维持较稳定的放电现象和较强的放电强度而获得较强的CH自由基束流.在这一配比下对CH(A2△-X2П)(0,0)带发射光谱进行探测和分析,获得CH(A2△)转动温度和振动温度分别为2455 K和4575 K,并估计此时每个脉冲中大约包含1013～1014个CH自由基.     

激发态CsHe(Ar)分子的光离解

研究Cs(62P)+He(Ar)+nhν→Cs(92D)+He(Ar)+(n-1)hν过程,激光频率调到Cs9D3/2→6P1/2跃迁谱线的蓝翼20～100cm-1,测量了精细结构谱线强度分支比I(9D3/2→6P3/2)/I(9D5/2→6P3/2)。实验表明,原子相互作用势和非绝热效应在离解动力学中起关键作用。     

方列管型射流式O2（^1△）发生器的COIL出光研究

方列管型射流式O2(^1△)发生器是一种新型高效的氧碘化学激光器(COIL)化学能源供给装置。描述了采用该发生器在COIL上所做的一系列出光实验,这些实验着重于考察该发生器的性能参数及相应的COIL化学效率。结果在Cl2流量为0．25mol／s、无冷阱、稳定腔条件下获得化学效率高达26％。     

塞曼效应在Cl2+及其同位素分子离子

利用光外差磁旋转速度调制光谱技术获得了可见光波段(16820～17350cm-1)Cl2+分子离子的A2Πu-X2Πg电子跃迁吸收光谱.在标识Cl2+及其同位素分子离子谱带的过程中,应用塞曼效应,准确指认了属于Ω=1/2子带系的三个子带.它们分别是35Cl2+和35Cl37Cl+的(3,7)带的Ω=1/2子带以及35Cl2+的(2,7)带的Ω=1/2子带.其标识结果扩展了Cl2+分子离子的基态和激发态能级的振动标识范围,使各谱带的转动分析得以顺利进行,并获得了新的Cl2+分子常数.     

1-正丁基咪唑合钴(Ⅱ)配合物的合成及其晶体结构分析

由1-正丁基咪唑(C7H12N2)和氯化钴(CoCl2)合成了一种新的配合物1-正丁基咪唑合钴配合物[Co (C7H12N2)6]Cl2.采用元素分析、红外光谱和X射线单晶衍射对配合物结构进行了表征.结果表明,所合成的配合物C42H72Cl2CoN12属于单斜晶系,空间群P2,晶胞参数:a=8.540(3)nm,b=16.851(5)nm,c=17.237(5)nm;α=90.00°,β=104.037(5)°,γ=90.00°;V=2406.5 (13)nm3,Z=2,Dc=1.207g· cm-3,F(000)=938,μ=0.509mm-1,R1 =0.0526,wR,=0.1664.