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本文评论器件所用的GaAs和GaP单晶衬底的通用制备工艺。评论了化合物合成和晶体生长的主要方法。重点谈液封直拉法,因为所有大面积GaP单晶目前都是用这种方法生长的。 相似文献
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可见光发光二极管(LED)是目前用量很大的一类半导体器件.由于发光效率不高,一直只能用作弱光光源(如指示灯)和各种信息显示器件(如各种数码管和收录机上的电平指示器),而不能用作强光光源.1983年7月,日本斯坦利公司的寺岛透等人报道了一种超高亮度的GaAlAs红光发光二极管[1],这种器件刷新了1972年以来一宜保持的12.6%外量子效率的实验室纪录,达到16%的发光效率,在20毫安电流下,器件的发光强度达2烛光.该器件已被用作十字路口的交通信号灯,成功地迈入了强光光源的行列. 器件的发光波长为6600埃,光谱半宽度为250埃;响应速度30—40毫微秒,比… 相似文献
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白光有机发光器件(OLED)能够产生高效饱和的白光,且具有驱动电压低、材料柔性好、可实现大面积显示等特点,在信息显示与固态照明等领域有巨大的应用潜力.目前白光OLED主要分为单发光层、多发光层、下转换、叠层等结构,不同的结构具有各自的优势,都受到了很大关注.首先介绍了白光OLED的性能指标.接着,结合所开展的研究工作综述了白光OLED在结构和性能方面的研究进展,总结了实现高效白光OLED的各种方法,重点探讨了提高白光OLED性能的途径及所面临的挑战. 最后,展望了白光OLED的发展趋势.
关键词:
白光有机发光器件
固态照明
电致磷光
光取出 相似文献
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本文介绍了国外宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状和进展,以及在光器件应用方面的动态。综述范围主要有在禁带宽度允许发射近红外波长以下的发光材料,重点是可见光。另外,也介绍了某些新型发光材料,如兰色光MIS型器件所需要的发光材料等。 相似文献
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全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能红色发光器件一直是制约全彩色OLED器件实用化的瓶颈,也是目前有机电致发光显示研究的热点。制作了掺杂DCJTB和不同浓度的rubrene两种荧光染料的红色有机电致发光显示器件,以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,发现器件性能与只掺杂DCJTB的器件相比有明显提高,发光效率提高到2~3倍。通过Frster理论和能带理论分析了器件的能量转移机理,研究发现Frster能量转移不是掺杂器件能量转移的主要形式,载流子俘获机制才是器件效率提高的主要原因;rubrene的引入使得能量能够更有效地从Alq3转移到DCJTB,从而显著地提高了器件的发光效率和性能。 相似文献
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以蓝色发光材料DPVBi为基质的白色发光器件 总被引:8,自引:3,他引:5
白色有机发光器件是实现彩色平板显示的重要方案之一。利用蓝色发光材料DPVBi[4,4′—(2,2—苯乙烯基)—1,1′—联苯]掺杂红光染料DCJTB[4—氰甲烯基—2—叔丁基—6—(1,1,7,7—四甲基久洛尼定基—9—烯炔基—4H—吡喃)]作发光层制备了白色发光器件。研究了DPVBi掺杂不同浓度IDCJTB薄膜的光致发光性质,根据光致发光结果,制备了以DPVBi掺杂不同浓度DCJTB作发光层的电致发光器件,其结构为ITO/GuPc/NPB/DPVBi:DCJTB/Alq3/LiF/Al。当DCJTB质量分数为0.0008时,器件实现了白色发光(色度x=0.25,y=0.32),电致发光和光致发光的掺杂比例基本相符,表明器件的白色发光主要是由基质DPVBi向掺杂剂DCJTB的能量传递产生的。研究还发现:白色器件随电压升高,光谱中蓝色成分相对于红色成分的比例略有增加,文章对此现象进行了分析。该白光器件在14V时达到最高亮度7822cd/cm^2,在20mA/cm^2电流密度下的亮度为-489cd/cm^2,最大流明效率为1.75lm/W。 相似文献
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本文研究了GaN在蓝宝石衬底上的成核和生长过程。用最佳生长参量制得平整、透明、重复性好的大面积GaN层。在n——型GaN层上生长;掺Zn的GaN多层结构。在此结构上制作的器件呈现出从橙色至深蓝色的电致发光。该发光是在低电压下得到的:2.4V为橙色,2.6V为黄色,2.8V为绿色,3.2V为蓝色。深绿色和蓝色发光器件的外功率效率约为10~(-3)。 相似文献
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高稳定性的红色有机薄膜电致发光器件 总被引:4,自引:1,他引:3
有机薄膜电致发光作为新型的平板显示器件受到人们广泛的关注。有机发光器件研究的一个目标是发展全色显示。目前绿色和蓝色器件都实现了高亮度和长寿命。有关红色有机发光器件也有一些报道。如 C.W.Tang等报道的 DCM红光器件[1],J.Kido[2]利用稀土有机物作为红色发射体,P.E.Burrous报道的TPP掺杂[3]Y.Hamada报道的ZnTPP掺杂[4], M. A. Baldo利用PtOEp[5]都得到红光。最近 Y. Hamada报道利用rubrene作为辅助掺杂得到的红光器件色度不随电压的… 相似文献
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硅片上顶发射的有机电致发光器件 总被引:2,自引:0,他引:2
为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件。在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属。在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能。我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10V时达到13700cd/m^2,器件的最大电流效率在7V时达到4.3cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3与QAD之间Foester能量转移机制引起的。 相似文献
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掺杂聚合物薄膜的蓝色电致发光 总被引:6,自引:3,他引:3
有机薄膜电致发光(OTFEL)自从Tangu[1,2],发表了高效、高亮度的双层结构器件以来,因其驱动电压低、直流驱动、亮度高、效率高、可制成大面积的平板显示而成为当前发光器件研究的热点.但由于有机膜的稳定性差,因此人们逐渐把注意力转向具有稳定结构的聚合物. 相似文献
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近些年,有机薄膜电致发光(Organic Thin Film Electroluminescent-OTFEL)器件的发展非常迅速[1,2,3]。由于它易于实现大面积彩色显示,成为发光研究中的热点。目前研究工作面临的最大问题是器件的稳定性。通常,OTFEL器件在空气中的老化速度很快。连续工作时,器件发光的时间约几个小时。在恒定电流驱动下,器件的亮度从快到慢持续下降,同时驱动电压逐渐上升,说明器件的老化伴随着电阻的增大。在研究OTFEL器件老化机制的过程中,我们发现了一种非常有意义的现象:器件在恒定脉冲电压驱动下,随驱动时间的增加,初始亮度经过一个短暂上升的过程。 相似文献
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有机发光二极管(OLEDs)是基于有机半导体的发光器件,由于具有自发光、响应速度快、发光颜色可调、轻薄、大面积柔性可弯曲等优点,被认为是新一代的显示和照明技术。OLEDs是通过注入的电子和空穴复合形成激子并辐射发光的过程,因此如何有效利用激子,特别是三线态激子,已经成为OLEDs材料和器件研究的重要课题。其中,如何把三线态激子能量转换成单线态激子,并最终实现100%激子的荧光发射更具有应用价值,最近几年这方面的研究已经取得了显著进展。本文从OLEDs的工作原理和发光过程出发,详细介绍了制备高效率荧光OLEDs的有效方法及其最新进展,并对未来发展方向进行了展望,为OLEDs材料和器件的研究提供重要参考。 相似文献
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《发光学报》1972,(6)
期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 … 相似文献