电致发光显示

电致发光具有固体平板化的优点，用它可做成大面积和任意形状的发光图形．不仅可以做成大面积数字与字符显示器件、模拟显示器件，更重要的是可以做成全固体平板化的计算机终端显示器，从而做成便携式计算机、大面积的会务信息显示器、车站和机场时刻显示器等．全固体平板化的“黑白”电视机已成为现实，“挂壁”式彩色电视机的研究也取得了明显进展，用固体化的平板显示器件代替阴极射线管已成为科技发展的必然趋势．     

RCA公司制成蓝色发光二极管显示器

据Electronics 46(3),1973报导,美国RCA公司制出蓝色发光二极管显示器。这种蓝色发光二极管是一种“金属—绝缘体n型(MIN)”器件,在室温下工作。它由宽禁带材料氨化镓(3.5伏)做成。这种材料透明于可见光。这种透明性意味着,通过控制杂质可产生各种颜色,包括其它Ⅲ—Ⅴ族化合物如磷砷化镓和磷化镓等所能得到的红色、黄色和绿色。     

纸状显示器

常见的显示器有阴极射线管和液晶显示器 ,它们已分别应用在示波器、电视机、计算机、计算器、通信设备 (雷达、呼机、手机等 )等方面 .此外 ,还有等离子体显示器 ,用这种显示器做成的电视机 ,整机厚度只有大约 3— 4ｃｍ .最近 ,日本佳能公司的工程技术人员研制出了纸状显示器 .所谓纸状显示器就是一种薄如纸、柔性大的反射式显示器 ,它所显示的图像在没有电源输入时仍能存在 .这种显示器的显示机制 ,依据的是电泳现象 .研究人员想把常规的显示器(液晶显示器、阴极射线管 )的优点和这种纸状显示器的优点结合起来 .这类显示器已有人提出过并…     

平板型多位数字荧光显示器(日本伊势电子工业公司中村正等人在76年信息显示会议上的报告摘要)

前言 目前对用在电子计算机、测量仪器和某些工业仪表上的数字显示器的要求,不仅着重于减小尺寸、降低功耗,同时还力求做成平板结构。 过去大家熟悉的所谓:“伊管”,确切些说即“绿色荧光显示管”,是真空管型的字母数字荧光显示器。该类荧光管自1976年     

多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响

氮化镓(GaN)器件的自热问题是目前限制其性能的关键因素,在GaN材料上直接生长多晶金刚石改善器件的自热问题成为研究的热点,多晶金刚石距离GaN器件工作有源区近,散热效率高,但多晶金刚石和GaN材料热失配可能会导致GaN电特性衰退.本文采用微波等离子体化学气相沉积法,在2 in (1 in=2.54 cm)Si基GaN材料上生长多晶金刚石.测试结果显示,多晶金刚石整体均匀一致,生长金刚石厚度为9—81 μm,随着多晶金刚石厚度的增大, GaN (002)衍射峰半高宽增量和电性能衰退逐渐增大.通过激光切割和酸法腐蚀,将Si基GaN材料从多晶金刚石上完整地剥离下来.测试结果表明:金刚石高温生长过程中,氢原子对氮化硅外延层缺陷位置有刻蚀作用形成孔洞区域,刻蚀深度可达本征GaN层;在降温过程,孔洞周围形成裂纹区域.剥离下来的Si基GaN材料拉曼特征峰峰位, XRD的(002)衍射峰半高宽以及电性能均恢复到本征状态,说明多晶金刚石与Si基GaN热失配产生应力,引起GaN晶格畸变,导致GaN材料电特性衰退,这种变化具有可恢复性,而非破坏性.     

微米晶单斜氧化锆高压相变制备亚微米四方多晶氧化锆

高压相变已逐渐发展成为一种制备纳米/亚微米多晶陶瓷块体材料的有效方法。高压可以抑制原子的长程扩散进而抑制晶粒长大,高压下截获的新相不受初始材料晶粒尺寸的制约,通过热力学调控可以得到晶粒尺寸更小的多晶块体材料。陶瓷材料在特定热力学条件下通常会发生相变,新相的形成要经历形核、生长的过程。采用晶粒尺寸为2μm的单斜ZrO2与晶粒尺寸为50 nm的Y2O3以97:3的摩尔比混合,在5.5 GPa、800～1700℃温压区间内对初始材料进行烧结,采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对所得样品进行表征。研究结果表明:高压下截获了单斜相和亚微米四方相复合的多晶ZrO2块体材料,1200、1400、1600和1700℃温度下获得的四方相的平均晶粒尺寸为(145±62) nm、(246±165) nm、(183±62) nm和(245±107) nm。利用高压相变以微米晶制备细晶粒多晶块体材料,可以避免常规方法中以纳米粉末为初始材料制备细晶粒多晶块体材料存在的团聚、吸附及晶粒长大的问题,进而发展一种以微米晶为初始材料通过高压相变制备高性能细晶粒多晶块体材料的方法。     

影响平板电视显示发展的一些因素

薄的平板直观电视显示器有希望做成画面较大、重量较轻,体积较小的显示器,然而只有当它比现在的萌罩式电子束显象管显得性能优良、价格便宜时,才会被人们采用。平板研制中的一个新的重要的基础就是集成电路技术的逐渐成熟。如果这种新的平板显示器研制成功了就可用于从携带式到超大型的任意尺寸的显示,估计大面积的平板显示器将首先达到经济实用的水平。     

红外用CVD ZnS多晶材料的研制

论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250mm×15mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10^-5,在1.06μm的吸收系数为2×10^-3cm^-1,抗弯强度达到104MPa。     

多晶金刚石与硬质合金的复合材料的制备方法

多晶金刚石与硬质合金的复合材料由0.5—1mm厚的多晶金刚石层和3—4mm厚的硬质合金基底构成.这种材料既具有金刚石的硬度、耐磨性、高导热等性质,又具有硬质合金的强度,因此是一种很好的工具材料.它被广泛地用于制造石油、地质、煤炭等工业部们用的钻进钻头,用来制造加工有色金属及其合金,非金属材料等的车削工具,如车刀、铣刀、镗刀等.还可以用作其他耐磨部件. 使用多晶金刚石复合材料制作的工具可以提高工效,减轻劳动强度,提高产品质量,节省能源,因而可以大大降低生产成本.例如,据石油部门的专家估计,用多晶金刚石复合片钻头代替三牙轮钻…     

CdSyTe1-y多晶薄膜的制备及光谱表征

采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y多晶薄膜的结构、组分。实验结果表明:石英振荡法监控的组分与EDS谱结果较为一致;当y<0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为立方结构,当y≥0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为六方结构。采用XRD线形分析法可计算出CdSyTe1-y多晶薄膜晶粒大小约20～50nm。最后,用紫外-可见-近红外谱(UV-Vis-NIR),测得300～2500nmCdSyTe1-y多晶薄膜的透过率曲线,并结合一阶Sellmeier模型的折射率色散关系,表征了CdSyTe1-y多晶薄膜的光学性质,获得了CdS0·22Te0·78多晶薄膜的光学厚度d～535nm,光能隙Eg～1·41eV,以及吸收系数α(λ)、折射率n(λ)等光学量。结果也表明,采用真空共蒸发法可以制备需要组分的CdSyTe1-y多晶薄膜,对CdSyTe1-y多晶薄膜光学性质的表征方法可推广到其他的半导体薄膜材料。     

固溶体半导体ZnS1-xTex(0≤x≤1)多晶薄膜的制备及特性研究

ZnS1-xTex是制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1-xTex多晶薄膜的真空蒸镀制备情况，并用原子力显微镜、X射线衍射仪、能量色散谱仪、紫外．可见分光光度计、荧光光谱分析仪等对制备的多晶薄膜的性质进行了测试和分析，发现该多晶薄膜保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。     

柔性超高分辨率显示器问世

正由英国牛津大学科学家率领的一个研究小组日前借助相变材料开发出一种柔性超高分辨率显示器,让单个像素点只有几百纳米的"纳米像素"显示器成为了现实。这种显示器除了具备极高的分辨率外,还具有超低能耗、可折叠、静态显示的优     

纳米多晶铜中冲击波阵面的分子动力学研究

冲击波阵面反映材料在冲击压缩下的弹塑性变形行为以及屈服强度、应变率条件等宏观量, 还与冲击压缩后的强度变化联系. 本文使用分子动力学方法, 模拟研究了冲击压缩下纳米多晶铜中的动态塑性变形过程, 考察了冲击波阵面和弹塑性机理对晶界存在的依赖, 并与纳米多晶铝的冲击压缩进行了比较. 研究发现: 相比晶界对纳米多晶铝的贡献而言, 纳米多晶铜中晶界对冲击波阵面宽度的影响较小; 并且其塑性变形机理主要以不全位错的发射和传播为主, 很少观察到全位错和形变孪晶的出现. 模拟还发现纳米多晶铜的冲击波阵面宽度随着冲击应力的增加而减小, 并得到了冲击波阵面宽度与冲击应力之间的定量反比关系, 该定量关系与他人纳米多晶铜模拟结果相近, 而与粗晶铜的冲击压缩实验结果相差较大.     

液晶显示器广色域技术的研究

针对当前液晶显示器存在色彩表现不佳的缺点, 从原理上研究了影响液晶显示器色域的主要因素。通过实验, 分别验证了彩色滤光片厚度、LED光源光谱以及量子点材料对液晶显示器色域的影响。通过增加液晶面板的彩色滤光片厚度, 将色域增加了8%;通过更改LED光源光谱, 将色域提升到85%NTSC以上;通过采用量子点材料, 实现了100%NTSC以上色域。     

自制数字显示器

数字显示器是一种显示阿拉伯数字的装置,广泛应用于各类比赛计分显示.目前各种专业数字显示器结构复杂,这里介绍一种经济简便的数字显示器.用普通材料自己动手就可以制作,非常适宜给学生开展第二课堂,调动学生学习物理的积极性,发挥学生的主观能动性.     

纳米微晶材料的结构和性质

纳米微晶材料是纳米量级晶粒所构成的多晶物质,其晶界区域中存在与长程有序晶态和短程有序非晶态结构不相同的“气体状”的结构。本文讨论了纳米微晶材料的制备方法、结构特点和奇异性质及其在材料科学中的应用。     

铋层状氧化物单晶薄膜多铁性研究进展

室温单相多铁材料非常稀缺,磁性元素掺杂的铋层状钙钛矿结构Aurivillius相氧化物是一类重要的单相室温多铁材料,但由于缺少单晶类样品,这一类多铁材料研究主要是围绕多晶类块体或者多晶薄膜展开,它们的磁、电等性能研究大都采用宏观探测方式,因此这类多铁材料的多铁性机理研究进行得非常困难.近年来在高质量单晶薄膜的基础上,研究了多种磁性元素掺杂和不同周期结构的铋层状氧化物多铁单晶薄膜.这些单晶薄膜在室温下大都具有层状面面内方向的铁电极化,以及比较小的室温磁化强度,低温区存在第二个磁性相变.通过X射线共振非弹性散射实验发现元素掺杂会改变金属和氧原子之间的氧八面体晶体场的劈裂,能够增强铁磁性.另一方面,通过极化中子反射实验发现薄膜主体的磁化强度远小于通常探测的宏观磁化强度,说明单晶薄膜中磁的来源及其磁电耦合机理和多晶块体很可能是不同的.铋层状单晶薄膜的多铁性对未来继续改善这类材料的多铁性能有很好的指导作用.     

纳米微晶材料的结构和性质

纳米微晶材料是纳米量级晶粒所构成的多晶物质,其晶界区域中存在与长程有序晶态和短程有序非晶态结构不相同的“气体状”的结构。本文讨论了纳米微晶材料的制备方法、结构特点和奇异性质及其在材料科学中的应用。     

一个等温状态方程

固体状态方程是研究固体材料的体积、压力和温度之间的关系,研究的对象大多是多晶材料等各向同性固体。由于具有极大的实际意义,近年来,几乎对所有材料都进行过状态方程的实验测定。在高压物理的范围内,主要讨论等温条件下的P(压力),V(体积)关系。     

微重力条件下熔-固相变对流与浮区对流的耦合

本文以空间材料生长为背景,用有限元法研究微重力条件下的浮区单晶生长过程,考虑了表面张力对流与浮区对流的耦合作用,计算了凝固界面形状,结果表明,晶体的生长速度是个重要的影响因素,生长时,单晶-熔体界面比多晶-熔体界面更倾斜;当生长速度超过临界值时,多晶-熔体界面附近的Marangoni涡会分裂出二次涡。 关键词：