利用等效源方法计算轴对称场源分布的场

本文介绍的方法，是直接从场源分布出发，把电 介质的极化源及磁介质的磁化源等效为自由源的分布， 并巧妙利用场的叠加原理计算具有轴对称性的场源分 布的场．从而避免了繁杂的数学计算，突出了物理概 念．只要具备电磁学和数学分析的知识，就能解决很 多类似的问题．     

球面电磁波斜入射建筑物内场的数值分析

为了分析窄带电磁脉冲源近、远场辐照大型建筑物内部空间电磁场分布特点,采用时域有限差分方法,对比分析平面波、球面波场源正面斜入射多层多单元建筑物的计算结果,并较为全面地分析了各房间各水平面中心电场强度幅值、各层各水平面电场强度最大值分布情况。建筑物各层相对应高度面上场强分布近似,在电磁波传播方向上窗户房间内部区域场强较强,两种波场源入射结果基本一致;在其余区域场强较弱,特别是在较大空间内的区域,球面波场源入射下场强相对更弱。其中通过与待模拟建筑物外形相紧凑性匹配的球面波场源构建,模拟仿真了窄带球面电磁波在真空空间的辐射传播,计算结果验证所构建球面波近场源准确可行。     

闭式电感耦合等离子体特性对比实验研究和光谱分析

ICP反应室或ICP质谱仪不同,ICP在用于衰减微波时,其腔体采用全密封石英结构,同时缺少静电屏蔽、金属衬底和磁场约束等条件,研究其内部电子密度等参数的分布对于等离子体局部隐身技术具有重要意义。利用光谱分析法,对两种典型ICP源(螺旋型和盘香型)在密闭石英立方体腔内H模式下稳定放电的电子密度分布展开了对比试验研究。使用Ar离子谱中476.45 nm谱线相对光谱强度变化研究了不同型ICP源的E—H模式跳变和功率耦合效率,通过非H谱线(Ar)的Stark展宽法,诊断了两种源的天线垂直平面上的二维电子密度分布。实验发现ICP在H模下的电子密度分布受交变磁场产生的趋肤电流影响较大,趋肤深度随着放电功率的增大而减小,同时主等离子体区域体积缩小、电子密度增加,在天线的垂直面上,螺旋型源ICP电子密度呈中心轴对称型分布,盘香型源ICP呈双峰型分布。功率耦合效率受源天线形状及其容性耦合效应影响较大,光谱相对强度显示螺旋型源的功率耦合效率低于盘香型源。通过该实验方法,可以在石英立方腔体内得到最高电子密度范围为1.4×1017～2.5×1017 m-3的螺旋型ICP源和范围1.8×1017～3.0×1017 m-3的盘香型ICP源。     

双星系统的能量及其分布

本文援引胡宁所推广的引力场总能量动量赝张量密度式,计算了双星系统的能量,其结果是正常的。然而,这能量的分布却是不确定的;分布的规律基本上与孤立静止星球的席瓦兹外域场一致。如果认为场源物质所产生的引力场不再具有引力质量,则可决定该密度式中的n值,即引力场能量的分布也被确定。 关键词：     

EACVD中的Hα谱线与最佳生长条件

采用蒙特卡罗方法,模拟了CH4/H2混合气体为源气体的EACVD中的氢原子发射过程。考虑了电子与H2的弹性碰撞及振动激发、分解、电子激发、相应于Hα,Hβ,Hγ谱线的激发、电离及分解电离等非弹性碰撞过程;与CH4的碰撞考虑了弹性动量传输及振动激发、分解、电子激发、电离及分解电离等非弹性碰撞过程。研究了不同实验条件下产生的H,CH3的数目与Hδ谱线强度的关系,给出了一种通过Hα谱线来推断生长金刚石薄膜的最佳实验条件的方法。     

用亥姆霍兹定理讨论电位移

从亥姆霍兹定理出发,阐明了电位移与场源之间的内在联系,指出电位移不仅与自由电荷分布有关,而且还与电介质、极化电荷及边界条件有关;着重分析了电位移仅与自由电荷分布有关的条件。     

场源分布的对称性与场分布的对称性

场源分布的对称性与场分布的对称性李复（清华大学物理系，北京１０００８４）王秉严（天津市电机技校，天津）（收稿日期：１９９７－０７－０４）静电场、稳恒电场（与稳恒电流相伴的电场叫稳恒电场）、静磁场、稳定的感应电场、静引力场等经典矢量场，由相应的场源——...     

关于定态电磁辐射场的多极展开

熟知计算按正弦规律随时间变化的场源所激发的电磁场,可从下列推迟矢势出发。对于小区域场源,即其线度l与其到观察点的距离r和电磁波波长λ满足下列条件:的场源,可将(1)式展为幂级数,幕级数的各项代表场源电磁多极矩所激发的电磁场的矢势。如何将(1)式展开?最好的方法是进行球谐展开。由于这种方法需要较多的数学工具,所以若干教科书采取了其它较为简单的方法展开。可是这些方法中有的是不严格的。例如,有的书[1]是先将因子｜r-r’｜近似地取为 (式中n)如此,便将(1)式近似地表为然后再将e-ikn·r’和展为幂级数,以求得矢势 A的幂级数展开式…     

介质中宏观电磁场的描述

介质中的宏观电磁场通常是用E、D、B、H四个矢量来描述的,共中E、B是基本场矢量,D、H是辅助性的,它们的定义又牵涉到另外两个矢量──极化强度P和磁化强度M。这里关键问题是将宏观的电荷密度ρ和电流密度j分解为两部分:最后通过P、M和D、H的引入,从场方程中将场源的一部分ρ′和j′消去。ρ和j如何分解,直接决定着P、M、D、H的定义,不同的分解方式将给出不同的定义。然而,在普通物理教学中因着重于介质中稳恒场的讨论,容易给人一个印象,好象分解的方式是唯一的,从而D和H的定义也是一成不变的。其实不然。这里有相当大的变动余地。在…     

一类无奇点宇宙模型

按照Penrose-Hawking的奇点定理,在场源物质无旋、无加速且能量密度满足条件ρ+3p≥0的宇宙模型中一定存在奇点.本文研究了场源物质有旋时的无奇点宇宙模型,获得了几种无奇点的宇宙解.     

GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应

本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。     

Tesla-PFN型长脉冲功率源加载线的结构设计

 为解决Tesla-PFN型长脉冲功率源在高电压下多个加载线串联时加载线之间出现的电磁干扰问题,对一种环形串联加载线的结构进行了优化设计,重点解决了加载线与形成线的阻抗匹配及加载线的高压绝缘问题。优化了过渡段结构,使形成线与加载线阻抗匹配较好,输出脉冲顶部平坦;利用静电场分析软件计算了加载线的电场分布,通过调整屏蔽环的形状和位置使电场分布更加均匀。     

一般稳态时空中光子的轨道效应

计算了带有电荷和磁荷的旋转场源外部稳态时空中光子的轨道效应. 通过对计算结果的分析, 发现由荷电所引起的光子轨道偏转效应将减小由场源质量所引起的光子轨道偏转效应,但由场源的旋转所引起的相应偏转效应将依赖于场源的旋转方向与光子运动方向之间的夹角. 通过对相应的天体参数的讨论得到了一系列有意义的结果. 关键词： 光子轨道 引力效应 稳态时空     

光谱法研究等离子体粒子循环和输运

介绍了三高斯拟合技术,首先用单高斯选点拟合了Hα线形分布的远翼,由谱线的多谱勒展宽得出等离子体离子温度为170 eV,再对剩余量进行双高斯拟合,从多谱勒频移求出反射和解吸粒子入射速度分别为3.0×104 m/s和1×104 m/s,从谱线辐射强度推出再循环粒子由60%反射粒子和40%解吸粒子组成。在简化模型下讨论了粒子的输运行为,算出了氢原子密度、体发射系数和粒子约束时间的分布,均与实验结果相符。分析了粒子入射速度大小对粒子约束时间的影响,结果表明,正常放电下,HT 6M托卡马克粒子约束时间在4~8 ms;反射粒子的速度大小直接决定粒子约束时间的大小和空间分布。     

旋转荷电球体外部引力场中引力效应

以实验粒子的短程线方程为出发点，计算了由旋转参量与电荷参量所引起的近日点进动效应．当粒子绕行方向与场源旋转方向一致时，与Kerr场中情况相比修正项将使进动效应增大．此外，通过引入局域洛伦兹空间截面，可给出该场中运动物体上加速度．显然在随动系中（vⁱ=0），从极轴方向和赤平面粒子均不能到达场源，而是分别停滞在r＝k＋(k²+4m²a²)^1/2/2m和r=k/m处．此时可以计算对星系尘埃的吸积作用，即尘埃的分布状况．最后还讨论了赤平面上作圆周运动物体（仅v³≠0）的类柯里奥利加速度 关键词：     

As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响

利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料, 探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响. 结果表明, As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成, 导致高密度均匀分布的量子点的生长. 结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理. 分析认为, InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定.     

基于激光诱导击穿光谱技术定量测量甲烷/空气混合当量比的实验研究:门控模式及激光波长的影响分析

激光诱导击穿光谱技术(LIBS)作为一种新型光谱分析方法,近年来被逐渐应用于燃烧诊断领域。在甲烷/空气混合气中建立了一套LIBS测试系统,利用H,O,N不同特征谱线强度比实现了对甲烷、空气燃空当量比的定量测量。在"门控"模式下,比较分析了H656/O777与H656/N746这两种定标曲线对燃空当量比的测量效果,发现H656/O777可以实现更好的预测精度与更高的灵敏度;"非门控"模式可以利用更多的谱线强度比(H656/O777,H656/N+500,H656/N+567和H656/N746)进行标定测量,其中H656/O777的测试效果最好。比较分析了"门控"与"非门控"两种检测模式对标定测量的影响:"门控"检测模式在拟合优度与预测精度方面都要略优于"非门控"模式。此外,在保持聚焦点能量密度相同的情况下,研究了1 064,532和355nm三种不同激光波长对H,O和N特征谱线及H656/O777标定曲线斜率的影响:H,O和N特征谱线强度、信噪比以及H656/O777标定曲线的斜率均随激光波长的增加而增加。在三种波长中,1 064nm的激光最适合作为LIBS技术的光源,定量测量甲烷/空气混合气当量比。最后,分别从等离子体电子密度、温度对谱线强度与分布函数的影响方面,对以上实验结果给出理论上分析与说明。     

利用Hβ线的Stark加宽计算激光诱导Cu等离子体的电子密度

潮湿空气中,利用Nd:YAG脉冲激光烧蚀Cu靶获得等离子体发射光谱,依据谱线波长和相对强度等信息计算了等离子体的电子温度;在此基础上,分别用三种方法由Hβ线的Stark加宽计算得到电子密度,并对结果进行了比较分析,证实：对于电子密度在1015~1016cm-3范围内的等离子体,用Hβ谱线测量电子密度是可靠的. 讨论了等离子体电子温度和电子密度在垂直于靶面方向的空间分布,并从产生机制的角度解释了等离子体的传播过程.     

PECVD a-SiNx:H薄膜中的氢分布

用红外光谱、质子核磁共振谱对以SiH₄/NH₃/N₂混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅(a-SiNx:H)薄膜进行了分析,结果表明膜中H以Si-H和N-H形式存在,均呈集聚和疏散两种分布状态,衬底温度影响氢的总量和分布均匀性,射频功率显著影响[N-H]/[Si-H],退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布.     

O~+ + H_2及其同位素取代反应的立体动力学研究

运用准经典轨线方法,基于RODRIGO势能面,对碰撞能为20kcal/mol时,O++H2及其同位素取代反应的立体动力学性质进行了理论研究,对k-j′两矢量相关和k-k′-j′三矢量相关的分布函数、极化微分反应截面,以及产物转动取向参数进行了详细的讨论.结果表明,O++H2→OH++H,O++DH→OD++H和O++TH→OT++H反应的立体动力学性质对体系的质量因数非常敏感.