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ITER电流引线高温超导叠制作工艺及性能测试 总被引:2,自引:0,他引:2
ITER高温超导电流引线载流能力最大要达到68 kA,一根电流引线共需要1000多根银金基Bi-2223高温超导带并联.这些高温超导带分成90叠,每叠由12层带组成.银金基Bi-2223带价格是普通银基Bi系带的4~5倍,而目前欧洲超导公司提供的超导叠的报价几乎是其带价格加倍,所以开发超导叠的制作工艺是非常有价值的.本文详细的介绍了超导叠的真空钎焊制作工艺,并进行了77 K下超导带的接头电阻测试和77 K自场下的临界电流测试,以及模拟在实际运行温度65~5 K条件下高温超导叠的载流能力测试和接头电阻的测试.测试结果证明了此工艺的可行性. 相似文献
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用国产Bi2223/Ag带(西北有色金属研究院提供)设计的中心场3.0T,贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中.磁体由绕组内径150mm,外径272mm的32个双饼磁体组成.磁体在温度T=20K下,设计临界电流Ic=132A,额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验,得到磁体Ic=140A,中心场Boc=1.14T,相应Bi2223/Ag带上最大轴向场Bzmax=1.91T, Bi2223/Ag带上最大垂直场Brmax=1.14T.四双饼组合磁体的实验结果预示:35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到. 相似文献
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用国产Bi2223/Ag带(西北有色金属研究院提供)设计的中心场3.0T.贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中.磁体由绕组内径150mm.外径272mm的32个双饼磁体组成.磁体在温度T=20K下.设计临界电流Ic=132A.额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验,得到磁体Ic=140A,中心场Bcc=1.14T,相应Bi2223/Ag带上最大轴向场Brmax=1.91T.Bi2223/Ag带上最大垂直场Brmax=1.14T.四双饼组合磁体的实验结果预示:35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到. 相似文献
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临界电流值是描述Bi2223高温超导带材性能的一个基本参数,在一定的温度条件下,Bi2223高温超导带材的临界电流是带材所在位置磁场大小和磁场方向的函数,其短样的临界电流值可以通过四引线法测量,单根超导带材的自场很小,磁场对临界电流的影响可以忽略.高温超导磁体的临界电流被定义成引发该磁体失超的最小电流,高温超导磁体的自场比单根超导带材的自场要大得多,磁体各个位置的磁场大小和方向各不相同,很难用理论的方法准确计算磁体的临界电流.对于高温超导磁体而言,除了磁场的影响因素以外,绕制磁体所用的超导带材自身的均匀性也是影响其临界电流的一个重要因素.本文对这两个因素进行探讨,并着重讨论高温超导带材自身的均匀性对临界电流大小的影响,本文的结论可以为高温超导磁体的设计、磁体绕制时带材的选择、磁体运行时安全工作电流的确定提供帮助. 相似文献
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Bi2223/Ag超导带的电阻率ρ-T曲线研究 总被引:5,自引:1,他引:4
电阻率ρ(T)是影响超导材料失超传播性能的一个很重要的材料参数.本文主要对Bi2223/Ag高温超导多芯带材的电阻率ρ随温度T的变化关系曲线进行测量并得到了有意义的实验结果.同时也得到了超导带材的临界温度.通过测量的ρ-T曲线,我们分析了Bi2223/Ag超导多芯带从超导态向完全正常态的转变过程中,传输电流在带材内部超导芯与基体银之间的分配情况以及ρ-T曲线的形状.这对研究高温超导带材失超传播特性以及失超传播过程的有限元分析都有着重要的实际意义. 相似文献
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着重讨论了准静水冷压对Bi系高温超导材料超导电性的影响,并分析了经冷压-退火处理后超导电性的改善情况。准静水冷压处理后,Bi系超导材料晶粒间界连接发生显著退化,晶粒内部产生大量缺陷,由此导致了宏观超导电性的退化。冷压造成了体密度的极大提高和一定的晶粒择优取向。这些现象主要是由于准静水压下剪切应力的作用。退火后,晶界连接得到很大加强,部分缺陷消失或形成堆错使材料各项性能均获改善。Jc(77K,零场)较初始样品有大幅度提高,达约1600A/cm2。此外还考察了静水压
关键词: 相似文献
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《低温与超导》2017,(10)
Bi-2223/Ag是一种很有前景的高温超导带材,交流损耗是高温超导在大规模电力应用方面的瓶颈,如何降低Bi-2223/Ag中的交流损耗是人们一直关注的问题。带材超导部分的横截面形状对交流损耗有很大的影响,前人曾通过双轴轧制等工艺制造矩形截面的带材,以降低其交流损耗;另有人在单芯带材中得到了环状结构,从中发现可降低交流损耗。本论文尝试利用抽换芯工艺制造多芯环状截面的Bi-2223/Ag高温超导带材,以期降低带材的交流损耗。论文中,通过解析方法计算了临界态模型下,临界电流密度在径向上分布不均匀的超导体的交流损耗特性,并得到结论:带材的外围临界电流密度越高,交流损耗性能越好。 相似文献