氧和一氧化碳在有序合金表面Pd{001}c(2×2)-Mn上的共吸附:生成二氧化碳的微观机制

用高分辨率电子能量损失谱研究了O_2和CO在有序合金表面Pd{θ01}c(2×2)-Ma上的共吸附.室温下,当CO的暴露量为1.0L(朗缪尔Langmuir)时,能量损失谱中位于253mcV的峰是由吸附于第一层中Pd原子顶位的CO的C—O伸缩振动引起的.继续暴露θ.1L的O_1之后,上述253meV峰的强度大大减弱.低温140K时,O_2和CO在Pd{001}C(2×2)-Mn上共吸附后测得的能量损失谱中出现了一个损失能量为285meV的新峰.在相同的CO的暴露量下,该峰的强度随预吸附的氧量的增加而增加. 关键词：     

c(2×2)-(K+CO)在Co{1010}表面吸附的NEXAFS研究

对CO和K共吸附在CO{1010}表面的系统进行了O的1s NEXAFS理论研究,证实吸附分子CO的键长比气体状态时增长约0.01nm.用MSC(多重散射团簇)理论计算谱与实验结果比较发现：在原π峰右侧出现了一个新的弱结构.证明了此结构是由于K通过钴衬底对CO的间接作用造成的,它具有π共振的性质. 关键词：     

c(2×2)O吸附Cu(001)表面结构、电子态与STM图像的研究

用投影子缀加波和CP分子动力学方法研究了贵金属Cu(001)面的表面结构、弛豫以及O原子的c(2×2)吸附状态. 研究结果得出在这种吸附结构中，O原子与衬底Cu原子之间的垂 直距离约为0069nm，Cu—O键长为0.194nm，功函数约为5.29 eV；吸附O原子形成金属性能带结构，由于Cu—O的杂化作用,在费米能以下约6.7 eV处出现了局域的表面态.用Tersoff-Hamann途径计算了该表面的扫描隧道显微镜图像，并讨论了与实验结果之 间的关系. 关键词： Cu(001)-c(2×2)/O 电子态 STM图像     

一个新的Si{001}2×1表面原子结构模型

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长l_d=2.387?,表面三个原子层间距d₁=0.50±0.01?,d₂=0.96±0.01?,d₃=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。     

氮吸附在镍(001)表面上的P(2×2)结构

在总压为5×10^-5托并含有少量氮的氩气中,用能量为500伏、束流为5微安的氩离子轰击镍(001)表面,获得了一个吸附着氮的镍表面。低能电子衍射观察表明,吸附在镍(001)表面上的氮形成了类似于氧和碳吸附(偏析)在镍(001)表面上所产生的P(2×2)结构。对氮吸附在镍面上的键的本质进行了初步的探讨。 关键词：     

甘氨酸在Cu(001)表面的吸附结构

结合低能电子衍射(LEED)及其消失斑点规律和扫描隧道显微镜(STM)手段确定了室温下甘氨酸在Cu(001)表面能形成c(2×4)和两种(2×4)吸附结构((2×4)₁和(2×4)₂),并推断出在两种(2×4)结构单胞中两甘氨酸分子的羧基相对于衬底的吸附取向一致,而它们的氨基则不同.实验中还观察到c(2×4)与(2×4)₂结构能相互转变成窄条相互穿插共存,这说明几种吸附结构能量相近. 关键词：     

Cu(100)表面c(2×2)-N原子结构与吸附行为研究

用密度泛函理论的总能计算研究了金属铜(100)面的表面原子结构以及氮原子的c(2×2)吸附状态.研究结果表明：在Cu(100) c(2×2)-N表面系统中，氮原子处于四度配位的空洞(FFH)位置，距离最表面铜原子层的垂直距离为0.20?，最短的Cu—N键长度为1.83?.结构优化的计算否定了被吸附物导致的表面再构模型，即c(2×2)元胞的两个铜原子在垂直于表面方向发生相对位移，一个铜原子运动到氮原子之上的模型.该吸附表面的功函数约为4.65eV, 氮原子的平均吸附能为4.92 eV(以孤立氮原子为能量参考点).计算结果还说明，Cu—N杂化形成的表面局域态的位置在费米面以下约1.0 eV附近出现，氮原子和第一层以及第二层铜原子均有不同程度的杂化作用.该结果为最近有关该表面的STM图像的争论提供了判据性的第一性原理计算结果. 关键词： Cu(100) c(2×2)-N 表面吸附态 密度泛函总能计算     

c(2×2)-(K CO)在Co｛100｝表面吸附的NEXAFS研究

对ＣＯ和Ｋ共吸附在ＣＯ｛１０１０｝表面的系统进行了Ｏ的１ｓＮＥＸＡＦＳ理论研究,证实吸附分子ＣＯ的键长比气体状态时增长约００１ｎｍ．用ＭＳＣ（多重散射团簇）理论计算谱与实验结果比较发现：在原π峰右侧出现了一个新的弱结构．证明了此结构是由于Ｋ通过钴衬底对ＣＯ的间接作用造成的,它具有π共振的性质     

Cu（001）表面CO吸附的电子结构效应

本文应用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算了ＣＯ在Ｃｕ（００１）表面不同位置（顶位、桥位和空位）吸附的电子结构，分析了ＣＯ与Ｃｕ表面原子之间的键作用。分析表明ＣＯ在顶位吸附时，Ｃｐｘ（ｐｙ）－Ｃｕｄｓ（１号）和Ｃｐｘ（ｐｙ）－Ｃｕｄ２（ｄｓ）（２号）之间存在较强的键作用，这有利于ＣＯ在顶位吸附。桥位和空位吸附时，ＣＯ与表面原子形成的键较弱，是不稳定的。计算结果得到了实验的支持。     

天冬氨酸在Cu(001)表面吸附的扫描隧道显微镜研究

用扫描隧道显微镜(STM)研究了室温下天冬氨酸在Cu(001)表面的吸附行为.实验发现,在较 低的覆盖度下,天冬氨酸分子在Cu(001)表面存在两种吸附状态.从STM数据估算出两种吸附 状态下天冬氨酸分子在Cu(001)表面的扩散激活能分别为079±001eV,088±005eV. 随着覆盖度的提高,天冬氨酸分子最终在Cu(001)表面形成一均匀衬度的吸附层,但并不形 成有序吸附结构,也不能使台阶发生小面化.天冬氨酸分子的这些吸附特点是迄今研究过的 所有氨基酸在Cu(001)表面吸附时不具有的. 关键词： 表面吸附 扫描隧道显微镜 氨基酸     

第一性原理研究CO在Cu(110)表面的吸附

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,并同时考虑范德华力的作用,计算并分析了CO在Cu(110)表面的吸附情况.结果表明:1)CO在两个表面Cu原子的短桥位位置吸附最强,吸附能为1.28 e V.第二稳定吸附位置为表面Cu原子的顶位,吸附能为1.23 e V.CO在其他两个位置,表面两个Cu的长桥位和表面四个Cu的中心位的吸附要弱一些,约为0.86 e V和0.83 e V.2)在Cu表面吸附的CO的C-O键长有部分拉长,这与较强的吸附能和电荷转移相应.3)电荷分析表明所有吸附的CO整体上从衬底上面获得部分电荷,约为0.2个电荷.     

第一性原理研究CO在Cu(110)表面的吸附

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 并同时考虑范德华力的作用, 计算并分析了CO在Cu(110)表面的吸附情况. 结果表明: 1) CO在两个表面Cu原子的短桥位位置吸附最强, 吸附能为1.28 eV. 第二稳定吸附位置为表面Cu原子的顶位, 吸附能为1.23 eV. CO在其他两个位置, 表面两个Cu的长桥位和表面四个Cu的中心位的吸附要弱一些, 约为0.86 eV 和 0.83 eV. 2) 在Cu表面吸附的CO的C-O键长有部分拉长, 这与较强的吸附能和电荷转移相应. 3) 电荷分析表明所有吸附的CO整体上从衬底上面获得部分电荷, 约为0.2 个电荷.     

Order-disorder transition on Si(001): c(4 × 2) to (2 × 1)

A phase transition between c(4 × 2) and (2 × 1) structures on the clean Si(001) surface has been observed at about 200 K by low energy electron diffraction. From the temperature dependence of the width and intensity of the diffraction spots this transition is concluded to be a second order order-disorder transition. The transition proceeds by a single stage, which is in strong contrast with the case of Ge(001) for which a two-stage transition has been reported.     

MoSi_2(001)表面的氧吸附行为

运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi_2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi_2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧原子及氧分子在(001)Si-|-Si断面的吸附行为,发现单氧原子在空位处吸附最稳定,此时O极易与Si结合,得到的Si-O-Si键长及键角与SiO_2的非常接近,表明低浓度下O极易与表面的Si结合生成SiO_2;双氧原子发生空位+顶位吸附时O原子除与Si有强作用外,可与Mo有一定相互作用;氧分子以平行的方式接近空位最有利于吸附,此时氧分子最易分解为氧原子,发生氧原子在空位的吸附.     

O2在Mo(001)表面吸附的第一原理研究

采用第一原理方法计算了O2分子在 Mo(001) 表面的吸附,得到了吸附构型的各种参数,并且计算了O2分子在 Mo(001) 表面4个位置（顶位,桥位,穴位垂直,穴位平行）吸附后的能量,结果表明在顶位吸附能最高。通过对O2分子在 Mo(001) 表面吸附的原子轨道电荷分布与态密度图的分析可以看出在吸附过程中主要是O原子的2p轨道电子与钼的4s和4d轨道电子的相互作用。     

O2在Mo(001)表面吸附的第一原理研究

采用第一原理方法计算了O2分子在 Mo(001) 表面的吸附,得到了吸附构型的各种参数,并且计算了O2分子在 Mo(001) 表面4个位置（顶位,桥位,穴位垂直,穴位平行）吸附后的能量,结果表明在顶位吸附能最高。通过对O2分子在 Mo(001) 表面吸附的原子轨道电荷分布与态密度图的分析可以看出在吸附过程中主要是O原子的2p轨道电子与钼的4s和4d轨道电子的相互作用。     

Surface phonon dispersion of Cu(100)c(2×2)N

The Cu(100) surface covered with atomic nitrogen has been studied with low energy electron diffraction (LEED), Auger electron spectroscopy (AES) and inelastic electron scattering (EELS). Atomic nitrogen, formed by thermal dissociation of NH₃ adsorbed at 100 K, forms a c(2×2) overlayer on the Cu(100) surface. The dispersion of adsorbate and substrate associated modes of the Cu(100) surface covered with a c(2×2) nitrogen overlayer has been measured along the two dimensional Brillouin zone in the - by inelastic electron scattering. The experimental data are compared to a lattice dynamical slab calculation. The Rayleigh-mode (S₄-phonon) is only slightly changed by the N-overlayer. An optimum fit for the perpendicular and parallel nitrogen modes (=320 cm^–1 and =740 cm^–1 at =0.1) is obtained when the nitrogen atom is placed 0.6 Å above the first copper layer.