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相似文献
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Zusammenfassung Es wird eine Methode beschrieben, die Anisotropie der DK an festen Proben im Mikrowellengebiet zu erfassen. Die zu untersuchende Probe wird auf eine 3/4-Quarzglasunterlage in ein Spannungsmaximum des elektrischen Feldes einesH 11-Resonators gebracht. Durch die spezielle Wahl desTE 11-Wellentyps kann die DK unter jedem Winkel zum elektrischen Feldvektor bestimmt werden. Die Reproduzierbarkeit ist ±1.10–3, Wesentlich bei dieser neuentwickelten Meßmethode ist. daß das zu messende Material als dünne Platte, z. B. als verstreckte Folie vorliegen kann. Daher läßt sich DK-Anisotropie und optische Anisotropie auch an ein und derselben Probe messen.Messungen an Polystyrol zeigten erwartungsgemäß den Zusammenhang =2nn. Für das polare PMMA liegt eine Größenordnung höher. Die Anisotropie hängt bei derart verstreckten Polymeren von den Verstreckungsbedingungen in gleicher Weise wie Wärmeleitung und Doppelbrechung ab.Mit 11 AbbildungenVortrag, gehalten auf der Sitzung des Fachausschusses Physik der Polymeren auf der Regional-Tagung der Physikalischen Gesellschaft in Freudenstadt am 4. April 1967.Zugleich Auszug aus der Diplomarbeit vonH. W. Schulze.  相似文献   

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Zusammenfassung Es wird aus dielektrischen Messungen am System Polyisobutyl?ther-Dekahydronaphthalin eine reduzierte Darstellung gewonnen. Je nach Art der angewandten Reduktion kann der Linienzug eine geschlossene Kurve oder eine streuende Kurvengruppe darstellen. Sofern aus ihm unter Verzicht auf Feinheiten eine übersicht über das Verhalten gewonnen werden soll, ist das Verfahren anwendbar. Einzelheiten jedoch, insbesondere über Ver?nderung der Verschmierung um den Schwerpunkt der Dispersionsstelle, gehen notwendigerweise verloren, sofern man sie nicht aus der sogenannten „shift“-Funktion oder der verbleibenden Streuung um die mittlere Kurve wieder herausliest. Wir dankendr Deutschen Forschungsgemeinschaft für Unterstützung Arbeit.  相似文献   

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Zusammenfassung Nach einem kurzen, allgemeinen Überblick über die wichtigsten Gesetzmäßigkeiten, die das dielektrische und mechanische Relaxationsverhalten der Hochpolymeren bestimmen, werden die bisher bekannt gewordenen Änderungen der dielektrischen und mechanischen Verlustkurven bei thermischer und mechanischer Vorbehandlung an Hand von Beispielen erläutert. Es zeigt sich, daß das experimentelle Material vielfach noch nicht ausreicht, um die einander teilweise widersprechenden Ergebnisse in allen Fällen befriedigend deuten zu können. Im einzelnen werden behandelt: Veränderung der Hauptkettenbeweglichkeit bei den amorphen Hochpolymeren, Veränderungen bei den Nebenmaxima der amorphen und partiell-kristallinen Hochpolymeren, Veränderungen der amorphen und kristallinen Hauptmaxima bei den partiell-kristallinen Hochpolymeren und Zeiteffekte beim Kristallisieren.Dem Leiter der Meß- und Prüfabteilung,K. Wolf, sowie meinen KollegenH. Hendus, K. Schmieder, G. Schnell undF. Würstlin danke ich für anregende Diskussionen und die Erlaubnis, noch unveröffentlichte Messungen zu zitieren. K. Wolf undK. Schmieder bin ich für die kritische Durchsicht des Manuskriptes zu besonderem Dank verpflichtet.  相似文献   

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Zusammenfassung Es wurden Näherungen aufgestellt, die dazu ienen, *() und die besonders für dielektrische Spektraluntersuchungen interessante negative logarithmische Ableitung von () mit Hilfe der zeitabhängigen Leitfähigkeiti(t) auch bei niedrigen, der direkten Messung schlecht zugänglichen Frequenzen bestimmen zu können. Diese Näherungen sind numerisch sehr einfach zu handhaben und ihre Genauigkeit ist durch Angabe der maximal möglichen Abweichungen sicher festgelegt. Es wurde gezeigt daß die Fehlergrenzen, die man für die Hamon-Näherung finden kann, groß sind, so daß diese als viel zu unsicher angesehen werden muß.Nach den angegebenen Beziehungen lassen sich () undd/dlog allein aus der zeitabhängigen Leitfähigkeit berechnen, wenn diese bis zu hinreichend kurzen Zeiten verglichen mit dem Kehrwert der Frequenz bekannt ist. Ist dies nicht der Fall, können bei höheren Frequenzen direkt gemessene -Werte zur Berechnung mit herangezogen werden. Es wurde gezeigt, daß im Gegensatz dazu nicht mit Sicherheit ausi(t) allein bestimmt werden kann, sondern nur die Änderung von über ein vom Zeitbereich der Leitfähigkeitsmessung abhängiges Frequenzintervall. Ist in einem kleinen Frequenzbereich bekannt, dann kann es mit Hilfe voni(t) auch bei niedrigen Frequenzen ausgerechnet werden. Die dazu nötigen Beziehungen wurden mitgeteilt.
Summary Formulae are derived for the approximative calculation of the dielectric permittivity *() and the logarithmic derivative of the storage component () with the aid of measurements of the transient currenti(t). These equations are numerically simple and of high accuracy. The error bounds for these equations can be given. It has been shown, that the error bounds for the well known Hamon formula are unreasonably high, indicating a great uncertainty of this relation.Some of the formulae given allow to calculate () andd/dlog from values of the transient current only, provided these are available up to values of time which are short enough compared with 1/. If this is not the case other formulae can be used for which direct measurements of at higher frequencies are necessary. Furthermore it has been shown that the knowledge of the transient current is not sufficient for calculations of . Formulae are given to obtain at lower frequencies with the aid of transient current and some values of at higher frequencies.


Mit 1 Abbildung und 5 Tabellen  相似文献   

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