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金属-氧化物-半导体(MOS)系统,它不仅作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在超大规模集成电路中占有主导地位,而且也是半导体器件、材料和工艺方面的重要研究手段之一.故对它的研究日益发展、深入.本文仅从集成电路的角度出发,着重介绍与MOS系统电学特性有关的基础知识,而未涉及工艺制造问题.一、半导体表面空间电荷区[1-3]表面势的存在,由于自由载流子数目偏离平衡值,将使表面层中形.... 相似文献
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包括大规模集成电路在内的现代半导体器件,绝大部分是用硅平面工艺制造的.在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后,器件的芯片就制成了.平面工艺少不了硅表面的一层SiO2膜,该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜,在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物,因此这些器件都包含Si-SiO3系统.在MOS器件中,还有较薄的优质SiO2作栅极的介质,它是决定该类器件功能的.... 相似文献
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半导体材料硅中存在的原生晶体缺陷(如位错、层错、旋涡缺陷)及半导体硅器件加工工艺过程中的诱生晶体缺陷(如外延层错、热氧化杆状缺陷、扩散导致的缺陷)都会给器件带来有害的影响.为了揭示缺陷是如何影响材料的结构和器件的性能,人们必须设法观察缺陷的位错、形貌,并研究它们是如何引入和演变的.我们在60kw旋转阳极X光机上,用X射线形貌技术[1]跟踪双极集成电路基本工艺──外延、氧化、扩散过程,观察晶体?... 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献
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本文简要介绍半绝缘多晶硅薄膜技术在半导体领域中应用的二个方面:钝化膜和硅-半绝缘多晶硅异质结.着重阐述了半绝缘多晶硅的钝化机理,以及它在半导体器件中应用的工艺过程.采用半绝缘多晶硅钝化膜,可以制成无沟道截止环的CMOS电路,以获得高集成度、高汤阈值电压和高可靠性的MOS器件;可以使双极型npn和pnp晶体管的可靠性提高,而且具有更高的击穿电压。 相似文献
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氧化态K—MoO3/γ—Al2O3催化剂结构的EXAFS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Na2MoO4.2H2O,MoO3,(NH4)6Mo7O24.4H2O等结构典型的含钼化合物及氧化态K-MoO3/γ-Al2O3催化剂样品进行了EXAFS测试,并以Na2MoO4.2H2O为标样进行多层拟合计算,以研究各样品钼组分的配位结构。 相似文献
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本文用直流溅射法在(100)LaAlO3单晶基片上制备了LSMO/PCMO/LSMO三层膜,并研究了三层膜的电,磁特性。在零磁下,三层膜的电阻率随中间层Pr0.7Ca0.3MnO3+δ厚度的增加而显著下降、转变温度向高温区移动。中间层PCMO的作用相当于提供了一个内磁场。 相似文献
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建立了一套电动势法测量电解溶液中离子迁移数的实验装置,通过对NaBr-H2O、NaBr-MeOH两个体系在298.15K下电动势值的测定,得到的钠离子迁移数及钠离子极限电导与文献值一致,表明了该装置的可靠性和准确性。 相似文献
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21世纪的光学和光电子学讲座 第二讲 硅基发光材料和器件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键.文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2 等超晶格结构材料.展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景 相似文献
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使用分子轨道从头算方法,对NaS和Na2S分子的基态几何构型和振动频率进行了理论研究。计算的结果表明,在HF/6—31和MP2/6—31G水平上,NaS分子的平衡键长和振动频率基本上是一致的。对于Na2S分子在上述M种水平上,线性结构是不稳定的,而弯曲结构是稳定的。电子关联作用把优化键角从161°(HF/6—31G)降低到111°[MP2(fu)/6—31G],这个变化可以用电子相关作用降低了Na—Na之间的Coulomb排斥来解释。对于NaS分子理论子言的键长是2.43。Na2S分子理论予言的键长是2.45,键角是111°。 相似文献
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硅—二氧化硅超晶格:探索硅基发光材料的一条新途径 总被引:4,自引:0,他引:4
理论上认为,由于Si/SiO2超晶格中硅层(阱层)的电子和空穴都受到极强的量子限制效应,硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙,从而发光效率大大提高.实验上,在非晶Si/SiO2超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象.晶体Si/SiO2超晶格研究也取得了初步的结果. 相似文献
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小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考.
关键词:
应变硅
准二维表面势
栅隧穿电流
预测模型 相似文献
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对 0.01-18 Mev单能快中子通量分成四个能区用不同的方法进行了测量.0.01-0.0Mev用 Be7放射性法;0.1-1.5 Mev用含氢气体正比管;1.0-5.0 Mev用半导体反冲计数器和半导体望远镜;5.0-18 Mev用闪烁望远镜.为了验证测量方法的可靠性,两种不同的方法在相互重迭的能量点上进行了相互校验.在14 Mev和伴随粒子方法进行了比较,在 880kev和 220kev与 Na-Be和 Na-D2O源进行了校验.校验结果均在5%范围内符合.为了使用上的方便,在中子能量 Em=0.01-5.0 Mev刻度了一只长计数管的效率. 本文概述了上述四种方法的测量原理和实验技术,并对测量误差进行了分析. 相似文献
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一、前言结型磁敏器件是一种新型半导体磁电转换器件.它有锗、硅磁敏二极管[1],锗[2]、硅磁敏晶体管,磁敏可控硅[3]以及集成式磁敏补偿电路等几种.它们的共同特点是磁灵敏度高,比霍尔元件高几百倍到几千倍.这样高的磁灵敏度是利用半导体的磁阻效应实现的.所谓磁阻效应是利用P-n结性质向半导体注入高电平载流子,利用载流子在磁场中会受到洛伦兹力作用而发生偏转的特性,以改变非平衡载流子的有效寿命和运动?... 相似文献
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自从1972年Spears与Smith[1]首先发表了X射线光刻的论文以来,美、日、西德和法国等都将X射线光刻列入超大规模集成电路的光刻工艺之一.美国贝尔电话公司已将X射线光刻机用于中间性生产线,做出了0.30μm的短沟道的MOS器件[2]X射线光刻受到重视的原因是:(1)最高分辨率可以做到为50A;(2)光刻的质量较用其它光刻技术好,表现在光刻后光刻胶的剖面图形的高度与宽度之比可达15:1.?... 相似文献