稀土离子注入的ZnS各种颜色发光二极管

ZnS单晶注入一种或两种稀土离子来制备发光二极管。本文研究了发光亮度与注入剂量的关系,发光亮度与电流的关系和发光亮度与温度的关系等。同时记录了电致发光和阴极射线发射光谱。选取两种不同的稀土离子注入到同一晶面,由于它们的比例不同,发光颜色可从一种稀土离子单独发光的颜色连续地改变到另一种颜色。     

ZnS中Er3+的正向注入电致发光

已报导的三价稀土离子(RE3+)和二价锰离子发光的电致发光器件,都是激发机理为碰撞激发的高场发光器件[1,2]。我们研究了znS:RE2+的带边激发光谱,由此提出了实现正向注入下三价稀土离子电致发光的发光器件的设想,这种器件的必要条件是在存在三价稀土离子的区域同时注入电子和空穴。在离子注入的ZnS:Er3+发光二极管上观察到了这种发光,实验证明不是碰撞激发,而是正向注入产生的发光。     

利用钆配合物调节激基复合物发光颜色的一种有机发光二极管

报道一种可用钆配合物[Gd（DBM）3bath]调节电致发光（EL）颜色的有机发光二极管（OLED）。该有机发光二极管是在空穴传输层（m-MTDATA）和电子传输层（TPBI）之间插入-薄层Gd（DBM）3bath。随着Cd（DBM）3bath厚度增加,二极管的发光颜色呈现出绿色（主峰525nm）-黄色-橙色（主峰593rim）变化。该二极管的电致发光主要来自界面激基复合物的发射而不是来自各有机功能层;而发光颜色的变化是由于两种激基复合物发射的相对强度的改变。     

可变色的ZnSe:Er3+ MIS发光二极管

本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。     

基于混合量子点的颜色可调QLED器件性能及其白光应用

采用红色、绿色混合量子点作为发光层,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/TFB/Mixed-QDs/ZnO/Ag的颜色可调量子点发光二极管(QLED)器件,研究了QLED器件的电致发光光谱.实验结果表明,混合QLED器件具有明显的颜色可调特性.随着外加电压增大,混合QLED器件呈现出从暗红色到橙黄色再到耀眼的黄绿色...     

ZnS:Cu,Nd,Cl薄膜电致发光出现受激发射的可能性

ZnS:Cu,Nd,Cl具有很好的直流电致发光,而且钕离子是一个稳定的发光中心,加之薄膜发光器件有两个平行电极,可以形成一个谐振腔.本文探讨了ZnS:Cu,Nd,Cl薄膜电致发光出现受激发射的可能性.在实验上发现,来自4F3/2到4I9/2和4I11/2能级之间的跃迁中某些谱线强度随外加电压的增加而非常迅速地增加,这很可能是能级之间出现粒子数反转,并在适当谐振条件下产生了受激发射.     

Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光

本文叙述了在室温下用能量为70~100keV,剂量为1~3×1015cm-2的Ag或Cu离子注入到低阻ZnS晶体中,经N2气流350℃下退火处理,并用扫描电镜观测晶片断面的反射电子像(REI),吸收电子像(AEI)和二次电子像(5EI),发现了经离子注入的ZnS晶片表面存在一个厚约1μ的绝缘层,还根据对MIS结C-V特性测量,计算了二极管Ⅰ层的厚度为1.1μ,它与用扫描电镜观测的结果一致.文中还测量了ZnS:Ag(或Cu)MIS二极管在正向电压下的发光光谱,根据谱峰位置表明发光分别起源于Ag(或Cu)发光中心.在室温下用肉眼观察二者皆为蓝色电致发光.     

退火对Er3+离子注入ZnSe晶体电致发光的影响

本文研究了低阻ZnSe晶体在室温下经Er3+离子注入后,退火对它的电学及电致发光性能的影响。文中指出,经N2气保护退火所制备的ZnSe:Er3+二极管具有MIS结构,I层是由于晶格损伤造成的。文中根据对I层起因的分析,首次提出和实现了在熔融锌中退火可使品格损伤墓本消除,从而制备了掺Er的ZnSeMS二极管,在反向电压下得到Er3+离子的特征发光。     

ZnS:Mn交流薄膜电致发光的存贮效应

ZnS:Mn交流薄膜电致发光(ACTEL)中存在固有存贮效应和很长的使用寿命大大大推动了对这种器件的研究。 我们最近进行了ZnS:Mn薄膜存贮器件的场致发光实验,所用的薄膜结构是～5000厚的ZnS:Mn两边分别夹以～2500厚的非晶BaTiO_3绝缘层,再用InSnOx和Al电极完成装置。图1是我们在ZnS:Mn/a—BaTiO_3ACTEL器件上观察到的亮度—电压特性曲线。 我们观察到在这种器件的电致发光中包含两种成分,一种是空间均匀的发光,即本底发光;另一种是来自直经小于～1微米的定域亮区之发光。在存贮器件的正常工作电压范围内光辐射主要来自定域亮区[图2(a)]。当外加方波电压振幅增加时,这     

反向偏压下ZnS(Zn,Al)蓝色电致发光二极管

用在含有2%铝的锌中降阻的ZnS晶体制成发光二极管,在反向偏压下可以得到较亮的蓝色电致发光.比较两类二极管(E和C)的电致发光和阴极射线发光光谱.并且连同电子探针的分析,电致发光的电流-电压特性、亮度-电流特性测量,解释了蓝色电致发光的产生;它与富铝区有关,富铝区提供了Vzn-Al复合体形成蓝色发光中心并且提供了施主,降低了电阻.     

金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜的交流电致发光(ACEL)特性

本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10-3g/g)低于ZnS:Er3+薄膜ACEL的最佳浓度(1×10-2g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF3和ZnS:Er3+薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y2O2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

CdxZn1-xS:SmF3的红色薄膜电致发光

本文首次报道了用CdxZn1-xS替代ZnS作为基质,改进SmF3的TFEL的实验;通过适当地在基质中掺杂CdS,在一定程度上提高了SmF3的TFEL发光亮度;分析了CdxZn1-xS基质中Cd含量对SmF3的TFEL的影响,探讨了发光亮度提高的原因.     

利用原子层外延方法制备的ZnS:Er3+薄膜的交流电致发光特性

采用原子层外延方法(ALE)制备了ZnS:Er3+交流电致发光(ACEL)薄膜,得到了明亮的绿色EL。发现了随Er3+离子浓度增加,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度增加甚至超过2H11/2→4I15/2跃迁的谱线强度。通过对EL衰减的分析,发现了绿红比随外加电压的变化关系以及EL光谱与温度的关系。在Er3+离子浓度较高时,Er3+离子之间发生明显的能量传递。提出了Er3+离子间的交叉驰豫模型并计算了交叉弛豫速率,同拟合衰减曲线得到的值相比,两者符合得较好。     

Enhanced mid-infrared emissions of Er3+ at 2.7 μm via Nd3+ sensitization in chalcohalide glass

Nd(3+) sensitized Er(3+):(4)I(13/2) mid-IR emissions around 2.7 μm were investigated in the transparent Ga(2)S(3)-GeS(2)-CsCl chalcohalide glasses for the first time. Remarkably, it is found that Nd(3+) greatly enhances Er(3+) 2.7 μm emission by a maximal 20 times, and depopulates the lower level of Er(3+):(4)I(13/2) for population inversion. Based on Judd-Ofelt theory, the 2.7 μm emission cross section is calculated (as high as 0.66×10(-20) cm(2)) and the gain property of the Er(3+):(4)I(11/2)→(4)I(13/2) transition is discussed. Hopefully, the materials studied here may find potential applications in the fields of fiber amplifiers and mid-IR lasers.     

ZnS:Cu,Nd, Cl薄膜直流电致发光的激发态寿命和光谱强度

在真空中用共蒸发方法制的直流电致发光薄膜ZnS:Cu,Nd,Cl,实验中测量了它的可见和红外发射。本文研究了Nd3+离子的各个激发态的寿命各个辐射波长的发射强度与温度和外加电压的关系,发现导带中参与电致发光激发过程的热电子能量分布遵从玻尔兹曼函数,热电子平均能量是0.16eV左右,这个值和能量转换效率测量结果相一致。     

A highly efficient white-light-emitting diode based on a two-component polyfluorene/quantum dot composite

Organic light-emitting diodes (OLEDs) are attracting great interest of the scientific community and industry because they can be grown on flexible substrates using relatively simple and inexpensive technologies (solution processes). However, a problem in the fabrication of white OLEDs is that it is difficult to achieve a balance between the intensities of individual emission components in the blue, green, and red spectral regions. In this work, we try to solve this problem by creating a two-component light-emitting diode based on modified polyfluorene (PF-BT), which efficiently emits in the blue–green region, and CdSe/ZnS/CdS/ZnS semiconductor quantum dots emitting in the orange–red region with a fluorescence quantum yield exceeding 90%. By changing the mass ratio of components in the active light-emitting composite within 40–50%, it is possible to transform the diode emission spectrum from cold to warm white light without loss of the diode efficiency. It is very likely that optimization of the morphology of multilayer light-emitting diodes will lead to further improvement of their characteristics.     

Er3+/Yb3+共掺杂氧氟硅酸盐玻璃的上转换发光

研究了Er^3 ／Yb^3 共掺氧氟硅酸盐玻璃的吸收光谱、上转换光谱和拉曼光谱。分析了氧氟硅酸盐玻璃中Yb”敏化Er^3 的上转换发光机理。结果表明：通过975nm的激光二极管激发,在室温下同时观察到蓝光(408nm)、绿光(529nm和545nm)和红光(667nm),分别是由于Er^3 离子。H9/2→^4I15/2,H11/2→^4I15/2,H3/2→^4I15/2和H9/2→^4I15/2跃迁。随Yb2O3浓度的增加。Yb^3 对Er^3 的能量转移增强,因此蓝光、绿光和红光的发光强度都增强,强烈的绿光和红光激发是由于双光子吸收过程,而微弱的蓝光是由于三光子吸收过程。拉曼光谱发现,对Er^3 离子在氧氟硅酸盐玻璃中的上转换发光。玻璃结构中的PbF2起到重要作用。