在低温和强磁场下使用的热敏电阻温度计

本文报道了用Co-Ni-Ba-O_2合成的氧化物半导体材料制成的热敏电阻温度计。使用温区为2.8—100K,电阻从几十千欧姆光滑地变化到几十欧姆。相对灵敏度[—dR/dT×1/R]从4.2 K的60％/K左右变化到100 K的1.5％/K左右,达到了实用要求。此温度计的特点是可在强磁场下使用,在4.2 K、7T情况下,磁阻引起的温度变化为1.5～2.0％。温度计的磁阻变化可套用经验公式100×△R/R=c_1H~2/(1+c_2H~2)×T~(-1.5)。当温度不变时(T=4.2K),磁场引起的电阻变化与此公式相符。当磁场不变,磁阻随温度的升高而减小。     

渗碳玻璃温度计在强磁场中的温度测量

在3.4—20K温度范围测量了渗碳玻璃湿度计0—7T的磁阻,给出了4.25—20K之间磁场引起电阻的相对变化公式,并对实验结果进行了比较。给出了不同温度下磁场引起的渗碳玻璃温度计的相对误差曲线。     

一种新的用于低温强磁场下测温的电容元件

本文报道了微型陶瓷电容系列CT41的低温介电特性并给出了元件的电容-温度曲线C(T)、损耗-温度曲线tgδ(T)、及液氦温度下的电容-磁场行为等的初步测量结果。     

强磁场下的科学研究

文章介绍了强磁场在半导体物理、低维物理、高温超导体、重费米子、磁学、原子分子物理、化学、有机化合物、材料科学、微重力、核磁共振等领域中的重要作用.     

强磁场下的科学研究

文章介绍了强磁场在半导体物理、低维物理、高温超导体、重费米子、磁学、原子分子物理、化学、有机化合物、材料科学、微重力、核磁共振等领域中的重要作用.     

高温超导材料强磁场下的制备研究

得益于低温技术和超导磁体技术的发展，10T以上无液氦超导磁体技术已经比较成熟．作为提高高温超导材料性能的手段，强磁场技术应用于高温超导材料制备过程中的研究得到了广泛开展．本文介绍强磁场下高温超导材料制备研究的现状、进展及发展趋势．     

高温超导材料强磁场下的制备研究

得益于低温技术和超导磁体技术的发展,10T以上无液氦超导磁体技术已经比较成熟.作为提高高温超导材料性能的手段,强磁场技术应用于高温超导材料制备过程中的研究得到了广泛开展.本文介绍强磁场下高温超导材料制备研究的现状、进展及发展趋势.     

强磁场下的固体物理研究进展

强磁场下的物理研究是一个富有成果的研究领域，40T以下稳态强磁场的研制成功为固体物理研究提供了新的科学机遇。文章简要地介绍强磁场下某些固体物理，其中包括高温超导体的H－T相图和非费米液体行为，德哈斯（de Haas)效应和费米面性质，电子的Wigner结晶及其动力学行为，磁场诱导的相变（如绝缘体－金属和超导转变），多级磁有序，串级自旋密度波和大块材料中的量子霍尔效应等的实验研究的近期进展，希望以此引起人们对国内强磁场下物理研究的关注。     

光磁效应研究的新进展

光磁效应研究始于六十年代末，它是磁光效应的一种逆效应。近年来光磁效应研究取得了相当明显的进展，本文分（1）光磁各向异性和光磁效应的可逆特性，（2）光磁电流和光磁电阻，（3）分子基磁体中的光磁效应及其形成机制等三个方面对光磁效应最近几年来的发展进行较为系统的论述。     

光磁效应研究的新进展

光磁效应研究始于六十年代末 ,它是磁光效应的一种逆效应。近年来光磁效应研究取得了相当明显的进展 ,本文分 ( 1 )光磁各向异性和光磁效应的可逆特性 ,( 2 )光磁电流和光磁电阻 ,( 3)分子基磁体中的光磁效应及其形成机制等三个方面对光磁效应最近几年来的发展进行较为系统的论述     

强磁场下的温度控制与测量

ＳｒＴｉＯ_４电容基本上不受磁场影响,但是它的灵敏度和使用温区有限,更大的缺点是测量时必须等半个多小时才能稳定,给实验带来不便．渗碳玻璃电阻温度计（ＣＧＲＴ）受磁场的影响比较小,其磁阻值可以精确计算．本文介绍了用在磁场中测量到的ＣＧＲＴ的电阻值,计算出磁阻造成温度误差,从而得到温度的精确值．为了使用方便,本文给出了磁阻造成温度误差的修正表,从而较方便地基本上消除了磁场造成的误差．在温度为４．２－８８Ｋ,磁场为０－１９Ｔ时,磁场造成误差小于０．ｌ％;在８８－３０６Ｋ,０－１９Ｔ时,误差小于０．２％．本文还介     

脉冲强磁场下的法拉第效应

本文提出了利用脉冲强磁场测量法拉第效应的方法．测得火石玻璃（ｆｌｉｒｔｇｌａｓｓ）和硫化锌（ＺｎＳ）的Ｖｅｒｄｅｔ常数为０．４５８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）和２．９８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）．     

脉冲强磁场下稀土材料的发光行为研究

脉冲强磁场具有峰值磁场强及扫场速度快的特点,在一个磁场脉冲内可获得从零场到最高磁场强度的全部数据,因而测量结果具有较高的精确度和对比度。稀土发光材料因具有发光谱线丰富、发光效率高的特点,在照明、显示和传感等领域有着广泛的应用。在强磁场作用下,稀土发光材料展现出发光强度和颜色可调的特征,在磁场传感、磁场标定和磁控发光器件等方面有重要应用价值。文章利用武汉国家脉冲强磁场科学中心磁光测量装置,系统地研究了铒、铕等稀土元素掺杂的发光材料在脉冲强磁场作用下的发光光谱、发光强度以及精细能级结构等特征随磁场变化的规律,初步探索了脉冲强磁场下的磁光谱在晶体结构分析、能级结构确定、磁场标定以及磁场传感等方面的应用。     

强磁场下横向输运过程的微扰理论

本文利用文献[9]的理论,讨论了强磁场下输运过程中的几个问题。文章首先指出在朗道表示中的输运过程要明显考虑边界条件问题.对横向电导,在正确处理边界条件后,不需要解玻耳茲曼型的输运方程,并在任意级的微扰下,证明Titeica图象是正确的。其次讨论了外电场ω≠0时的解,及其向经典过渡的问题,指出在同样的ω_Hτ>1,E₀τ?1的条件下,量子解与经典解是不同的。最后,在附录中讨论了态密度积分引起的发散消除问题。指出在实际情况下,除了—ln(ε_c/kT)项外,(ε_c/kT)⁰项是同样重要的,它使量子极限下的ρ_T/ρ_L值得到与实验相符的结果。     

强磁场中晶体生长研究

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴向分布的均匀性.分析认为,这些结果是强磁场提高流体的稳定性和降低对流的速度所致. 关键词：     

关于强磁场下输运过程的附注

这篇短文是对论文[1]的补充,同时也是对论文[2]中一些论点的答复,我们强调的一点是在久保公式中首先令ν→∞,然后令△t→∞,就会得到正确的输运系数,依据趋近平衡的理论来表达输运系数能使之充分确定,而在力学形式体系中它是不确定的,并且指出在输运理论中引进宏观流算符是不必要的。 关键词：     

强磁场下材料的合成与应用

将磁场与化学反应相结合,研究磁场对化学反应的影响,有利于制备出突破现有极限性能的新型功能材料。     

脉冲强磁场下的电极化测量系统

多铁性材料是当前物质科学研究的热点,具有重要的科学研究意义和应用前景.低温和强磁场实验环境为研究多铁性材料提供了一种有效途径.脉冲强磁场下的电极化测量系统能实现最高磁场强度60 T、最低温度0.5 K的铁电特性测量.该系统采用热释电方法,具有磁场强度高、控温范围广、转角测量等特点,可用于强磁场下的磁电特性研究.本文介绍了该系统的测量装置和实验原理,并展示了其在多铁性材料研究中的一系列应用,揭示了脉冲强磁场电极化测量系统在磁电特性探索中的重要作用.     

强磁场下ITER垂直稳定性线圈的电磁性能研究

垂直稳定性线圈是ITER托卡马克装置中用以维持等离子体垂直稳定性的核心部件,然而该线圈处于强磁环境下,一旦线圈励磁运行以后,线圈电流与外部背景场交互作用激发的电磁载荷将会对线圈产生强烈的电磁冲击.为了分析稳态和瞬态电磁载荷对线圈结构的影响,首先采用电流丝等效模型并基于椭圆积分计算了背景场线圈和等离子体电流的磁场,以及极端运行状态下背景场所诱发的电磁力.在电磁计算的基础上,创建循环对称磁-结构耦合分析模型并采用间接耦合法,将电磁力密度以载荷边界条件插值到结构分析模型,计算评估线圈在稳态电磁载荷下的力学性能.此外,针对脉冲电流引起的电磁疲劳,采用ASME主应力方向恒定的疲劳设计规范,结合Goodman修正法并以无限次循环条件下材料应力强度为评定标准,对线圈各组件的应力进行了评定,结果表明线圈各组件均有足够的安全裕度.该分析方法可为托卡马克其它磁体线圈的电磁性能评估提供参考.     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...